垂直磁记录介质及磁存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种垂直磁记录介质及磁存储装置。一种垂直磁记录介质，包括非磁性衬底；垂直磁性层，其设在所述非磁性衬底的上方；以及保护层，其设在所述垂直磁性层上。所述垂直磁性层具有六角密积结构、并包括多个堆叠的层，该多个堆叠的层具有相对于所述非磁性衬底的表面平行取向的(0002)晶面。所述垂直磁性层的多个堆叠的层中的最上层包括多晶体晶粒，所述多晶体晶粒选自CoCr基合金、CoPt基合金、CoCrPt基合金、及CoPtCr基合金构成的组。所述保护层与所述垂直磁性层的所述最上层接触，并且所述保护层包括单一石墨烯层或石墨烯层叠体、以及非晶碳层。所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体与所述多晶体晶粒的(0002)晶面平行结合。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种垂直磁记录介质及磁存储装置。
技术介绍
在用于HDD(HardDiskDrive：硬盘驱动器)等的磁记录介质的领域中，记录密度显著持续提高。最近记录密度正在以每年大约1.5倍以上的速率增加。用于提高记录密度的核心技术之一包括对磁头与磁记录介质之间的滑动接触特性进行控制的技术。另一方面，温彻斯特(Winchester)式HDD采用CSS(ContactStartStop：接触启动停止)系统，在该CSS系统中磁头从启动到结束的基本操作包括相对于磁记录介质的滑动接触、浮起、及滑动接触。磁头相对于磁记录介质的滑动接触是不可避免的，并包括发生偶发的滑动接触的情况。因此，关于磁头与磁记录介质之间摩擦的问题是固有的需要解决的技术问题。因此，通过在磁记录介质的磁性层上形成保护层来提高磁记录介质的耐磨损性和耐滑动接触性是确保磁记录介质可靠性的常用方法之一。关于保护层，已经提出了各种材料。从易沉积、耐久性等观点来看，保护层主要采用碳。由于保护层的硬度、密度、摩擦动态系数等参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直磁记录介质，包括：非磁性衬底；垂直磁性层，其设在所述非磁性衬底的上方；以及保护层，其设在所述垂直磁性层上，其中，所述垂直磁性层具有六角密积结构、并包括多个堆叠的层，该多个堆叠的层具有相对于所述非磁性衬底的表面平行取向的(0002)晶面，所述垂直磁性层的多个堆叠的层中的最上层包括多晶体晶粒，所述多晶体晶粒选自CoCr基合金、CoPt基合金、CoCrPt基合金、及CoPtCr基合金构成的组，所述保护层与所述垂直磁性层的所述最上层接触，并且所述保护层包括单一石墨烯层或石墨烯层叠体、以及非晶碳层，所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体与所述多晶体晶粒的(0002)晶面平行结合。

【技术特征摘要】
2014.11.26 JP 2014-2383941.一种垂直磁记录介质，包括：
非磁性衬底；
垂直磁性层，其设在所述非磁性衬底的上方；以及
保护层，其设在所述垂直磁性层上，其中，
所述垂直磁性层具有六角密积结构、并包括多个堆叠的层，该多个堆叠的层具有
相对于所述非磁性衬底的表面平行取向的(0002)晶面，
所述垂直磁性层的多个堆叠的层中的最上层包括多晶体晶粒，
所述多晶体晶粒选自CoCr基合金、CoPt基合金、CoCrPt基合金、及CoPtCr基合
金构成的组，
所述保护层与所述垂直磁性层的所述最上层接触，并且所述保护层包括单一石墨
烯层或石墨烯层叠体、以及非晶碳层，
所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体与所述多晶体晶粒的(0002)晶面平行结合。
2.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，
所述垂直磁性层的最上层具有非颗粒结构。
3.根据权利要求2所述的垂直磁记录介质，其中，
所述保护层的所述石墨烯层叠体包括堆叠的2层以上10层以下的石墨烯层。
4.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，
所述保护层的所述石墨烯层叠体包括堆叠的2层以上10层以下的石墨烯层。
5.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，
所述保护层的所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体被掺杂有氮。
6.根据权利要求2所述的垂直磁记录介质，其中，
所述保护层的所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体被掺杂有氮。
7.根据权利要求4所述的垂直磁记录介质，其中，
所述保护层的所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体被掺杂有氮。
8.一种磁存储装置，包括：
垂直磁记录介质；以及
磁头，其对所述垂直磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川浩太，鹈饲高广，山川荣进，圆谷志郎，境诚司，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，日本原子力研究开发机构，
类型：发明
国别省市：日本;JP