一种光源单元、使用该光源单元的热辅助磁记录头、以及用于光源单元的光源。一种光源单元，包括基板、安装在基板上的光源。所述光源包括：发射前向光的第一发射部，所述前向光在振荡状态下为激光；位于与所述第一发射部相反的一侧且发射后向光的第二发射部，所述后向光在振荡状态下为激光；以及与所述第一发射部和所述第二发射部位于不同位置的漏光部。光源还包括设置于所述基板上的光检测器，其中所述光检测器具有用于检测从所述漏光部泄漏的漏出光的光接收表面。
【技术实现步骤摘要】
本申请基于2015年2月6日递交的申请号为2015-022513的日本专利申请，并请求其优先权，其所有公开的内容在此通过引用并入本文。
本专利技术涉及一种光源单元、使用该光源单元的热辅助磁记录头、以及用于光源单元的光源，尤其涉及所述光源单元的光检测器的布置。
技术介绍
就增大硬盘装置的记录密度方面而言提高薄膜磁头性能的需求一直都存在。磁性记录介质是由磁性细微颗粒的集合体组成的不连续介质，每个磁性细微颗粒都具有单一磁畴结构。磁性记录介质上的每个记录比特(bit)是由多个磁性细微颗粒组成的。为了增加记录密度，需要降低相邻记录比特之间边界的粗糙度。要实现这一降低，需要减小磁性细微颗粒的尺寸。另一方面，小的细微颗粒的磁化，即小体积的磁性细微颗粒，会导致热稳定性的降低。这一问题的有效解决方式为增加磁性细微颗粒的各向异性能。然而，磁性细微颗粒的高各向异性能提高了磁性记录介质的矫顽力(coercivity)，使得通过现有的磁头很难记录信息。所谓的热辅助磁记录正是被推荐为解决这一问题的方法。这一方法允许使用具有高矫顽力的磁性记录介质。当记录信息时，磁场和热同时被施加到磁性记录介质的待记录信息的区域，从而提高了所述区域的温度。如此一来，在矫顽力被降低的区域，磁场能够使信息被记录。在下文中，用于热辅助磁记录的磁头将被称为热辅助磁记录头。专利号为8,687,469的美国专利中公开的热辅助磁记录头包括磁头滑动件和光源单元，所述磁头滑动件在磁性记录介质上记录信息，所述光源单元固定至磁头滑动件并向磁头滑动件提供激光。所述光源具有安装至基板的边射型激光二极管。所述边射型激光二极管从面向所述磁头滑动件的表面发射激光(前向光)，并且同时从背表面发射激光(后向光)。所述磁头滑动件具有近场光发生装置。所述近场光发生装置传播从光源发出的前向光，并且在空气支承表面(air bearing surface)产生近场光。所述近场光发生装置包括用于传播前向光的波导件(waveguide)和用于产生所述近场光的等离振子(plasmon)发生器。所述等离振子发生器容易达到高温，从而不仅仅对自身造成损坏，还会对围绕在所述等离振子发生器周围的介电体造成损坏、破裂等。因此需要适当地控制前向光的输出。专利号为8,687,469的美国专利和专利号为JP2013-62468A的日本专利中公开了一种光源单元，其在激光二极管的背表面侧上具有光检测器。由于前向光和后向光之间的光强度比值是预先知晓的，所以通过测量后向光的光强度来控制前向光的光强度是可行的。专利号为8,687,469的美国专利和专利号为JP2013-62468A的日本专利中公开的光检测器设置在基板上，与激光二极管(下文中称作“光源”)存在一个预定距离，以便检测后向光。因此，所述基板需要具有对于光源和串联安装在光源上的光检测器而言的特定尺寸，且难以实现紧凑的光源单元。相应地，减少光源单元的重量也变得困难。即使光检测器被设置在单独的基板上，由于还需要用于光检测器的另一个基板，减少光源的重量仍然很困难。硬盘设备包括一个沿着磁性记录介质的径向旋转的臂，并且磁头滑动件被安装在臂的前端。因此，光源单元重量的增加对臂的旋转性能有较大的影响。本专利技术的目的在于提供一种可容易制得紧凑的光源单元。
技术实现思路
本专利技术的光源单元包括基板、安装在基板上的光源。所述光源包括：发射前向光的第一发射部，所述前向光在振荡状态下为激光；位于与所述第一发射部相反的一侧且发射后向光的第二发射部，所述后向光在振荡状态下为激光；以及与所述第一发射部和所述第二发射部位于不同位置的漏光部。所述光源还包括位于所述基板上的光检测器，其中所述光检测器具有用于检测从所述漏光部泄漏的漏出光的光接收表面。本专利技术中，取代检测后向光的光强度，而是检测从漏光部泄漏的漏出光。因为漏出光的强度与前向光强度相关，所以可通过检测漏出光来估算前向光的强度。可在光源附近检测从漏光部泄漏的漏出光。因此，光检测器可设置得比在常规示例中更靠近光源，并且可实现紧凑的光源单元。如上所述，根据本专利技术，可提供一种可容易制得紧凑的光源单元。附图说明图1是硬盘设备的头臂组件的立体图；图2是热辅助磁记录头的立体图；图3是所述热辅助磁记录头的横断面图；图4是光源(激光二极管)的横断面图；图5A-5D是显示各种类型的漏出光和漏出光发生的位置的示意图；图6A是根据第一实施例的光源单元的平面图；图6B和6C是根据第一实施例的所述光源单元的横断面图；图7A是根据第二实施例的光源单元的平面图；图7B和7C是根据第二实施例的所述光源单元的横断面图；图8A是根据第三实施例的光源单元的平面图；图8B和8C是根据第三实施例的所述光源单元的横断面图；图9A是根据第四实施例的光源单元的平面图；图9B和9C是根据第四实施例的所述光源单元的横断面图；图10是示例中所使用的光源单元的平面图；图11A是显示示例中施加到激光二极管上的电流与光输出特性之间关系的图表；以及图11B-11E是显示示例中施加到激光二极管上的电流与光检测器的输出电流之间关系的图表。具体实施方式(第一实施例)包含本专利技术的光源单元的热辅助磁记录头应用于硬盘设备。图1是显示硬盘设备的头臂组件的立体图。头臂组件119包括头万向节组件115和头万向节组件115安装在其上的臂103。头万向节组件115包括热辅助磁记录头1和弹性地支撑热辅助磁记录头1的悬置部(suspension)105。悬置部105包括由不锈钢制成且为片弹簧形状的负载梁116、设置在负载梁116一端的挠曲件(flexure)117以及设置在负载梁116另一端的118底板。热辅助磁记录头1与挠曲件117结合，且被给予一个适中的自由度。底板118被安装在臂103的一端。在臂103的另一端，安装有线圈106，线圈106是构成音圈电动机的一部分。支承部121被设置在臂103的中间部分。臂103通过安装在支承部121上的轴122被可旋转地支撑，并在磁记录介质14的横过轨迹(cross-track)方向x驱动热辅助磁记录头1。图2是热辅助磁记录头的整体立体图。图3是所述热辅助磁记录头沿着图2中的A-A线切割的横断面图。图4是图3所示热辅助磁记录头的放大横断面图。热辅助磁记录头1包括磁头滑动件2和固定至磁头滑动件2的光源单元31。磁头滑动件2大致上为六面体状，并且其中的一个表面形成了面向磁记录介质14的空气支承表面S。磁头滑动件2包含MR(Magneto Resistive，磁阻)元件4、磁记录元件5和近场光发生装置41。磁记录元件5包括用于记录的记录磁极10。近场光发生装置41以传播光的形式传播从光源单元31发射的激光，并且由该传播光
在空气支承表面S上产生近场光。记录磁极10被设置为邻近近场光发生装置41，且其一端位于空气支承表面S上。这些元件设置在基板3上。光源单元31面向磁头滑动件2的与空气支承表面S相反的表面。光源单元31朝着磁头滑动件2的波导件17在垂直于空气支承表面S的方向发射激光。光源单元31通过结合层(bonding layer)37与磁头滑动件2连接。磁头滑动件2包含MR元件4，所述MR元件4具有位于空气支承表面S上的外露前端部。磁头滑动件2具有上屏蔽层8和下屏蔽层9，二者相对于堆积本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光源单元，包括：基板；安装至所述基板的光源，其中所述光源包括：发射前向光的第一发射部，所述前向光在振荡状态下为激光，位于与所述第一发射部相反的一侧且发射后向光的第二发射部，所述后向光在振荡状态下为激光，以及与所述第一发射部和所述第二发射部位于不同位置的漏光部；以及设置于所述基板上的光检测器，其中所述光检测器具有用于检测从所述漏光部泄漏的漏出光的光接收表面。
【技术特征摘要】
2015.02.06 JP 2015-0225131.一种光源单元，包括：基板；安装至所述基板的光源，其中所述光源包括：发射前向光的第一发射部，所述前向光在振荡状态下为激光，位于与所述第一发射部相反的一侧且发射后向光的第二发射部，所述后向光在振荡状态下为激光，以及与所述第一发射部和所述第二发射部位于不同位置的漏光部；以及设置于所述基板上的光检测器，其中所述光检测器具有用于检测从所述漏光部泄漏的漏出光的光接收表面。2.如权利要求1所述的光源单元，其特征在于：所述漏光部位于所述光源的面向基板表面上，其中所述面向基板表面面向所述基板，并且所述光检测器的光接收表面的至少一部分面向所述漏光部。3.如权利要求2所述的光源单元，其特征在于：所述漏光部包括沿着所述面向基板表面的第一侧延伸的第一漏光部，所述第一侧靠近所述第一发射部；并且所述漏光部包括沿着所述面向基板表面的第二侧延伸的第二漏光部，所述第二侧靠近所述第二发射部，并且当在垂直于所述基板的方向观察时，所述光检测器的光接收表面的至少一部分与所述第一漏光部或所述第二漏光部重叠。4.如权利要求2所述的光源单元，其特征在于：所述漏光部包括沿着所述面向基板表面的第三侧延伸的第三漏光部，其中所述第三侧与所述基板接触表面的第一侧和第二侧两者相交，所述第一侧靠近所述第一发射部，所述第二侧靠近所述第二发射部，并且当在垂直于所述基板的方向观察时，所述光检测器的光接收表面的至少一部分与所述第三漏光部重叠。5.如权利要求3或4所述的光源单...
【专利技术属性】
技术研发人员：本田隆，高山清市，藤井隆司，岛泽幸司，野间亚树，永井义辉，
申请(专利权)人：新科实业有限公司，TDK株式会社，罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国香港;81
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