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一种半导体器件及其形成方法，其中，半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有层间介质层以及贯穿所述层间介质层的开口，所述开口底部形成有栅极结构，所述栅极结构包括：形成于所述开口底部的高K介质层，和形成于所述高K介质...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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