【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种存储器及其操作方法、存储器系统。
技术介绍
1、存储器如动态随机存取存储器(dram，dynamic random access memory)装置可通过将电荷存储到存储单元的电容器来存储数据。由于存储在电容器中的电荷会随着时长的增加而泄漏，因此动态随机存取存储器需要周期性地执行刷新(refresh)。实际应用中，数据被周期性地重写入电容器中。随着存储器设备的制造工艺按比例缩小，字线之间的间隔减小，一条字线中的电压分布可能导致连接到与所述一条字线相邻的字线的存储单元的电荷增加。当一条字线被密集访问时，可能出现其中存储在连接到相邻字线的存储单元中的数据由于所述一条字线的激活状态的电压而丢失的行锤现象(row hammer effect)。
技术实现思路
1、为解决现有存在的技术问题，本公开实施例提出一种存储器及其操作方法、存储器系统。
2、本公开实施例提供了一种存储器，包括：
3、寄存器，用于标志存储阵列中是否存在行锤行，若存在所述行锤行，则进入行锤刷新模式；以及用于标志所述行锤刷新模式中的任一刷新类型，所述行锤刷新模式包括至少两种刷新类型；
4、刷新管理模块，用于读取所述寄存器的标志位，若所述标志位表征所述寄存器标志存在所述行锤行之后，则基于行激活命令包含的行地址以及所述寄存器标志的所述刷新类型获取所述行锤行对应的受害行，以及对所述受害行进行刷新。
5、上述方案中，所述刷新类型至少包括第一类型、第二类型、
6、所述第一类型中的受害行为与所述行锤行相邻的行；
7、所述第二类型中的受害行为与所述行锤行次相邻的行；
8、所述第三类型中的受害行为与所述行锤行相邻的行和次相邻的行。
9、上述方案中，所述刷新管理模块，用于在基于所述刷新类型进行刷新之前，检测所述刷新类型对应的每一受害行在预设时长内是否被刷新，若部分所述受害行已被刷新，则对剩余所述受害行进行刷新，所述预设时长小于数据保持时长。
10、上述方案中，所述存储器用于接收存储控制器发送的行锤刷新指令，以及根据所述行锤刷新指令，将所述寄存器的相应标志位置于第一值，所述第一值表征所述存储阵列中存在所述行锤行；或者，
11、所述存储器还包括计数器，所述计数器，用于对单位时段内存储器接收的行激活命令对应的不同行地址进行分别计数；当任一所述行地址的计数值超出预设值时，将所述寄存器的相应标志位置于所述第一值。
12、上述方案中，所述存储器，用于在所述刷新管理模块对所述受害行进行刷新后，将所述寄存器的相应标志位置于第二值，所述第二值表征退出所述行锤刷新模式；
13、刷新管理模块，用于读取所述寄存器的标志位，若所述标志位表征退出所述行锤刷新模式之后，则基于行激活命令对相应的行进行激活。
14、本公开实施例提供了一种存储器系统，所述存储器系统包括一个或多个如上述方案中所述的存储器；以及
15、存储控制器，用于检测所述存储器中是否存在行锤行；若存在所述行锤行，则向所述存储器发送行锤刷新指令。
16、本公开实施例提供了一种存储器的操作方法，包括：
17、读取寄存器的标志位，所述标志位用于标志存储阵列中是否存在行锤行，若存在所述行锤行，则进入行锤刷新模式；以及用于标志所述行锤刷新模式中的任一刷新类型，所述行锤刷新模式包括至少两种刷新类型；
18、若所述标志位表征所述寄存器标志存在所述行锤行之后，则基于行激活命令包含的行地址以及所述寄存器标志的所述刷新类型获取所述行锤行对应的受害行；以及
19、对所述受害行进行刷新。
20、上述方案中，所述方法还包括：配置所述刷新类型；所述配置所述刷新类型，包括：
21、至少根据相邻字线的间距以及所述行锤行在单位时段内的被访问次数，确定所述刷新类型；以及
22、将确定的所述刷新类型对应的值存储在所述寄存器的相应标志位上。
23、上述方案中，所述刷新类型至少包括第一类型、第二类型、第三类型，其中：
24、所述第一类型中的受害行为与所述行锤行相邻的行；
25、所述第二类型中的受害行为与所述行锤行次相邻的行；
26、所述第三类型中的受害行为与所述行锤行相邻的行和次相邻的行。
27、上述方案中，确定所述刷新类型包括：
28、根据相邻字线的间距，确定第一预设次数；
29、若所述行锤行在所述单位时段内的被访问次数超过所述第一预设次数且未超过第二预设次数，则确定所述刷新类型为所述第一类型；其中，所述第二预设次数大于所述第一预设次数的两倍；
30、若所述行锤行在所述单位时段内的被访问次数超过所述第二预设次数，则确定所述刷新类型为所述第一类型、所述第二类型或所述第三类型之一。
31、上述方案中，确定所述刷新类型还包括：
32、若所述行锤行在所述单位时段内的被访问次数超过所述第二预设次数，则判断与所述行锤行相邻的行或与所述行锤行次相邻的行在预设时长内是否被刷新，所述预设时长小于数据保持时长；
33、若与所述行锤行相邻的行均被刷新，则确定所述刷新类型为所述第二类型；
34、若与所述行锤行次相邻的行均被刷新，则确定所述刷新类型为所述第一类型；
35、若与所述行锤行相邻的行至少部分未被刷新，以及与所述行锤行次相邻的行至少部分未被刷新，则确定所述刷新类型为所述第三类型。
36、本公开实施例中，刷新管理模块通过寄存器的刷新模式标志位确定存储阵列中是否存在行锤行，若存在行锤行，再根据寄存器的刷新类型标志位获取执行刷新的刷新类型，之后基于行激活命令中的包含的行地址，以及刷新类型确定受害行的行地址，最后对受害行进行刷新，以改善受害行的行锤现象。可以理解的是，由于受害行地址是基于行激活命令中的包含的行地址直接得到的，不需要查询存储器内部物理映射关系，从而本公开实施例中执行的行锤刷新方法具有较好的适应性；同时受害行是根据刷新类型有针对性的确定得到的，基于此，本公开实施例中执行的行锤刷新更有针对性、更加精确。
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1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述刷新类型至少包括第一类型、第二类型、第三类型，其中：
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器用于接收存储控制器发送的行锤刷新指令，以及根据所述行锤刷新指令，将所述寄存器的相应标志位置于第一值，所述第一值表征所述存储阵列中存在所述行锤行；或者，
5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器，用于在所述刷新管理模块对所述受害行进行刷新后，将所述寄存器的相应标志位置于第二值，所述第二值表征退出所述行锤刷新模式；
6.一种存储器系统，其特征在于，所述存储器系统包括一个或多个如权利要求1至5中任一项所述的存储器；以及
7.一种存储器的操作方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述方法还包括：配置所述刷新类型；所述配置所述刷新类型，包括：
9.根据权利要求8所述的存储器的操作方法，其特征在于，所述刷新类
10.根据权利要求9所述的存储器的操作方法，其特征在于，确定所述刷新类型包括：
11.根据权利要求10所述的存储器的操作方法，其特征在于，确定所述刷新类型还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述刷新类型至少包括第一类型、第二类型、第三类型，其中：
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器用于接收存储控制器发送的行锤刷新指令，以及根据所述行锤刷新指令，将所述寄存器的相应标志位置于第一值，所述第一值表征所述存储阵列中存在所述行锤行；或者，
5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器，用于在所述刷新管理模块对所述受害行进行刷新后，将所述寄存器的相应标志位置于第二值，所述第二值表征退出所述行锤刷新模式；<...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵北游，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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