半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置，其特征在于，包括：绝缘基板，该绝缘基板接合有半导体芯片；壳体，该壳体覆盖所述绝缘基板的接合有所述半导体芯片的面；以及控制端子，该控制端子的一个端部与所述半导体芯片电连接，另一个端部贯通所述壳体并露出至所述壳体的外侧，在所述控制端子的露出至所述壳体的外侧的部分上形成有：切除部，该切除部通过切除该露出部分的一部分而形成；以及阻止部，该阻止部通过将被所述切除部包围的残留在所述控制端子的部分进行折弯而形成，并从所述壳体的外侧与所述壳体相接触来阻止所述控制端子的移动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年来，在将例如IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极晶体管）等多个半导体芯片收纳于同一个封装内的模块型半导体装置中，半导体芯片正在向高度集成化的方向发展。因此，在模块型半导体装置中，对于与封装内的布线基板相连接的外部端子，除了接合强度、可靠性之外，对外部端子的尺寸精度也提出了一定的要求。图13是示意性地表示现有的模块型半导体装置的俯视图。此外，图14是图13的切断线AA-AA’处的剖面图。图15是图13的切断线BB-BB’处的剖面图。如图13至图15所示，现有的半导体装置100包括半导体芯片101、布线基板102、铝线103、主端子104、控制端子105、金属基底106、及树脂壳体120。树脂壳体120由盖部121与侧壁122一体成形而构成。布线基板102是通过在绝缘基板的表面上形成电路图案102a、102b而构成的基板。经由省略了图示的接合材料，半导体芯片101的背面与布线基板102的电路图案102a相接合。通过铝线103，设置于半导体芯片101的表面的省略了图示的电极与布线基板102的电路图案102b进行电连接。此外，经由接合材料111，布线基板102的电路图案102b分别与作为外部端子的主端子104及控制端子105的一端相接合。在布线基板102的背面设有金属膜102c，经由省略了图示的接合材料，该金属膜102c与金属基底106相接合。金属基底106由具有良好的热传导性的材料制作而成，将由半导体芯片101所产生的并经由布线基板102传输的热量传导至半导体装置100的外部。在金属基底106的周边粘接有树脂壳体120。主端子104的另一端及控制端子105的另一端分别贯通树脂壳体120的盖部121，并露出至树脂壳体120的外侧。在盖部121上设置有控制端子105所贯通的贯通孔121a。贯通孔121a具有与由一块板状构件形成的控制端子105的宽度及厚度相对应的尺寸，且具有大致为矩形形状的平面形状。将控制端子105中贯通盖部121的部分（下面称为贯通部）105a的宽度w111与后文中将要说明的贯通部105a的突起部105d的宽度w112相加而得到贯通孔121a的长边方向的宽度w101的尺寸。贯通孔121a的长边方向的侧部与固定在盖部121上的主端子104的并列方向相平行。在贯通孔121a的短边方向的侧部中，盖部121的露出至树脂壳体120的外侧的面（下面称为表面）的一侧上设有L字形状的阶梯部121b。在盖部121的露出至树脂壳体120的内侧的面（下面称为背面）上设有突出至布线基板102一侧的凸部121c，且该凸部121c与贯通孔121a的与设有阶梯部121b的侧部相对的侧部相连。控制端子105分别与阶梯部121b及凸部121c相接触并卡紧（固定）。具体而言，控制端子105由贯通盖部121的贯通孔121a的贯通部105a，与布线基板102的电路图案102b相接合的连接部105c，以及连接贯通部105a和连接部105c的联结部105b构成。贯通部105a、联结部105b及连接部105c均由板状构件形成。连接部105c的与连接至联结部105b的端部（下面称为上端部）相反一侧的另一端（下面称为下端部）经由接合材料111与布线基板102的电路图案102b相接合。连接部105c的平坦面与布线基板102的表面大致垂直。联结部105b在连接部105c的盖部121一侧（上端部）与连接部105c相连接，与连接部105c构成L字形状。联结部105b的平坦面与连接部105c的平坦面大致成直角，且与布线基板102的表面大致平行。并且，联结部105b与贯通部105a的布线基板102一侧的端部（下面称为下端部）相连接，与贯通部105a构成L字形状。联结部105b的平坦面与贯通部105a的平坦面大致成直角。贯通部105a的平坦面与布线基板102的表面大致垂直。与贯通部105a的下端部相反一侧的端部（下面称为上端部）从设置于盖部121上的贯通孔121a中露出至树脂壳体120的外侧。在贯通部105a的与设置于贯通孔121a的侧部的阶梯部121b相对的侧面上设有突起部105d。突起部105d呈下述形状，即贯通部105a的上端部侧较窄，且向下端部侧扩大。突起部105d的下端部与阶梯部121b的底面相接触。突起部105用于阻止控制端子105向布线基板102一侧移动。此外，联结部105b的盖部121一侧的面靠近设置于盖部121的背面的凸部121c。联结部105b用于阻止控制端子105向远离布线基板102的方向移动。接着，对在盖部121上卡紧控制端子105的方法进行说明。图16是表示现有的组装过程中的半导体装置的主要部分的说明图。在图16（a）至图16（c）中示出图14所示的半导体装置100的控制端子附近130。图16（a）示出插入贯通孔121a之前的控制端子105。图16（b）示出插入贯通孔121a时的控制端子105。图16（c）示出卡紧在盖部121上的控制端子105。在图16（a）至图16（c）所示的制造过程中的半导体装置100中，对树脂壳体120与金属基底（未图示）进行粘接处理。在图16（a）至图16（c）中尽管省略了图示，但控制端子105的连接部105c的下端部与布线基板102的电路图案102b相接合。首先，如图16（a）所示的那样，从盖部121的背面侧将控制端子105的贯通部105a插入贯通孔121a。接着，如图16（b）所示的那样，进一步将贯通部105a插入贯通孔121a，使得贯通部105a的突起部105d的部分露出至盖部121的表面一侧。由于贯通孔121a的长边方向的宽度w101的尺寸由贯通部105a的宽度w111与突起部105d的宽度w112相加而得到（w101=w111+w112），因此贯通部105a中设有突起部105d的部分也通过贯通孔121a。接着，进一步将贯通部105a插入贯通孔121a，直到与贯通部105a的下端部相连接的联结部105b的盖部121一侧的面与设置于盖部121的背面的凸部121c相接触。当联结部105b的盖部121一侧的面与凸部121c相接触时，贯通部105a的上端部露出至树脂壳体120的外侧，设置于贯通部105a的突起部105d露出至阶梯部121b的内部。之后，将控制端子105向与盖部121的表面平行的方向移动，如图16（c）所示的那样，使突起部105d的下端部与阶梯部121b的底面相接触。由此，利用突起部105d及联结部105b来阻止控制端子105的移动，从而将控制端子105卡紧在盖部121上。作为这种可分离控制端子与树脂壳体的外插结构的模块型半导体装置，提出了下述装置。盖体具有三个区块，在各区块上表面的大致中央的部位分别形成有螺母收纳凹槽。各区块利用联结部彼此相连，在各区块之间分别形成有空隙部。之后通过填充密封树脂来封闭该空隙部。在区块的侧面设有一对伸出部，在该伸出部上形成用于插入、临时固定信号端子的四个方孔。信号端子由板状材料形成，大致呈L字形状，在比竖立部的中央稍靠近上端的位置上形成膨胀部，此外，在比竖立部的中央稍靠近下端的位置上形成卡紧部。膨胀部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：绝缘基板，该绝缘基板接合有半导体芯片；壳体，该壳体覆盖所述绝缘基板的接合有所述半导体芯片的面；以及控制端子，该控制端子的一个端部与所述半导体芯片电连接，另一个端部贯通所述壳体并露出至所述壳体的外侧，在所述控制端子的露出至所述壳体的外侧的部分上形成有：切除部，该切除部通过切除该露出部分的一部分而形成；以及阻止部，该阻止部通过将被所述切除部包围的残留在所述控制端子的部分进行折弯而形成，并从所述壳体的外侧与所述壳体相接触来阻止所述控制端子的移动。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.28 JP 2011-2135741.一种半导体装置，其特征在于，包括：绝缘基板，该绝缘基板接合有半导体芯片；壳体，该壳体覆盖所述绝缘基板的接合有所述半导体芯片的面；以及控制端子，该控制端子的一个端部与所述半导体芯片电连接，另一个端部贯通所述壳体并露出至所述壳体的外侧，在所述控制端子的露出至所述壳体的外侧的部分上形成有：切除部，该切除部通过切除该露出部分的一部分而形成；以及阻止部，该阻止部通过将被所述切除部包围的残留在所述控制端子的部分进行折弯而形成，并从所述壳体的外侧与所述壳体相接触来阻止所述控制端子的移动,所述控制端子包括：贯通部，该贯通部的一个端部露出至所述壳体的外侧，且在露出至所述壳体的外侧的部分上设有所述阻止部；以及联结部，该联结部与所述贯通部的另一个端部相连并与所述贯通部正交，且具有与所述绝缘基板相平行的平坦面，所述壳体包括：盖部，该盖部配置在所述绝缘基板的接合有所述半导体芯片的面的上方；贯通孔，该贯通孔设置在所述盖部上，供所述控制端子贯通；落差部，该落差部从所述盖部的露出至所述壳体外侧的面的一侧，设置在所述贯通孔的侧部，并与所述阻止部相接触；以及凸部，该凸部设置在所述盖部的所述绝缘基板一侧的面上，并与所述联结部的平坦面相接触。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻止部具有下述结构：当在向所述切除部一侧按压的方向上对所述阻止部施加有压力时，所述阻止部被收纳于所述切除部内。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述贯通孔的开口宽度是与贯通所述贯通孔的所述控制端子的、与所述贯通孔的侧部相对的侧面的宽度相同的尺寸。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻止部与所述联结部相对于所述贯通部向彼此相反的方向突出。5.如权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高宫喜和，小平悦宏，大西一永，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：
国别省市：