用于热辅助磁记录（HAMR）介质的下层制造技术

本发明专利技术提供热辅助磁记录（HAMR）介质的多个实施例，包含：磁记录层；设置在磁记录层下方的势垒层；设置在势垒层下方的第一下层；以及设置在第一下层下方的非结晶籽晶层。对于一些实施例，记录介质可以包含：包括FePt合金、CoPt合金或FePd合金的磁记录层；包括MgO、TiC、TiN、CrN、TiCN、β-WC、TaC、HfC、ZrC、VC、NbC或NiO的势垒层；包括RuAl氧化物、NiAl、FeAl、AlMn、CuBe或AlRe的第一下层；或包括Cr-X合金的非结晶籽晶层，其中X包含Al、B、C、Cu、Hf、Ho、Mn、Mo、Ni、Ta、Ti、V、W或Ru。

【技术实现步骤摘要】
用于热辅助磁记录（HAMR）介质的下层
本专利技术涉及磁盘驱动器的领域，并更具体涉及用于磁盘驱动器的热辅助磁记录介质。
技术介绍
对于全部类型的衬底，磁记录介质已开始致力于结合垂直磁记录（PMR）技术以增加面密度，并且现在在向800Gbits/in2（千兆字节/平方英寸）的面密度发展。一般地，PMR介质可以分成两个主要功能区：软磁下层（SUL）和磁记录层（RL）。图1说明具有记录头101的常规垂直磁记录盘驱动器系统，该记录头101包括后写入极102和磁性耦合到该写入极102的前返回（相反）极103。导电磁化线圈104围绕写入极102的磁轭。相反极103的底部具有的表面积基本超过写入极102尖端的表面积。当磁记录盘105旋转经过记录头101时，电流经过线圈104从而在写入极102内产生磁通量。磁通量经过磁盘105从写入极102通过并穿过相反极103从而在PMR层150中记录。SUL110使得源自后写入极102的磁通量能够以低阻抗返回到前相反极103。通常，高面密度通常通过在PMR层中良好隔离的较小颗粒实现。通常需要较高的磁晶各向异性常数（Ku）从而抵抗垂直几何形状的去磁效应并保持较小颗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记录介质，包含：磁记录层；设置在所述磁记录层下方的势垒层；设置在所述势垒层下方的第一下层；以及设置在所述第一下层下方的非结晶籽晶层。

【技术特征摘要】
2012.05.23 US 13/479,2171.一种记录介质，包含：磁记录层；设置在所述磁记录层下方的势垒层，所述势垒层由TiC构成；设置在所述势垒层下方的第一下层；以及设置在所述第一下层下方的非结晶籽晶层；其中所述磁记录层包含FePd合金；其中所述第一下层包含RuAl氧化物、AlMn、CuBe或AlRe。2.根据权利要求1所述的记录介质，进一步包含设置在所述非结晶籽晶层下方的热沉层。3.根据权利要求1所述的记录介质，进一步包含设置在所述第一下层和所述非结晶籽晶层之间的第二下层，其中所述第二下层包含RuAl合金。4.根据权利要求1所述的记录介质，其中所述磁记录层具有L10晶体结构。5.根据权利要求1所述的记录介质，其中所述FePd合金是FePd-XY合金，其中X包含Cr2O3、SiO2、TiO2、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Nb2O5、V2O5、MgO、MnO、WO3或HfO2，并且其中Y包含Ni、Cu、Ag、Mn、B或C。6.根据权利要求1所述的记录介质，其中所述非结晶籽晶层包含Cr-X合金，其中X包含Al、B、C、Cu、Hf、Ho、Mn、Mo、Ni、Ta、Ti、V、W或Ru。7.根据权利要求1所述的记录介质，其中所述记录介质包括在包含外壳的记录装置中，所述外壳含有记录头和所述记录介质，所述记录头...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·元，A·阿詹，A·S·切尼兽夫，B·R·阿查亚，
申请(专利权)人：西部数据传媒公司，
类型：发明
国别省市：