本发明专利技术的热辅助磁记录介质，具备：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的磁性层，磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，基底层由下述层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于硬盘装置(HDD )等的热辅助磁记录介质和使用了该热辅助磁记录介质的磁记录再生装置。本申请基于在2012年I月31日在日本提出的专利申请2012-019185号要求优先权，将其内容援引于本申请中。
技术介绍
近年来，对磁记录介质照射近场光等将表面局部地加热，使该磁记录介质的矫顽力降低进行写入的热辅助记录，作为能够实现ITbit/英寸2级的面记录密度的下一代记录方式受到关注。在使用该热辅助记录的情况下，即使是室温下的矫顽力为数十kOe的磁记录介质，也可通过现有磁头的记录磁场容易地进行写入。因此，在热辅助磁记录介质中，磁性层可使用具有IO6JAi3程度的高的晶体磁各向异性(Ku)的材料，可以在维持热稳定性的状态下将磁性粒径微细化到6nm·以下。作为这样的高Ku材料，已知例如具有Lltl型的晶体结构的FePt合金(Ku:约7X 106J/m3)和具有LI。型的晶体结构的CoPt合金(Ku:约5X 106J/m3)坐寸ο然而，为了使FePt合金有序化(规则化)并取得Lltl结构，需要将基板温度加热到60(T70(TC以上。但是，从玻璃基板的耐热性的观点出发，希望基板温度设定为约600°C以下。上述有序化温度可以通过向FePt添加第三元素来降低。例如，在非专利文献I中记载了，通过向FePt添加Cu，可以大幅度地降低上述的有序化温度。另外，在非专利文献2中记载了，通过除了 Cu以外还添加Ag、Au，可以降低上述的有序化温度。现有技术文献非专利文献I:Appl.Phys.Lett.80，2147 (2002)非专利文献2:J.Appl.Phys.92，6104 (2002)
技术实现思路
如上述那样，为使用于热辅助磁记录介质的FePt合金或CoPt合金有序化并取得Ll0结构，需要将基板加热到60(T70(TC以上。另外，上述的有序化温度可以通过向FePt合金添加Cu、Ag、Au等的第三元素来降低。但是，该情况下，会招致Ku的降低。此外，在添加了第三元素的情况下，与该第三元素的浓度分布相伴，矫顽力分散AHc/Hc增大。因此，需要不向FePt合金或CoPt合金添加第三元素而将上述的有序化温度降低到作为玻璃基板的耐热温度的600°C以下。 另外,在热辅助磁记录介质的磁性层使用FePt合金或CoPt合金的情况下,这些合金膜需要在取得有序度高的Lltl结构的同时，设为使(001)面与基板面平行的取向。为使FePt合金采取(001)取向，优选在(100 )取向了的MgO基底层上形成该FePt合金。已知MgO通常通过在玻璃基板上直接形成或在Ta等的基底层上形成来取得(100)取向。但是，为了实现良好的(100)取向，优选将该MgO基底层的厚度设定为IOnm以上，但从生产效率的观点出发，希望MgO基底层的厚度为5nm以下，优选为3nm以下。此外，从抑制微粒产生的观点出发，优选MgO基底层较薄。因此，需要形成厚度为3nm以下、并且显示良好的(100 )取向的MgO基底层。本专利技术是鉴于这样的现有状况而提出的，其目的是提供有序化温度低、可将MgO基底层的膜厚降低到5nm以下的热辅助磁记录介质、以及具备这样的热辅助磁记录介质的磁记录再生装置。本专利技术提供以下的方案。(1) —种热辅助磁记录介质,其特征在于,具备:基板；在上述基板上形成的基底层；和在上述基底层上形成的磁性层，上述磁性层含有具有LlO结构的合金作为主成分，上述基底层由下述层构成:第I基底层，该第I基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成;第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃(A )以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。(2)根据上述(I)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第I基底层由非磁性或磁化强度为 100emu/cc 以下的 NiTa、NiT1、CoTa、CoT1、CrTa、CrT1、CoCrZr、CoCrTa 合金构成。(3)根据上述(I)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第2基底层，由以Cr为主成分、含有选自T1、V、Mo、W、Ru、Mn之中的至少一种元素的合金构成。(4)根据上述(I)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第2基底层，由以Cr为主成分、含有选自T1、V、Mo、W、Ru、Mn之中的至少一种元素、并且含有选自B、S1、C之中的至少一种元素的合金构成。(5)根据上述(I)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第2基底层的晶格常数为2.98埃以下。(6)根据上述(I)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第3基底层，由含有选自V、Mo、W、Ta、Nb之中的至少一种元素的合金构成。(7)根据上述(I)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第3基底层，由含有选自V、Mo、W、Ta、Nb之中的至少一种元素、并且含有选自Cr、Mn、Ru、Ti之中的至少一种元素的合金构成。(8)根据上述(I)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第3基底层，由Mo或W金属构成。(9)根据上述(I)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述第3基底层的晶格常数比上述第2基底层的晶格常数大。(10)根据上述(I)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，在第I基底层和第2基底层之间、或者基板和第I基底层之间，形成有由以Co或Fe为主成分、含有选自Ta、B、S1、Zr、Al、C之中的至少一种元素的软磁性合金构成的基底层。 (11)根据上述(I)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，上述磁性层，由以具有Ll0结构的FePt或CoPt合金为主成分，并且含有选自Si02、TiO2, Cr2O3> A1203、Ta2O5, ZrO2,Y2O3> CeO2、MnO、TiO、ZnO, C之中的至少一种的氧化物或元素的合金构成。(12)根据上述(I)所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，具备在上述磁性层上形成的盖层(帽层，caplayer),上述盖层，由以Co、Ni或Fe为主成分、并且磁各向异性比上述磁性层低的合金构成。(13) 一种磁记录再生装置，其特征在于，具备:上述(I)所述的热辅助磁记录介质；将上述热辅助磁记录介质沿记录方向驱动的介质驱动部；针对上述热辅助磁记录介质进行记录动作和再生动作的磁头，其具有对上述热辅助磁记录介质进行加热的激光发生部和将从上述激光发生部发生的激光引导到前端部的波导；使上述磁头相对于上述热辅助磁记录介质进行相对移动的磁头移动部；和用于进行向上述磁头输入信号和从上述磁头再生输出信号的记录再生信号处理系统。 根据本专利技术的热辅助磁记录介质，能够实现有序化温度低、将MgO基底层(第4基底层)的膜厚降低到5nm以下的热辅助磁记录介质。因此，通过应用这样的热辅助磁记录介质，可以提供大容量的磁记录再生装置。附图说明图1是表示第I实施例中制作的热辅助磁记录介质的层构成的一例的截面图。图2是表示第I实施例中制作的热辅助磁记录介质的X射线衍射光谱的图。图3是表示第2实施例中制作的热辅助磁记录介质的层构成的一例的截面图。图4是表示第3实施例中制作的热辅助磁记录介质的层构成的一例的截面图。图5是表示在第4实施例中制作的本实施例介本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种热辅助磁记录介质，其特征在于，具备：基板；在所述基板上形成的基底层；和在所述基底层上形成的磁性层，所述磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，所述基底层由下述层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
【技术特征摘要】
2012.01.31 JP 019185/20121.一种热辅助磁记录介质，其特征在于，具备: 基板； 在所述基板上形成的基底层；和 在所述基底层上形成的磁性层， 所述磁性层含有具有LlO结构的合金作为主成分， 所述基底层由下述层构成: 第I基底层，该第I基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成； 第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成； 第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和 第4基底层，该第4基底层由MgO构成。2.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第I基底层由非磁性或磁化强度为 100emu/cc 以下的 NiTa、NiT1、CoTa、CoT1、CrTa、CrT1、CoCrZr、CoCrTa 合金构成。3.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第2基底层，由以Cr为主成分、含有选自T1、V、Mo、W、Ru、Mn之中的至少一种元素的合金构成。4.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第2基底层，由以Cr为主成分、含有选自T1、V、 Mo、W、Ru、Mn之中的至少一种元素、并且含有选自B、S1、C之中的至少一种元素的合金构成。5.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第2基底层的晶格常数为2.98埃以下。6.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第3基底层，由含有选自V、Mo、W、Ta、Nb之中的至少一种元素的合金构成。7.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质，其特征在于，所述第3基...
【专利技术属性】
技术研发人员：神边哲也，桥本笃志，福岛隆之，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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