【技术实现步骤摘要】
本申请涉及存储器，特别是涉及一种存储阵列失效检测方法、装置、计算机设备、存储介质。
技术介绍
1、存储器件制造工艺精巧复杂，尤其在电容的极板制程过程容易出现缺陷，引起上下极板漏电的现象，从而影响电容器件的性能。
2、目前，在对存储器件进行检测时，难以将电容极板漏电的问题进行良好检测。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种存储阵列失效检测方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品，能够对电容极板漏电的问题进行良好检测。
2、一种存储阵列失效检测方法，包括：
3、对所述存储阵列中的目标存储单元的第一电容极板施加第一电压，且对其第二电容极板施加第二电压，所述第二电压大于第一电压；
4、对所述目标存储单元写入高电平的第一数据；
5、对所述目标存储单元进行读取，获取第二数据；
6、当所述第二数据不等于第一数据时，则所述目标存储单元的电容器失效。
7、在其中一个实施例中，所述方法还包括：
...
【技术保护点】
1.一种存储阵列失效检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，所述第一电压为0V，所述第二电压为1.1V-1.5V。
5.根据权利要求1所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，所述目标存储单元连接目标位线，
6.根据权利要求5所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的存储阵列失效检测方法，其特征
...
【技术特征摘要】
1.一种存储阵列失效检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，所述第一电压为0v，所述第二电压为1.1v-1.5v。
5.根据权利要求1所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，所述目标存储单元连接目标位线，
6.根据权利要求5所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，采用y-page写操作方式对所述存储阵列写入高电平的第一数据。
9.根据权利要求1所述的存储阵列失效检测方法，其特征在于，对所述目标存储单元写入高电平的第一数据之后，且在对所述目标存储单元进行读取，获取第二数据之前，包括：
10.一种存储阵列失效检测装置，其特征在于，包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：楚西坤，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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