【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有层间介质层以及贯穿所述层间介质层的开口，所述开口底部形成有栅极结构，所述栅极结构包括：形成于所述开口底部的高K介质层，和形成于所述高K介质层表面的金属栅电极层，且所述金属栅电极层表面低于所述开口表面；形成覆盖所述金属栅电极层的金属层，所述金属层表面低于所述开口表面；形成覆盖所述栅极结构的保护层，所述保护层与开口表面齐平；形成连接所述源区和漏区的第一导电插塞；形成第一导电插塞后，去除所述保护层和金属层，直至暴露出金属栅电极层表面；去除所述保护层和金属层后，形成连接所述金属栅电极层的第二导电插塞。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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