图像传感器的制作方法技术

本发明专利技术提供一种图像传感器的制作方法，其在主体晶圆与载体晶圆之间的缝隙处设置一阻挡层，则在湿法蚀刻阶段，所述阻挡层能够阻挡蚀刻液进入所述缝隙，避免蚀刻液对缝隙的蚀刻，从而避免了缝隙被进一步扩大，降低后续制程中的滑片风险以及金属污染的情况发生的几率，提高产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器的制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种图像传感器的制作方法。
技术介绍
图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置。按照其依据的原理不同，可以区分为CCD(ChargeCoupledDevice，电荷耦合元件)图像传感器以及CMOS(ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，金属氧化物半导体元件)图像传感器。CMOS图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此，随着图像传感技术的发展，CMOS图像传感器越来越多地取代CCD图像传感器应用于各类电子产品中。目前，CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。按照接收光线的位置的不同，CMOS图像传感器可以分为前照式(FSI)图像传感器和背照式(BSI)图像传感器。其中，与前照式图像传感器相比，背照式图像传感器最大的优化之处就是将元件内部的结构改变了，即将感光层的元件入射光路调转方向，让光线能从背面直射进去，避免了在前照式图像传感器中，光线会受到透镜和光电二极管之间的结构和厚度的影响，提高了光线接收本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一主体晶圆及一载体晶圆，所述主体晶圆具有相对设置的一第一表面及一第二表面；对所述主体晶圆的第一表面的边缘进行切割，在所述主体晶圆的边缘形成一切割区域及一剥落区域，所述切割区域及所述剥落区域与所述主体晶圆的第一表面具有高度差；以所述主体晶圆的第一表面为键合面，将所述载体晶圆与所述主体晶圆键合，所述剥落区域与所述载体晶圆之间形成一缝隙；自所述主体晶圆的所述第二表面去除部分所述主体晶圆，以第一次减薄所述主体晶圆；形成一阻挡层，所述阻挡层覆盖所述主体晶圆的侧面，并延伸至所述载体晶圆，以遮挡所述缝隙；自所述主体晶圆的第二表面湿法蚀刻所述主体晶圆...

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一主体晶圆及一载体晶圆，所述主体晶圆具有相对设置的一第一表面及一第二表面；对所述主体晶圆的第一表面的边缘进行切割，在所述主体晶圆的边缘形成一切割区域及一剥落区域，所述切割区域及所述剥落区域与所述主体晶圆的第一表面具有高度差；以所述主体晶圆的第一表面为键合面，将所述载体晶圆与所述主体晶圆键合，所述剥落区域与所述载体晶圆之间形成一缝隙；自所述主体晶圆的所述第二表面去除部分所述主体晶圆，以第一次减薄所述主体晶圆；形成一阻挡层，所述阻挡层覆盖所述主体晶圆的侧面，并延伸至所述载体晶圆，以遮挡所述缝隙；自所述主体晶圆的第二表面湿法蚀刻所述主体晶圆，以第二次减薄所述主体晶圆；在所述主体晶圆的所述第二表面制作至少一器件，形成所述图像传感器。2.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，在第一次减薄所述主体晶圆的步骤中，所述切割区域的主体晶圆也被去除，使得所述载体晶圆的边缘突出于所述主体晶圆的边缘。3.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，第一次减薄所述主体晶圆的方法为机械研磨。4.根据权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述阻挡层的步骤还包括如下步骤：在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩斌，辛君，林宗贤，吴龙江，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32