用于多芯片模块的连接元件和多芯片模块制造技术

一种用于多芯片模块（10）的连接元件（1），所述连接元件设为用于实现在两个元件（11a，11b，12）之间的电连接并且所述连接元件具有承载体（2）和在所述承载体（2）的第一主面（3）上的导电的第一连接结构（5），其中所述第一连接结构（5）构成为，使得所述第一连接结构将所述第一元件和所述第二元件（11a，11b，12）彼此连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提出一种用于多芯片模块（10）的连接元件（1），所述连接元件设为用于实现在两个元件（11a，11b，12）之间的电连接并且所述连接元件具有承载体（2）和在承载体（2）的第一主面（3）上的导电的第一连接结构（5），其中第一连接结构（5）构成为，使得所述第一连接结构将第一和第二元件（11a，11b，12）彼此连接。此外，提出一种具有这种连接元件（1）和两个元件（11a，11b，12）的多芯片模块（10），其中这两个元件（11a，11b，12）借助于连接元件（1）彼此无线地电连接。【专利说明】用于多芯片模块的连接元件和多芯片模块
本申请涉及一种用于多芯片模块的连接元件，所述连接元件设为用于实现在多芯片模块的两个元件之间的电连接。此外，本申请涉及一种多芯片模块，所述多芯片模块例如是发光模块并且具有多个发射辐射的器件。
技术介绍
在例如在公开文献W002/33756A1中描述的常规的多芯片模块或发光模块中，在多芯片模块的或发光模块的两个元件之间的电连接通过这两个元件的布线来进行。接合线、所谓的线接合桥的交叉在此尽可能地被避免，以便防止短路。
技术实现思路
当前，目的在于，提出一种用于多芯片模块的改进的电布线的机构。所述目的通过根据权利要求1所述的连接元件来实现。此外，本申请的目的是，提出一种具有改进的电布线的多芯片模块。所述目的通过根据权利要求11所述的多芯片模块来实现。连接元件的和多芯片模块的有利的改进形式是从属权利要求的主题。根据一个优选的实施形式，连接元件包括承载体和导电的第一连接结构，所述第一连接结构设置在承载体的第一主面上，其中第一连接结构构成为，使得所述第一连接结构将第一和第二元件彼此连接。在此，连接部能够对角线地伸展，使得第一连接结构构成为，以至于所述第一连接结构将第一和第二元件对角线地彼此连接。那么，借助于连接元件，例如能够在多芯片模块之内设置在对角线上的两个元件之间建立电连接。在本文中，优选地，将平面的连接方法用于多芯片模块的元件的互联。多芯片模块在此设有接触接片，所述接触接片将元件彼此电连接。导电的接触接片替代常规的布线。为了使多芯片模块表面平坦，元件尤其至少部分地嵌入到浇注体中，在所述浇注体中或在所述浇注体上能够设置有接触接片。根据一个优选的变型形式，为了制造接触接片，导电的覆层尤其被整面地施加到浇注体的表面上并且被结构化成，使得元件的电连接部位通过接触接片连接。有利地，浇注体在电连接部位的区域中开口，使得导电的覆层或接触接片能够达到至电连接部位。用于连接结构和/或接触接片的适当的材料例如是Cu、Au、Ag、Al、Cr、Zn或TCO(“Transparent Conductive Oxide”,透明导电氧化物)。尤其地,连接结构和/或接触接片同时构成为是反射的。在此，连接结构和/或接触接片优选地由镀银的或镀铬的铜来形成。根据一个优选的设计方案，在本文中，多芯片模块的两个元件通过设置在这两个元件之间的连接元件来互联。尤其地，在本文中，多芯片模块的两个元件通过设置在这两个元件之间的连接元件来对角线地互联。尤其地，连接元件也至少部分地嵌入到浇注体中。此夕卜，有利地，浇注体在导电的第一连接结构的区域中具有至少一个开口，接触接片在所述开口中延伸并且接触导电的第一连接结构。根据一个有利的实施形式，连接元件具有导电的第二连接结构，其中第二连接结构构成为，使得所述第二连接结构将两个元件彼此连接。尤其可行的是，连接元件具有导电的第二连接结构，其中第二连接结构构成为，使得所述第二连接结构将两个元件对角线地彼此连接。第一或第二连接结构优选地对角线地在承载体上延伸。此外，第一和第二连接结构在承载体上尤其交叉地延伸，也就是说，相反地对角线地延伸。这意味着，两个连接结构在承载体的俯视图中交叉。例如，一个连接结构在连接结构的交叉区域中覆盖另一个连接结构，在所述交叉区域中，所述连接结构在俯视图中相交。借助于这种连接元件能够实现相互交叉的电连接部。优选地，导电的第一和第二连接结构彼此电分离。在一个优选的实施形式中，导电的第二连接结构设置在承载体的第一主面上。尤其地，导电的第一连接结构设置在承载体和导电的第二连接结构之间。有利地，连接元件具有与要连接的元件的高度相对应的高度。在高度相似或相同的情况下，元件的电连接部位和连接元件的至少一个接触部位优选地位于一个平面中，使得对于元件的布线而言没有得出任何显著的形貌问题。连接元件的横向扩展，也就是说平行于第一主面或与第一主面相对置的第二主面的扩展尤其小于要连接的元件的横向扩展。因此，连接元件在没有对多芯片模块的整体尺寸产生负面影响的情况下能够接合到要连接的元件之间。例如，连接元件在横向扩展方向上能够具有100 μ m至200 μ m的长度。在一个优选的设计方案中，连接元件具有棱柱体的外形。例如，连接元件的或承载体的两个主面构造成是矩形的并且设置成是彼此平行的。第一和第二连接结构优选地对角线地在这种承载体上延伸。用于承载体的适当的材料尤其是半导体材料、玻璃、陶瓷或塑料材料。承载体例如能够由硅、蓝宝石或在环氧树脂中浸溃的玻璃纤维垫组成的电路板材料、例如FR4形成。优选地，承载体是不导电的或是电绝缘的。此外，连接元件优选地包括至少一个绝缘层。绝缘层尤其设置在两个主面中的至少一个上。有利地，绝缘层覆盖第一和/或第二连接结构的一部分。根据一个优选的实施形式，在导电的第一和第二连接结构之间设置有绝缘层。有利地，绝缘层包含塑料材料。用于绝缘层的适当的材料例如是硅树脂、聚酰亚胺、氧化硅、氧化钛或旋涂玻璃。尤其地，绝缘层包含辐射可穿透的材料。用于制造连接元件的适当的方法在于，将导电的第一覆层、尤其是金属化部施加到承载体的第一主面上进而结构化成，使得形成导电的第一连接结构。根据一个优选的实施形式，第一连接结构具有至少一个第一接触部位和带状导线，所述带状导线尤其对角线地伸展。此外，第一连接结构IP1454140P能够具有第二接触部位，其中第一和第二接触部位尤其借助于尤其对角线地伸展的带状导线而彼此连接。相应地，第二连接结构优选地具有第一接触部位和带状导线，所述带状导线尤其对角线地延伸。此外，第二连接结构也能够具有第二接触部位，其中第一和第二接触部位尤其借助于尤其对角线地伸展的带状导线而彼此连接。在一个有利的设计方案中，第一连接结构的第一接触部位和带状导线设置在第一主面上。根据至少一个实施形式，第二连接结构的第一接触部位和带状导线也设置在第一主面上。优选地，第一连接结构的第一和第二接触部位设置在第一主面上并且第二连接结构的第一和第二接触部位设置在第一主面上。例如，第一连接结构设置在承载体和第二连接结构之间，其中这两个连接结构尤其通过绝缘层而彼此电分离。在此，能够借助于这种连接元件建立的电连接桥在两个不同的平面中伸展，所述平面尤其彼此平行地设置。在该实施形式中，为了制造第二连接结构，将导电的第二覆层、尤其是金属化部施加到绝缘层上并且结构化成，使得形成导电的第二连接结构。这两个连接结构因此通过双层金属化部来制造。根据一个替选的设计方案，第一连接结构的带状导线设置成，使得所述带状导线从承载体的第一主面延伸直至第二主面。例如，带状导线在承载体的侧面上引导，所述侧面将第一和第二主面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于多芯片模块（10）的连接元件（1），所述连接元件设为用于实现在两个元件（11a，11b，12）之间的电连接并且所述连接元件具有承载体（2）和在所述承载体（2）的第一主面（3）上的导电的第一连接结构（5），其中所述第一连接结构（5）构成为，使得所述第一连接结构将所述第一元件和所述第二元件（11a，11b，12）彼此连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：比约恩·霍克斯霍尔德，霍尔格·许布纳，阿克塞尔·卡尔滕巴赫尔，
申请(专利权)人：欧司朗股份有限公司，
类型：
国别省市：