垂直磁记录介质及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种进一步低噪声化并提高了SN比等性能，能够实现高密度磁记录的垂直磁记录介质。在垂直磁记录介质中，在非磁性基板上依次至少叠层有第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层，上述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成，并且上述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及搭载于各种磁记录装置中的垂直磁记录介质。更详细而言，涉及搭载于用作计算机、AV设备等的外部存储装置的硬盘驱动器中的能够实现高密度磁记录的垂直磁记录介质。
技术介绍
近年来，用作硬盘驱动器(HDD)的磁记录介质，采用垂直磁记录方式作为进一步实现磁记录的高密度化的技术。其层结构为例如在非磁性基体上依次叠层基底层、磁记录层、保护膜、液体润滑层而形成。垂直磁记录方式中，垂直磁记录介质中所记录的记录位(recorded bits),因邻接的记录位的反磁场的影响,具有越是高记录密度、剩余磁化强度的大小越稳定的优点。其结果，垂直磁记录介质也能够实现优良的耐热波动性。于是，研究了各种使垂直磁记录介质的记录密度进一步高密度化的方法。例如在被称为双层垂直磁记录介质的方法中，使用在基底层与基板之间具有软磁衬里层的介质。在双层垂直磁记录介质中，由于软磁衬里层使从磁头产生的磁场急剧地集中，所以磁场梯度减小，减少了信号的写入扩散的影响(例如，参照《垂直磁気記録O最新技術》(垂直磁记录的最新技术)中村广久主编CMC Publishing C0., LTD.出版(2007)第127-131页(非专利文献I)等)。此外，为了实现垂直磁记录介质的进一步的高记录密度，研究了磁性晶粒的细微化、其分离性的提高、以及作为磁性层的易磁化轴的c轴的取向分散△ Θ 50的减少等，提出了以下所示的具有各种层结构的垂直磁记录介质。例如，日本特开2008-34060号公报公开了包括软磁衬里层、以NiCr、NiCu为主要成分的具有fee结构的取向控制基底层和包含具有hep结构的垂直磁化膜的记录层的垂直记录介质(参照专利文献I) 。此外，日本特开2008-34060号公报中公开了在取向控制基底层中进一步添加Fe、Al、Rh、Pd、Ag、Pt和Au中的至少一种,在取向控制基底层的下侧使用以Ta、W、Mo中的至少一种为主要成分的非磁性非晶层，以及，在取向控制基底层与记录层之间使用包含Ru合金或Ti中的一种的取向控制中间层。此外在日本特开2010-44842号公报中，公开了在基板上至少具有衬里层、取向控制层、磁记录层和保护层的磁记录介质，其中，取向控制层具有至少具有籽晶层(seedlayer)和中间层的叠层结构，籽晶层配置在比中间层更靠基板一侧，并且籽晶层中具有以Cu为主要成分的Cu-Ti合金层(参照专利文献2)。此外公开了中间层以含有RiuRe或它们的合金中的至少任何一种的合金材料为主要材料，并具有hep结构。进而，公开了通过使中间层双层化而同时实现晶体取向和细微化。日本特开2002-358617号公报公开了在非磁性基体上依次具有基底层、磁记录层、保护层、液体润滑层的垂直磁记录介质，其特征在于基底层含有非磁性NiFeCr (参照专利文献3)。进而，记载了在基底层与磁记录层之间，包括含有CoCr、CoCrB、Ru、Pd的非磁性材料中的任意材料的中间层。此外，日本特开2003-168207号公报中，公开了在非磁性基体上依次具有软磁衬里层、中间层、CoCr类合金层的磁性层、保护层和液体润滑层的垂直磁记录介质，磁性层包括颗粒(granular)结构的第一磁性层和非颗粒结构的第二磁性层(参照专利文献4)。进而，中间层由具有hep结构的含有T1、Re、Ru、Os中的至少一种金属的合金构成。日本特开2005-196898号公报公开了在非磁性基体上依次叠层有籽晶层、基底层、磁记录层和被覆层的垂直磁记录介质，磁记录层具有由不同材料构成的磁性层叠层而成的结构(参照专利文献5)。此外分别公开了使用NiFe合金或对NiFe至少添加了 B、S1、Nb、Mo中的任何一种的合金、或者使用Co或对Co至少添加了 B、S1、Nb、Mo、Fe、Ni中的任何一种的合金作为籽晶层，而且公开了例如使用T1、Zr、Ru、Zn、Tc、Re等hep结构的金属、或Cu、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、N1、Co等fee结构的金属作为基底层。在日本特开2006-277950号公报中，公开了在非磁性基体上依次叠层有软磁衬里层、中间层、CoCr类合金层的磁性层、保护层和液体润滑剂层的垂直磁记录介质，其中，磁性层包括颗粒结构的第一磁性层和非颗粒结构的第二磁性层(参照专利文献6)。此外，公开了中间层包含具有hep晶体结构的T1、Re、Ru、0s中的任意金属、或含有T1、Re、Ru、0s中至少一种金属的合金。在日本特开2008-84413号公报中，公开了在基板上具有软磁衬里层、FeCoB籽晶层、fee结构的晶体取向控制层、非磁性基底层和磁记录层的磁记录介质，该晶体取向控制层由含有N1、Fe、Co、Cu、Rh、Ir、Pd、Pt、Al、Au和Ag中至少一种元素的合金形成(参照专利文献7)。在日本特许第4224804号公报中，还公开了在非磁性基体上依次至少叠层有基底层、磁记录层、保护膜和液体润滑材料层的垂直磁记录介质的制造方法，其中，在包含Ru或Ruff > RuTi > RuAl > RuCu> RuSi > RuC> RuB> RuCoCr等至少含有Ru的合金的基底层下方,进一步设置NiFe等Ni基合金的籽晶层(参照专利文献8)。进而，公开了使用被称为颗粒层的以CoCrPt合金为微粒且具有使SiO2和TiO2等氧化物在微粒界面偏析得到的结构的磁记录层。另一方面，在日本特表2010-518536号公报中，公开了包括含有非晶Ta的籽晶层、含有Ni和W的非磁性fee合金基底层、非磁性hep基底层以及磁性层的垂直磁记录介质，并说明了使用RuCr3tl基底层作为hep基底层(参照专利文献9)。此外，公开了优选从介质中尽可能减少Ru、Pt这样的贵金属元素。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-34060号公报专利文献2:日本特开2010-44842号公报专利文献3:日本特开2002-358617号公报专利文献4:日本特开2003-168207号公报专利文献5:日本特开2005-196898号公报专利文献6:日本特开2006-277950号公报专利文献7:日本特开2008-84413号公报专利文献8:日本特许第4224804号公报专利文献9:日本特表2010-518536号公报非专利文献非专利文献1:《垂直磁记录的最新技术》中村广久主编CMC Publishing C0.，LTD.出版(2007)第 127-131 页
技术实现思路
专利技术所要解决的课题像这样提出了多种为了使垂直磁记录介质的记录密度提高的技术。但是，垂直磁记录介质的特性依赖于所叠层的各层的成分、组成和叠层顺序等各事项，在以往提出的技术中，不能说使这些各事项全部得到优化，所以介质特性有利有弊。因此，近年来，要求进一步改善垂直磁记录介质的特性。为了通过垂直磁记录介质的信号输出的增大和噪声的降低来实现高信噪比(SN比)，需要尽可能减小磁记录层的取向分散。进而，为了磁记录介质的低噪声化，需要缩小磁记录层的晶体粒径。另一方面，可知籽晶层或中间层具有控制在其上形成的磁记录层的结晶度、取向性和晶体粒径等的功能，影响磁记录层的特性。因此，为了减小磁记录层材料的晶体粒径，缩小籽晶层或中间层的晶体粒径是有效的。但是，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.06.03 JP 2011-1250661.种垂直磁记录介质，其在非磁性基板上依次至少叠层有第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层，该垂直磁记录介质的特征在于: 所述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成，并且所述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。2.权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于: 所述CoCrRuff合金中，Cr量为14.5at.%以上且25.5at.%以下，Ru量为4.5at.%以上且20.5at.%以下，W量为4.5at.%以上且8.5at.%以下，并且剩余部分为Co。3.权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于: 所述磁记录层包含颗粒...

【专利技术属性】
技术研发人员：安宅丰路，竹野入俊司，渡边贞幸，大山浩永，穗积康彰，高桥学士，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：
国别省市：