本申请提供一种摄像头模组结构及其制作方法。所述摄像头模组结构包括：电路板，所述电路板包括第一表面；成像元件，所述成像元件封装于所述第一表面，所述成像元件包括一个以上的成像芯片，所述一个以上的成像芯片一体连接；底座，所述底座的封装部封装于...

一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括多个像素区；在所述衬底像素区表面形成增透层，所述增透层的折射率小于或等于预设值；在所述增透层表面形成滤光层。所述方法提高了图像传感器的性能。

一种三维堆栈式CIS及其键合方法，所述方法包括：提供第一半导体衬底以及第二半导体衬底，所述第一半导体衬底的正面形成有第一衬垫，所述第二半导体衬底的正面形成有第二衬垫，所述第二衬垫与所述第一衬垫的位置一一对应；在所述第一衬垫的表面涂覆第一...

本公开涉及校验版图中的图案偏移的方法和装置。本公开提供了一种校验版图中的图案偏移的方法，包括：测量版图中的至少一对相邻金属氧化物半导体场效应管MOSFET中的漏极电流；比较每一对MOSFET中的两个MOSFET中的漏极电流；以及基于比较...

本发明技术方案公开了一种铝衬垫的制作方法及半导体器件，所述铝衬垫的制作方法包括：在半导体基底上形成铝膜层；在所述铝膜层表面形成氧化铝膜；在所述氧化铝膜上形成介质层；采用含氟气体干法刻蚀所述介质层，直至暴露出所述氧化铝膜；湿法清洗暴露出的...

本公开涉及用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物以及半导体装置的制造方法。提供有一种用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物，该混合物包括：主单体材料，其适于在辐照照射下发生交联反应从而使得所述混合物固化；以及促进...

一种半导体结构的形成方法和一种图像传感器的形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区和第二区；在所述基底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层内具有暴露出第一区的第一开口以及暴露出第二区的第二开口；在所述第一掩膜层...

本发明技术方案公开了一种用于图像传感器的隔离结构及其形成方法、图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括第一像素区和第二像素区，所述隔离结构包括：沟槽隔离结构，位于半导体衬底内的第一像素区和第二像素区之间；PNP型隔离区，位于所述沟槽隔...

一种PDAF图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成用于PDAF的光电二极管对，每对光电二极管中的两个光电二极管之间具有隔离区域；在所述半导体衬底内形成栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部暴露出所述隔离区域的...

本发明提供一种图像传感器的制作方法，其在主体晶圆与载体晶圆之间的缝隙处设置一阻挡层，则在湿法蚀刻阶段，所述阻挡层能够阻挡蚀刻液进入所述缝隙，避免蚀刻液对缝隙的蚀刻，从而避免了缝隙被进一步扩大，降低后续制程中的滑片风险以及金属污染的情况发...

本公开涉及一种图像传感器，包括第一像素单元，所述第一像素单元包括：形成在半导体材料层中的光电二极管；设置在所述半导体材料层之下的电介质层；以及形成在所述电介质层中的用于将穿过所述半导体材料层的光引导到所述光电二极管的导光件，所述导光件的...

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种背照式图像传感器及其制造方法。所述背照式图像传感器，包括衬底以及位于所述衬底表面的白色像素单元；所述白色像素单元包括：白色滤光片；第一感光器件，用于接收经所述白色滤光片过滤的光信号并将其转换为电...

本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器的形成方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成分立排列的光电二极管掺杂区；在所述半导体衬底上形成外延层；对所述外延层进行离子注入，在所...

本公开涉及半导体装置及其制造方法。提供了一种半导体装置，其包括：其中包含通过前端制程形成的结构的衬底、设置在衬底上并且包括金属互连结构的布线层以及设置在布线层上的金属键合层，其中金属键合层包括：形成在布线层上的介电层；穿过介电层向下延伸...

该发明涉及一种晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法，其中所述晶圆刻蚀装置包括：支撑单元，用于承载晶圆；至少两个喷嘴，分别朝向所述支撑单元上放置的晶圆的不同区域设置，用于分别向所述晶圆的不同区域喷出刻蚀液；混酸系统，连通至所述喷嘴，用于根据晶圆的不...

本发明提供一种半导体结构的制作方法，包括以下步骤：提供一待键合片，所述待键合片中设有键合焊盘，所述键合焊盘自所述待键合片的上表面起始，并往所述待键合片的下表面方向延伸；形成一硬掩膜层于所述键合焊盘的顶面；以所述硬掩膜层为掩膜对所述待键合...

本实用新型提供了一种基底位置调整装置以及基底边缘减薄装置，基底位置调整装置包括：支撑单元、第一导轨、第二导轨、第一驱动机构、第二驱动机构、位置获取单元以及控制器，第一导轨和第二导轨交叉连接，支撑单元位于第一导轨和第二导轨上方并用于支撑一...

本实用新型提供了一种气体循环单元及半导体机台中，包括：输入管和输出管，所述输入管和所述输出管分别设置于一工作腔上；压缩机，所述压缩机的输入端连接所述输入管；冷却水系统，所述冷却水系统包括存储管以及冷却水进出装置，所述存储管连接所述压缩机...

本实用新型提供了一种传送手臂及传送系统中，所述传送手臂包括：支撑板以及嵌入所述支撑板中的超声波元件，所述超声波元件包括超声波发送装置及超声波接收装置，所述支撑板包括限位体和板体，所述限位体凸起于所述板体，且所述限位体位于所述板体的上表面...

本实用新型涉及一种炉管晶圆调节装置，设置于一炉管机台内，用于调节晶舟上晶圆的位置，包括：第一位移组件，包括气动单元和与所述气动单元活动连接的第二位移组件，所述第二位移组件在所述气动单元的作用下到达预定位置；以及所述第二位移组件包括传动单...