热辅助磁记录的优化记录条件制造技术

一种装置，包括控制器，该控制器被配置为将写入配置(WC)应用到热辅助磁记录头以对记录介质写入数据。该记录介质包括多个扇区。该控制器被进一步配置为针对该多个扇区的每一个确定优化的WC并对该多个扇区中的一个开始写入操作。此写入操作被配置为通过利用优化的WC的该头对相应的扇区执行。

【技术实现步骤摘要】

技术实现思路
本公开的装置包括控制器，该控制器被配置为将写入配置(WC)应用到热辅助磁记录头以对记录介质写入数据。记录介质包括多个扇区。控制器被进一步配置为针对多个扇区的每一个确定优化的WC且对多个扇区中的一个开始写入操作。写入操作被配置为由利用优化的WC的头对相应的扇区执行。本公开的方法包括为记录介质的多个扇区中的每一个确定优化的写入配置(WC)以利用热辅助磁记录头执行写入操作。本公开的另一个装置包括控制器，该控制器被配置为将写入配置(WC)应用到热辅助磁记录头以对记录介质写入数据。记录介质包括多个扇区。控制器被进一步配置为针对多个扇区的每一个确定优化的WC并对多个扇区中的一个开始写入操作。优化的WC包括用于最小化记录介质的多个扇区的每一个的三轨误码率(triple track bit error rate)的WC，且写入操作被配置为对相应的扇区利用优化的WC来执行。以上
技术实现思路
并不旨在描述每个实施例或每种实现方式。通过参照以下结合附图的具体实施方式以及权利要求书，更完整的理解将变得明显且可被认识到。附图说明图1示出HAMR滑块的示例。图2示出读/写头配置的示例。图3A示出具有识别的轨道和扇区的盘的示例。图3B示出理想的轨道轮廓。图3C示出实际的轨道轮廓。图4是轨道的扇区上的误码率(BER)的变化的示图。图5是邻近轨道的BER的变化的示图。图6、6A和7是示出根据多种示例实施例的基于扇区的激光二极管电流(SB-LDI)写入方法的流程图。图8-9是将基于轨道的激光二极管电流(TB-LDI)写入与SB-LDI写入相比较的示图。这些附图不一定按比例绘制。附图中使用的相同数字表示相同部件。然而，将理解在给定附图中使用数字来指代部件不旨在限制用另一附图中同一数字标记的部件。具体实施方式在热辅助磁记录(HAMR)(也称为热学辅助磁记录(TAMR))中，热能与应用到磁记录介质(例如，硬盘)的磁场结合使用以克服限制了传统磁介质的面数据密度的超顺磁效应。在HAMR记录中，以升高的温度将信息位记录在存储层上。存储层中的加热面积确定数据位尺寸并且线性记录密度由数据位之间的磁转变来确定。为了获得期望的数据密度，HAMR记录头(也被称为HAMR滑块)包括光学组件，该光学组件将光能从能量源引导、集中且转换为记录介质上的热量。HAMR滑块的示例配置在图1中示出。HAMR滑块100包括能量源102，例如激光二极管，配置为产生用于激励近场换能器(NFT)106的光学天线112的激光。能量源102所产生的激光经由光波导110引导至NFT 106。头介质接触面(HMI)(也被称为空气承载表面(ABS))用项目编号108来指示。在图2中，框图示出根据示例实施例的滑块200的截面图。如图所示，波导202从能量源接收电磁能量204，此能量耦合到近场换能器(NFT)206。NFT206由金属(例如，银、金、铜等)制成，响应于施加的能量204而获得表面等离子体共振。NFT 206定形(shape)并传输此能量以在介质214的表面210上创建小热点208。响应于施加的电流，磁写极216导致面向滑块的表面218的介质附近的磁通量变化。当热点208沿下行轨道(downtrack)方向(z方向)移动经过写极216时，来自写极216的通量改变了热点208的磁取向。施加到NFT 206以创建热点的能量204可导致局部区域中的显著温度上升。如此，NFT206可包括散热器220以将一些热量吸走到例如写极216或其他附近的热导组
件。在HAMR中，磁属性和热属性确定优选的写入配置(下文中的“WC”)(LDI Iop/LDI-OSA/LDI-OSD/Iw/OSA/OSD/加热器设置等)以获得最佳性能。通常，HAMR驱动器期望地以WC工作，该WC产生可接受的三轨BER。在一个配置中，HAMR激光二极管电流写入方法包括基于轨道的激光二极管电流(TB-LDI)写入方法，其中整个轨道由固定的LDI以WC来写入。此写入方法假设轨道上均匀的优选的LDI。然而，HAMR介质可显示轨道上的非均匀性，也被称为一次一圈(once around，OAR)。对于具有OAR问题的介质，TB-LDI写入方法可导致不均匀的轨道轮廓以及不均匀的三轨BER。通常，盘的材料分布可导致盘内的变化，可以是热学变化或磁性变化，如此，期望针对这些变化而调节。参考图3A-3C可更好地理解轨道轮廓中的变化。图3A示出具有轨道302和多个扇区304的简化磁记录介质300。图3B表示当使用TB-LDI写入方法时对于轨道302和扇区304的理想轨道轮廓，具有均匀的写入宽度(WW)。图3C示出当使用TB-LDI写入方法时对于轨道302和扇区304的实际轨道轮廓。如图所示，WW可在单次回转上显著地变化，导致不均匀的三轨BER。图4通过单个轨道的多个扇区上的三轨BER的变化的示图进一步例证了上述变化。在TB-LDI写入方法中，对于具有OAR的磁介质，同一轨道上的扇区必须平衡(compromise)BER以在固定的LDI Iop下共同工作。因此，轨道上的三轨BER不在最佳值处。此外，在多次写入之后，相邻轨道对BER的影响显示轨道上不均匀性，或OAR(在10次写入之后观察到相邻的OAR，如图5所示)。由于更宽的写入宽度，相邻轨道对BER的影响对于需要比固定IOP更少的IOP的扇区可以是每十个单位差0.5(见图5)。图5是当磁介质具有OAR问题时，在中心轨道的0到1000次写入之后，相邻轨道的轨道上三轨BER的示图。为了获得来自给定介质的最佳三轨BER，且为了减小相邻轨道影响OAR效应，本专利技术公开了一种基于扇区的WC(SB-WC)写入方法。方法通常包括寻找优化的WC，针对记录介质的多个扇区的每一个确定优选的优化WC，以及当HAMR头对扇区写入时调节HAMR头的WC。在SB-WC中，可扫描任意WC参数(下文中的“WCP”)，例如，将影响HAMR写入的任何参数，包括
但不限于激光二极管工作电流(LDI Iop)、磁写入电流(Iw)、激光二极管电流的过冲(over shoot)幅度(LDI-OSA)、激光二极管电流的过冲持续时间(LSI-OSD)、磁写入电流的过冲幅度(OSA)、磁写入电流的过冲持续时间(OSD)等。可选择优化单个WCP或多个WCP，每次优化一个WCP。LDI是HAMR中最独特的WCP之一。在以下方法600中，SB-LDI写入被给出作为SB-WC写入的明显示例。可用相应SB-WC写入的其他WCP在方法600中替换Iop。参考图6的流程图示出了方法600。在SB-LDI写入方法600中，对于给定的介质轨道，轨道的每个扇区通过相应的IOP来写入，相应的IOP允许每个扇区产生最佳的三轨BER。图6和6A中示出的方法使用多种字母标识符以供参考，包括下列字母标识符：(1)j是轨道编号；(2)m是介质上的轨道的总数；(3)k是扇区编号；(4)n是轨道j上的扇区的总数；以及(5)i是计数器。按照方法600，轨道编号j被建立为等于一(602)。然后对于包含元素集[1,n]的所有扇区k(604)，i被设定为等于一(606)。随后，利用工作电流IOP(i-1,j)对每个轨道j、j-1和j+1写入，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：控制器，配置为将写入配置(WC)应用到热辅助磁记录头以对记录介质写入数据，所述记录介质包含多个扇区，其中所述控制器被配置为：针对所述多个扇区的每一个确定优化的WC；以及对所述多个扇区中的一个开始写入操作，其中所述写入操作被配置为由利用优化的WC的头对相应的扇区执行。

【技术特征摘要】
2015.02.17 US 14/624,0891.一种装置，包括：控制器，配置为将写入配置(WC)应用到热辅助磁记录头以对记录介质写入数据，所述记录介质包含多个扇区，其中所述控制器被配置为：针对所述多个扇区的每一个确定优化的WC；以及对所述多个扇区中的一个开始写入操作，其中所述写入操作被配置为由利用优化的WC的头对相应的扇区执行。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，优化的WC包括多个写入配置参数(WCP)，所述多个写入配置参数最小化了所述记录介质的多个扇区的每一个的三轨误码率。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，优化的WC包括单个WCP，所述单个WCP最小化了所述记录介质的多个扇区的每一个的三轨误码率。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述控制器被配置为储存对所述多个扇区的每一个的优化的WC的查找表。5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，经由对应于所述多个扇区的每一个的角度参数和半径参数对所述查找表做索引。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述扇区的每一个包括基于伺服契的扇区或基于数据的扇区。7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个扇区的每一个的材料属性变化，且其中优化的WC响应于所述材料属性的变化。8.一种方法，包括：为记录介质的多个扇区中的每一个确定优化的写入配置(WC)以利用热辅助磁记录头执行写入操作。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，优化的WC包括优化的激光二极管电流(LDI)。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，优化的LDI包括最小化所述记录介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：马敏洁，E·C·盖琦，高凯中，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US