图像传感器及其制作方法技术

本发明专利技术适用于图像传感器技术领域，提供一种图像传感器及其制作方法，通过依次排列的微透镜层、平坦层、彩色滤光片层、电路层、外延层以及衬底，所述外延层内设有多个光电二极管，所述光电二极管包括第一结深和第二结深，所述拜耳阵列彩色滤光片层中的每个彩色滤光片对应一个光电二极管，不同种颜色的所述彩色滤光片所对应的所述光电二极管的第一结深和第二结深的深度均不相同，该图像传感器减少相邻像素的光学串扰同时减弱彩色滤光片透光引起的光学串扰的问题。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制作方法
本专利技术属于图像传感器
，特别涉及一种图像传感器及其制作方法。
技术介绍
目前，如图1所示，图像传感器包括填充层和平坦层5、金属层4、电路层3以及硅衬底2，硅衬底2中设有光电二极管7和电隔离槽8，金属层4中设有光隔离层6，该光隔离层6用于禁止光线透过，在对图像传感器进行光照时，经过每个光电二极管7上方的光线由于光隔离层6的存在，只能照射到该像素上的光电二极管7上，而不能串扰到邻近其他的像素上去，经过金属层4反射的光线也不能照射到光电二极管7上，能这样就达到了减少光学串扰的目的。上述图像传感器主要通过采用光隔离层减少光学串扰，但是制作光隔离层不仅工艺复杂，还会占用通孔面积使像素的填充因子减少，并且不能减弱彩色滤光片本身透光所引起的光学串扰。综上所述，现有技术中的图像传感器使用光隔离层减少像素光学串扰的方法存在制作工艺复杂以及无法实现减弱彩色滤光片透光引起的像素光学串扰的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种图像传感器及其制作方法，旨在解决现有技术中图像传感器使用光隔离层减少像素光学串扰的方法存在的制作工艺复杂以及无法实现减弱彩色滤光片透光引起的像本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括依次排列的微透镜层、平坦层、彩色滤光片层、电路层、外延层以及衬底，所述外延层内设有多个光电二极管，所述光电二极管包括第一结深和第二结深，所述彩色滤光片层中的每个彩色滤光片对应一个光电二极管，不同颜色的所述彩色滤光片所对应的所述光电二极管的第一结深和第二结深的深度均不相同。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括依次排列的微透镜层、平坦层、彩色滤光片层、电路层、外延层以及衬底，所述外延层内设有多个光电二极管，所述光电二极管包括第一结深和第二结深，所述彩色滤光片层中的每个彩色滤光片对应一个光电二极管，不同颜色的所述彩色滤光片所对应的所述光电二极管的第一结深和第二结深的深度均不相同。2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管中的所述第一结深位于所述第二结深中，并且所述第二结深的深度大于第一结深的深度。3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，每个所述光电二极管的第一结深的深度在第一结深排列顺序中的位置与其第二结深的深度在第二结深排列顺序中的位置相同，其中，第一结深排列顺序为所有所述光电二极管的第一结深的深度的排列顺序，第二结深排列顺序为所有所述光电二极管的第二结深的深度的排列顺序。4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述彩色滤光片层中的蓝色滤光片对应的光电二极管的第一结深的深度位于所述第一结深排列顺序中的最小位置；所述蓝色滤光片对应的光电二极管的第二结深的深度位于所述第二结深排列顺序中的最小位置。5.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述彩色滤光片层中的红色滤光片对应的光电二极管的第一结深的深度位于所述第一结深排列顺序中的最大位置；所述红色滤光片对应的光电二极管的第二结深的深度位于所述第二结深排列顺序中的最大位置。6.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述彩色滤光片层中的红色滤光片对应的光电二极管的第一结深的深度、绿色滤光片对应的光电二极管的第一结深的深度以及蓝色滤光片对应的光电二极管的第一结深的...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢勇，郭先清，刘坤，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44