自组装磁存储记忆体制造技术

自组装磁存储记忆体，其特征在于，包括记忆体本体（1），所述记忆体本体（1）包括圆盘形硬盘衬底（101），所述硬盘衬底（101）一其圆心为中心，设有若干条环形轨道凹槽（1011），所述轨道凹槽（1011）中设有二氧化硅纳米球（1012）阵列，所述二氧化硅纳米球（1012）接触空气的表面设有铁铂薄膜层（1201）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供自组装磁存储记忆体，包括记忆体本体，记忆体本体包括圆盘形硬盘衬底，硬盘衬底一其圆心为中心，设有若干条环形轨道凹槽，轨道凹槽中设有二氧化硅纳米球阵列，二氧化硅纳米球接触空气的表面设有铁铂薄膜，形成铁铂纳米点阵。本技术的自组装磁存储记忆体，最大限度地降低了磁畴间的耦合效应；在满足高磁记录密度条件的同时兼具环境稳定性的优越性。【专利说明】自组装磁存储记忆体
本技术涉及超高密度磁存储
，尤其涉及一种高密度垂直磁存储，高密度离散介质存储的自组装磁存储记忆体。
技术介绍
计算机中的信息操作是建立在二进制基础上的。这反映在基础层面上便是计算机磁盘中的两种不同磁畴磁化方向，分别对应“O”和“ I ”。自计算机问世以来，磁记录就一直面临着在保证存储稳定性的前提下，不断提升存储密度的问题。磁盘中每一块均匀磁化的区域称为一个磁畴，对应一个字节。因此，磁畴尺寸的大小就直接决定了磁盘的存储密度。目前市场上普遍应用的磁记录技术密度约为100Gb/inch2,相应的磁畴特征尺寸约lOOnm。从物理层面上讲，相邻磁畴间的耦合效应是限制磁存储密度进一步提高的一个理论瓶颈。也即，本文档来自技高网...

【技术保护点】
自组装磁存储记忆体，其特征在于，包括记忆体本体（1），所述记忆体本体（1）包括圆盘形硬盘衬底（101），所述硬盘衬底（101）一其圆心为中心，设有若干条环形轨道凹槽（1011），所述轨道凹槽（1011）中设有二氧化硅纳米球（1012）阵列，所述二氧化硅纳米球（1012）接触空气的表面设有铁铂薄膜层（1201）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐永兵，杨阳，
申请(专利权)人：江苏海纳磁性纳米新材料科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：