【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及信息记录磁盘驱动单元，尤其涉及一种硬盘驱动器中的具有自旋扭矩振荡器(sto)的微波辅助磁记录(mamr)磁头滑块(slider)的保护层体结构。
技术介绍
1、磁盘驱动器(hdd)是常用的信息存储装置。随着hdd的记录密度的增大，急需改善磁头和磁记录介质的性能，在hdd中，嵌入在滑块内的磁头在磁记录介质的表面上飞行以进行数据的读写操作。
2、为了实现安装在硬盘装置中的磁头的更高记录密度，需要窄化写磁道间距和比特。空气轴承表面的主磁极的表面积随着记录密度的增大而显著地减小。随着磁极在传统磁头中以这种方式变窄，记录场变小，并且高于特定记录密度，就不再可能实现写入所需的记录场。为了解决这种问题，一种高频磁场辅助记录方法(mamr：微波辅助磁记录)已被提出。区别于传统磁头，该mamr磁头在主磁极上或者在主磁极附近形成微波振荡器(自旋扭矩振荡器，sto)，当直流电施加到sto上使其上的铁磁层产生高频振荡辅助磁场，高频磁场被施加于记录介质以降低介质的矫顽力，并且在这种状态下，记录场被应用于介质以记录数据。
3、该mamr磁头常在高温环境下运行，因此其写头的热稳定性、抗氧化性能、耐腐蚀等性能亟待提高，以延长mamr磁头使用寿命。
技术实现思路
1、本专利技术的一个目的在于提供一种具有保护层体的装置，其可靠性高且使用寿命长。
2、本专利技术的另一个具体目的在于提供一种改善的mamr磁头滑块，其具有保护层体结构，从而获得良好的热稳定性、抗氧化性能、耐
3、本专利技术的另一具体目的在于提供一种磁头折片组合，mamr磁头可靠性高且使用寿命长。
4、本专利技术的另一具体目的在于提供一种磁盘驱动单元，mamr磁头可靠性高且使用寿命长。
5、为了实现上述目的，本专利技术提供一种具有保护层体的装置，包括：衬底；形成在所述衬底上的种子层；以及形成在所述种子层上的类金刚石碳(dlc)层；其中，所述种子层为氮化硅(sin)层，所述氮化硅层中氮的含量为9％-17％。
6、本专利技术提供一种微波辅助磁记录(mamr)磁头滑块，包括滑块衬底，所述滑块衬底内嵌有具有旋转扭矩振荡器的mamr磁头，还包括：形成在所述滑块衬底上的种子层；以及形成在所述种子层上的类金刚石碳(dlc)层；其中，所述种子层为氮化硅(sin)层，所述氮化硅层中氮的含量为9％-17％。
7、较佳地，所述氮化硅层的厚度范围为更佳地，所述氮化硅层的厚度为
8、较佳地，所述类金刚石碳层的厚度范围为更佳地，所述类金刚石碳层的厚度为
9、较佳地，所述氮化硅层具有与所述类金刚石碳层相邻的第一界面以及与所述衬底相邻的第二界面，所述第二界面上的氮含量高于所述第一界面上的氮含量。
10、更佳地，由所述第二界面至所述第一界面，所述氮化硅层中氮的含量递减。
11、本专利技术还提供一种磁头折片组合，包括如上所述的微波辅助磁记录(mamr)磁头滑块以及用于支撑所述mamr磁头滑块的悬臂件。
12、本专利技术还提供一种磁盘驱动单元，包括：具有如上所述的微波辅助磁记录(mamr)磁头滑块及支撑所述mamr磁头滑块的悬臂件的磁头折片组合；与所述磁头折片组合连接的驱动臂；一系列的磁盘以及用于旋转所述磁盘的主轴马达。
13、与现有技术相比，本专利技术的mamr磁头滑块具有形成在滑块衬底上的种子层以及形成在种子层上的dlc层，其中，该种子层为sin层，sin层中氮的含量为9％-17％，优选地，sin层的厚度范围为sin层作为滑块衬底和表层的dlc层之间的中间层，具有良好的粘接力，而且，优化的、特定的氮含量和特定的厚度，使得作为种子层的sin层和作为表层的dlc层具有良好的热稳定性和抗氧化性能，从而进一步提高mamr磁头的可靠性并延长mamr磁头的使用寿命，相应也延长磁盘驱动单元的使用寿命。本专利技术的具有保护层体的装置还适于其他形式的半导体或非半导体的产品使用。
14、通过以下的描述并结合附图，本专利技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本专利技术的实施例。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种具有保护层体的装置，包括：
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述氮化硅层的厚度范围为
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述类金刚石碳层的厚度范围为
5.如权利要求4所述的装置，其特征在于：所述类金刚石碳层的厚度为
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述氮化硅层具有与所述类金刚石碳层相邻的第一界面以及与所述衬底相邻的第二界面，所述第二界面上的氮含量高于所述第一界面上的氮含量。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于：由所述第二界面至所述第一界面，所述氮化硅层中氮的含量递减。
8.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述衬底包括以下一种或多种物质：玻璃、蓝宝石、陶瓷、聚合物、金属或金属氧化物。
9.一种微波辅助磁记录(MAMR)磁头滑块，包括滑块衬底，所述滑块衬底内嵌有具有旋转扭矩振荡器的MAMR磁头，其特征在于还包括：形成在所述滑块衬底上的种子层；以及形成在所述种子层上的类金刚石碳(DLC)层；其
10.如权利要求9所述的磁头滑块，其特征在于：所述氮化硅层的厚度范围为
11.如权利要求10所述的磁头滑块，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为
12.如权利要求9所述的磁头滑块，其特征在于：所述类金刚石碳层的厚度范围为
13.如权利要求12所述的磁头滑块，其特征在于：所述类金刚石碳层的厚度为
14.如权利要求9所述的磁头滑块，其特征在于：所述氮化硅层具有与所述类金刚石碳层相邻的第一界面以及与所述衬底相邻的第二界面，所述第二界面上的氮含量高于所述第一界面上的氮含量。
15.如权利要求14所述的磁头滑块，其特征在于：由所述第二界面至所述第一界面，所述氮化硅层中氮的含量递减。
16.一种磁头折片组合，包括微波辅助磁记录(MAMR)磁头滑块以及用于支撑所述MAMR磁头滑块的悬臂件，其特征在于：所述MAMR磁头滑块如权利要求9-15任一项所述。
17.一种磁盘驱动单元，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种具有保护层体的装置，包括：
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述氮化硅层的厚度范围为
3.如权利要求2所述的装置，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述类金刚石碳层的厚度范围为
5.如权利要求4所述的装置，其特征在于：所述类金刚石碳层的厚度为
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述氮化硅层具有与所述类金刚石碳层相邻的第一界面以及与所述衬底相邻的第二界面，所述第二界面上的氮含量高于所述第一界面上的氮含量。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于：由所述第二界面至所述第一界面，所述氮化硅层中氮的含量递减。
8.如权利要求1所述的装置，其特征在于：所述衬底包括以下一种或多种物质：玻璃、蓝宝石、陶瓷、聚合物、金属或金属氧化物。
9.一种微波辅助磁记录(mamr)磁头滑块，包括滑块衬底，所述滑块衬底内嵌有具有旋转扭矩振荡器的mamr磁头，其特征在于还包括：形成在所述滑块衬底上的种子层；以及形成在所述种子层上的类...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺达尧，黄蓉，李华，黄坚辉，刘鹏，
申请(专利权)人：新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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