【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于硬盘装置(HDD )等的热辅助磁记录介质和使用了该热辅助磁记录介质的磁记录再生装置。本申请基于在2012年I月31日在日本提出的专利申请2012-019185号要求优先权,将其内容援引于本申请中。
技术介绍
近年来,对磁记录介质照射近场光等将表面局部地加热,使该磁记录介质的矫顽力降低进行写入的热辅助记录,作为能够实现ITbit/英寸2级的面记录密度的下一代记录方式受到关注。在使用该热辅助记录的情况下,即使是室温下的矫顽力为数十kOe的磁记录介质,也可通过现有磁头的记录磁场容易地进行写入。因此,在热辅助磁记录介质中,磁性层可使用具有IO6JAi3程度的高的晶体磁各向异性(Ku)的材料,可以在维持热稳定性的状态下将磁性粒径微细化到6nm·以下。作为这样的高Ku材料,已知例如具有Lltl型的晶体结构的FePt合金(Ku:约7X 106J/m3)和具有LI。型的晶体结构的CoPt合金(Ku:约5X 106J/m3)坐寸ο然而,为了使FePt合金有序化(规则化)并取得Lltl结构,需要将基板温度加热到60(T70(TC以上。但是,从玻璃基板的耐热性的观点 ...
【技术保护点】
一种热辅助磁记录介质,其特征在于,具备:基板;在所述基板上形成的基底层;和在所述基底层上形成的磁性层,所述磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分,所述基底层由下述层构成:第1基底层,该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成;第2基底层,该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成;第3基底层,该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成;和第4基底层,该第4基底层由MgO构成。
【技术特征摘要】
2012.01.31 JP 019185/20121.一种热辅助磁记录介质,其特征在于,具备: 基板; 在所述基板上形成的基底层;和 在所述基底层上形成的磁性层, 所述磁性层含有具有LlO结构的合金作为主成分, 所述基底层由下述层构成: 第I基底层,该第I基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成; 第2基底层,该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成; 第3基底层,该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成;和 第4基底层,该第4基底层由MgO构成。2.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质,其特征在于,所述第I基底层由非磁性或磁化强度为 100emu/cc 以下的 NiTa、NiT1、CoTa、CoT1、CrTa、CrT1、CoCrZr、CoCrTa 合金构成。3.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质,其特征在于,所述第2基底层,由以Cr为主成分、含有选自T1、V、Mo、W、Ru、Mn之中的至少一种元素的合金构成。4.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质,其特征在于,所述第2基底层,由以Cr为主成分、含有选自T1、V、 Mo、W、Ru、Mn之中的至少一种元素、并且含有选自B、S1、C之中的至少一种元素的合金构成。5.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质,其特征在于,所述第2基底层的晶格常数为2.98埃以下。6.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质,其特征在于,所述第3基底层,由含有选自V、Mo、W、Ta、Nb之中的至少一种元素的合金构成。7.根据权利要求1所述的热辅助磁记录介质,其特征在于,所述第3基...
【专利技术属性】
技术研发人员:神边哲也,桥本笃志,福岛隆之,
申请(专利权)人:昭和电工株式会社,
类型:发明
国别省市:
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