导电栓塞及导电栓塞的形成方法技术

一种导电栓塞及导电栓塞的形成方法，其中，导电栓塞的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅极，栅极两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区；在半导体衬底上形成应力层和位于应力层上的层间介质层，应力层覆盖栅极、源区和漏区；在层间介质层和应力层中形成接触孔；在接触孔的侧壁形成衬垫层；形成衬垫层后，清洗接触孔，以清除在形成接触孔过程中产生的聚合物，其中衬垫层用于防止应力层在清洗接触孔过程中遭到腐蚀；在形成接触孔后，在接触孔内沉积导电材料，形成导电栓塞。衬垫层的存在，可以避免后续清洗接触孔中聚合物时的应力层遭到腐蚀，进一步使得栅极与导电栓塞不会发生接触，确保半导体器件性能良好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种导电栓塞的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极，栅极两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区；在所述半导体衬底上形成应力层和位于所述应力层上的层间介质层，所述应力层覆盖所述栅极、源区和漏区；在所述层间介质层和应力层中形成接触孔；在所述接触孔的侧壁形成衬垫层；形成所述衬垫层后，清洗所述接触孔，以清除在形成接触孔过程中产生的聚合物，其中所述衬垫层用于防止所述应力层在清洗接触孔过程中遭到腐蚀；在形成所述接触孔后，在所述接触孔内沉积导电材料，形成导电栓塞。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：韩秋华，黄敬勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31