半导体器件中形成着陆插塞接触点的方法技术

公开了一种半导体器件中形成插孔接触点（ｌａｎｄｉｎｇ　　ｐｌｕｇ　　ｃｏｎｔａｃｔｓ）的方法。该方法包括如下步骤：在衬底上形成多个栅极结构，每个栅极结构包括一个栅极硬掩模；在栅极结构上形成一个层间绝缘层；通过化学机械抛光（ＣＭＰ）工艺平坦化所述层间绝缘层，直到暴露出栅极硬掩模；在平坦化的层间绝缘层上形成一硬掩模材料；摹制所述硬掩模材料，从而形成一硬掩模；形成多个接触孔，通过使用硬掩模作为刻蚀掩模对平坦化的层间绝缘层进行刻蚀，所述接触孔暴露出所述栅极结构之间的衬底；在所述接触孔上形成多晶硅层；通过对所述多晶硅层实施平坦化工艺，形成埋入接触孔的插孔接触点，直到暴露出栅极硬掩模。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备半导体器件的方法，尤其涉及一种半导体器件中形成插孔接触点(landing plug contacts，LPC)的方法。
技术介绍
通常，一个位线和一个电容的彼此间电操作是通过一个接触点实现的，该接触点被联接到一个晶体管的源/漏结。近来，半导体器件集成规模的增加导致了导电结构之间的空间距离的变窄，例如导电结构栅电极，因此导致了接触工艺的余量(margin)缩减。为了确保接触工艺的余量，采用自动对准导电接点(SAC)工艺。图1A到1D所示为半导体器件中形成一个插孔接触点的传统方法的截面视图。参照图1A，一个场氧化层12形成于衬底11上，用于隔离器件单元，然后，多个栅极结构G形成在衬底11上。其中，每个栅极结构G含有一个栅极氧化层13，一栅电极14，和一栅极硬掩模15，该掩模由氮化物构成。接下来，对栅极结构G之间的衬底11的预留部分实施离子注入工艺，以形成多个源/漏极16。因此，栅极隔片17形成于栅极结构G的每个侧面。隔片17形成后，氮化物刻蚀阻挡层18形成于栅极结构G上，层间绝缘层19形成在上述所得的衬底结构上，直到栅极结构G之间形成的间隙被层间绝缘层填满。其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件中形成插孔接触点ＬＰＣ的方法，包括如下步骤：在衬底上形成多个栅极结构，每个栅极结构包括一个栅极硬掩模；在栅极结构上形成一个层间绝缘层；通过化学机械抛光ＣＭＰ工艺平坦化所述层间绝缘层，直到暴露出栅极硬掩模 ；在平坦化的层间绝缘层上形成一硬掩模材料；摹制所述硬掩模材料，从而形成一硬掩模；形成多个接触孔，通过使用硬掩模作为刻蚀掩模对平坦化的层间绝缘层进行刻蚀，所述接触孔暴露出所述栅极结构之间的衬底；在所述接触孔上形 成多晶硅层；通过对所述多晶硅层实施平坦化工艺，形成埋入接触孔的插...

【技术特征摘要】
KR 2003-12-29 10-2003-00985361.一种半导体器件中形成插孔接触点LPC的方法，包括如下步骤在衬底上形成多个栅极结构，每个栅极结构包括一个栅极硬掩模；在栅极结构上形成一个层间绝缘层；通过化学机械抛光CMP工艺平坦化所述层间绝缘层，直到暴露出栅极硬掩模；在平坦化的层间绝缘层上形成一硬掩模材料；摹制所述硬掩模材料，从而形成一硬掩模；形成多个接触孔，通过使用硬掩模作为刻蚀掩模对平坦化的层间绝缘层进行刻蚀，所述接触孔暴露出所述栅极结构之间的衬底；在所述接触孔上形成多晶硅层；通过对所述多晶硅层实施平坦化工艺，形成埋入接触孔的插孔接触点，直到暴露出栅极硬掩模。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于每个栅极结构进一步包括栅极氧化层和栅极导电层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于栅极硬掩模层由一氮化物基材料构成。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于通过使用对栅极硬掩模具有高选择性的浆体H...

【专利技术属性】
技术研发人员：金亨涣，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]