【技术实现步骤摘要】
图像传感器及形成图像传感器的方法
本公开涉及半导体
，具体来说，涉及一种图像传感器及形成图像传感器的方法。
技术介绍
图像传感器通常包括呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括至少一个光电二极管。光电二极管用于将接收的光转化为电荷。出于对图像传感器的体积或者光电二极管的电荷收集等的考虑，光电二极管通常有一个期望的厚度范围。而这些厚度范围内的光电二极管，有时不能完全吸收入射的光。这些未被吸收的光会穿过光电二极管到达其他部件，例如，位于光电二极管之下的金属互连层等。到达金属互连层的光很容易被金属互连件反射。如果穿过第一像素单元的光电二极管的光被金属互连件反射到第二像素单元并被第二像素单元中的光电二极管吸收，就会引起光学串扰。因此，存在对新技术的需求。
技术实现思路
本公开的目的之一是提供一种新的图像传感器及形成图像传感器的方法。根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，包括第一像素单元，所述第一像素单元包括：形成在半导体材料层中的光电二极管；设置在所述半导体材料层之下的电介质层；以及形成在所述电介质层中的用于将穿过所述半导体材料层的光引导到所述光电二极管的导光件...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括第一像素单元，所述第一像素单元包括：形成在半导体材料层中的光电二极管；设置在所述半导体材料层之下的电介质层；以及形成在所述电介质层中的用于将穿过所述半导体材料层的光引导到所述光电二极管的导光件，所述导光件的远离所述半导体材料层的底表面被配置为将从所述导光件内部到达所述底表面的光反射回所述导光件内部，所述导光件的侧表面被配置为将从所述导光件内部到达所述侧表面的光反射回所述导光件内部。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括第一像素单元，所述第一像素单元包括：形成在半导体材料层中的光电二极管；设置在所述半导体材料层之下的电介质层；以及形成在所述电介质层中的用于将穿过所述半导体材料层的光引导到所述光电二极管的导光件，所述导光件的远离所述半导体材料层的底表面被配置为将从所述导光件内部到达所述底表面的光反射回所述导光件内部，所述导光件的侧表面被配置为将从所述导光件内部到达所述侧表面的光反射回所述导光件内部。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述导光件的至少靠近所述侧表面的部分的折射率大于所述电介质层的靠近所述侧表面的部分的折射率。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述电介质层包括第一电介质材料，所述导光件包括第二电介质材料，所述第二电介质材料的折射率大于所述第一电介质材料的折射率。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：翟仁杰，内藤达也，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。