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公开了一种半导体器件中形成插孔接触点（ｌａｎｄｉｎｇ　　ｐｌｕｇ　　ｃｏｎｔａｃｔｓ）的方法。该方法包括如下步骤：在衬底上形成多个栅极结构，每个栅极结构包括一个栅极硬掩模；在栅极结构上形成一个层间绝缘层；通过化学机械抛光（ＣＭＰ）工艺平坦化...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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