磁存储器器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 相关申请的交叉引用 W02] 本申请要求于2014年7月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No. 10-2014-0097535的优先权，该申请的全部内容W引用方式并入本文中。
本专利技术构思的示例实施例设及一种半导体器件，并且具体地说，设及一种磁存储 器器件。
技术介绍
由于对快速度和低功耗操作的电子装置的需求增加，用于运种电子装置的半导体 器件必须在低操作电压下快速操作。已经提出了一种满足该需求的磁存储器器件。例如， 磁存储器器件可提供诸如低延时和非易失性的技术优点。结果，磁存储器器件被看作是新 兴的下一代存储器器件。 阳〇化]磁存储器器件可包括磁隧道结（MTJ)。MTJ可包括两个磁性层和介于它们之间的 隧道势垒层。MTJ的电阻可根据磁性层的磁化方向而变化。例如，与磁性层的磁化方向平行 时相比，当磁性层的磁化方向反向平行时，MTJ的电阻可更高。运种电阻的差异可用于将数 据存储在磁存储器器件中。然而，仍然需要更多的研究W能够有效和可靠地批量生产磁存 储器器件。
技术实现思路
本专利技术构思的示例实施例提供了一种高度集成的磁存储器器件。 本专利技术构思的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造磁存储器器件的方法，包括步骤：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以将第二磁性层的一部分暴露出来；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的暴露出来的部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：姜信在，朴钟撤，裴丙才，权载奭，申铉受，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR