基板支承组件及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种利用等离子体的基板处理装置。根据本发明专利技术的一个实施例的基板处理装置，包括：腔室，内部具有处理空间；基板支承组件，位于所述腔室内并支承基板；气体供给单元，向所述腔室内部供给气体；以及电源，向供给到所述壳体内的气体供电从而产生等离子体，所述基板支承组件包括：静电夹盘，支承所述基板；下部盖，具有内部空间并包括金属材质，其中，所述内部空间设置有向所述静电夹盘供给电力或气体的线；以及一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，所述静电夹盘包括金属板，所述一个或多个板为非金属材质。

【技术实现步骤摘要】
基板支承组件及基板处理装置
本专利技术涉及一种基板处理装置，尤其涉及一种利用等离子体的基板处理装置。
技术介绍
为了制造半导体元件，在基板上进行光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积及清洗等多种工艺从而在基板上形成期望的图案。其中，蚀刻工艺为从基板上形成的膜中去除选定区域的工艺，使用湿刻或干刻。其中，为了进行干刻，使用利用等离子体的蚀刻装置。一般，为了形成等离子体，在腔室的内部空间形成电磁场，该电磁场将腔室内提供的工艺气体激发为等离子态。等离子体是指由离子或电子，自由基组成的离子化的气体状态。等离子体通过非常高的温度或强电场或高频电场(RFElectromagneticFields)产生。通过等离子体中含有的离子颗粒与基板冲撞进行蚀刻工艺。图1为示出利用等离子体的普通基板处理装置的剖视图。参考图1，基板处理装置5000包括腔室5100、基板支承组件5200以及喷头5300。基板支承组件5200包括电介质板5220、主体5230、聚焦环5240、第一板5250、第二板5260以及下部盖5270。主体5230和第二板5260以金属材质提供，第一板5250以绝缘体提供。通常，利用容性耦合等离子体(CCP:capacitivelycoupledplasma)的基板处理装置5000在腔室内部具有上部电极和下部电极。通过在上部电极和下部电极之间产生的电磁场将工艺气体激发为等离子态。上部电极可由喷头5300提供，下部电极可在基板支承组件5200内部由主体5230提供。但是，下部电极5230和第二板5260也会作为电容起作用而形成电磁场。由此，产生等离子体的上部电极5300和下部电极5230之间的电磁场密度会减少。由此，利用等离子体的基板处理工艺的效率会降低。并且，由于基板支承组件5200内部产生电磁场因而会发生电弧现象。基板支承组件5200内部存在提供与提升销和电源等连接的线的垂直方向的孔(未图示)。在基板支承组件5200内部提供电容的情况下，基板支承组件5200内部的孔中会发生电弧现象。随着对下部电极施加电力的增高电弧现象变得严重。由此导致利用等离子体的基板处理工艺的效率降低。图2为示出利用图1的基板处理装置的基板处理工艺的图。参考图2，在图1的基板处理装置中存在等离子体不能均匀分布在基板上部区域的问题。即，在基板上部区域中与直接施有高频电力的主体5230的位置对向的区域51和其他区域52中的电磁场的强度不同，从而导致各区域的等离子体密度不同。在这种情况下，存在基板处理工艺的效率降低的问题。
技术实现思路
要解决的技术问题本专利技术的一个目的在于提供一种诱导产生等离子体的电磁场使其能够集中到基板的上部区域的基板处理装置。并且，本专利技术的一个目的在于提供一种在利用等离子体的基板处理工艺中能够使基板支承组件内部发生的电弧最小化的基板处理装置。并且，本专利技术的一个目的在于提供一种通过向产生电磁场的下部电极施加高电力的高频电源从而能够提高基板处理工艺效率的基板处理装置。本专利技术要解决的技术问题不限于上述问题，本领域的技术人员可从本说明书及附图中清楚地理解未提及的技术问题。技术方案本专利技术提供一种基板处理装置。根据本专利技术的一个实施例的基板处理装置，包括：腔室，内部具有处理空间的；基板支承组件，位于所述腔室内并支承基板；气体供给单元，向所述腔室内部供给气体；以及电源，向供给到所述腔室内的气体供电从而产生等离子体，所述基板支承组件包括：静电夹盘，支承所述基板；下部盖，具有内部空间并包括金属材质，其中，在所述内部空间设置有向所述静电夹盘供电或供给气体的线；以及一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，所述静电夹盘包括金属板，所述一个或多个板以非金属材质提供。所述基板处理装置还可以包括喷头，所述喷头在所述基板支承组件的上部与所述基板支承组件对置设置。所述一个或多个板可以包括绝缘体。所述静电夹盘可以包括：电介质板，包含用静电力吸附所述基板的电极；以及主体，位于所述电介质板的下部，并包括连接有高频电源的所述金属板。所述主体可以包括：下部主体，包括所述金属板；上部主体，位于所述下部主体的上部；以及连接部件，连接所述下部主体和所述上部主体。所述下部盖可以具有上面开放的形状。并且，本专利技术提供一种基板支承组件。根据本专利技术的一个实施例的基板支承组件，包括：静电夹盘，支承所述基板；下部盖，具有内部空间并包括金属材质，在所述内部空间设置有向所述静电夹盘供电或供给气体的线；以及一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，所述静电夹盘包括金属板，所述一个或多个板以非金属材质提供。所述一个或多个板可以包括绝缘体。所述静电夹盘可以包括：电介质板，包含用静电力吸附所述基板的电极；以及主体，位于所述电介质板的下部，并包括连接有高频电源的所述金属板。所述主体可以包括：下部主体，包括所述金属板；上部主体，位于所述下部主体的上部；以及连接部件，连接所述下部主体和所述上部主体。根据本专利技术的另一实施例的基板支承组件，包括：静电夹盘，支承所述基板；下部盖，具有内部空间，在所述内部空间设置有向所述静电夹盘供给功率或气体的线；以及一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，所述静电夹盘和所述下部盖起到相互对置的电极的功能。所述静电夹盘包括由金属构成的金属板，所述下部盖的底面可以为金属材质，所述一个或多个板可以为非金属材质。所述一个或多个板可以包括绝缘体。所述静电夹盘可以包括：电介质板，包含用静电力吸附所述基板的电极；以及主体，位于所述电介质板的下部，并包括连接有高频电源的所述金属板。所述主体可以包括：下部主体，包括所述金属板；上部主体，位于所述下部主体的上部；以及连接部件，连接所述下部主体和所述上部主体。本专利技术的效果根据本专利技术的一个实施例，能够诱导产生等离子体的电磁场使其集中到基板的上部区域。并且，根据本专利技术的一个实施例，在在利用等离子体的基板处理工艺中能够使在基板支承组件内部发生的电弧最小化。并且，根据本专利技术的一个实施例，通过向产生电磁场的下部电极施加高功率的高频电源，能够提高基板处理工艺的效率。本专利技术的效果不限于上述效果，对于本领域的技术人员可从本说明书及附图中清楚地理解未提及的效果。附图说明图1为示出利用等离子体的普通基板处理装置的剖视图；图2为示出利用图1的基板处理装置的基板处理工艺的图；图3为示出根据本专利技术的一个实施例的基板处理装置的剖视图；图4为图1的基板支承组件内部适用的电容的等价电路；图5为图3的基板支承组件内部适用的电容的等价电路；图6为示出图3的基板处理装置的另一实施例的图；图7为示出图6的连接部件的一个实施例的分解立体图；图8为示出图6的连接部件的另一实施例的分解立体图。具体实施方式下面，参考附图对本专利技术的实施例进行更详细的说明。本专利技术的实施例可以变形为各种形态，不应解释为本专利技术的范围由下面的实施例限定。本实施例是为了对本领域中具有普通知识的人更完整地说明本专利技术而提供的。因此，图中元件的形状为了强调更明确的说明而进行了夸张。图3为示出根据本专利技术的一个实施例的基板处理装置的剖视图。参考图3，基板处理装置10利用等离子体处理基板W。例如，基板处理装置10可以对基板W执行蚀刻工艺。基板处理装置10包括腔室100、基板支承组件200、喷头300、气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，包括：腔室，内部具有处理空间；基板支承组件，位于所述腔室内并支承基板；气体供给单元，向所述腔室内部供给气体；以及电源，向供给到所述壳体内的气体供电，从而产生等离子体，所述基板支承组件包括：静电夹盘，支承所述基板；下部盖，具有内部空间并包括金属材质，其中，在所述内部空间中设置有向所述静电夹盘供给功率或气体的线；以及一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，所述静电夹盘包括金属板，所述一个或多个板为非金属材质。

【技术特征摘要】
2012.09.28 KR 10-2012-0109014;2012.12.31 KR 10-201.一种基板处理装置，其特征在于，包括：腔室，内部具有处理空间；基板支承组件，位于所述腔室内并支承基板；气体供给单元，向所述腔室内部供给气体；以及电源，向供给到所述腔室内的气体供电，从而产生等离子体，所述基板支承组件包括：静电夹盘，支承所述基板；下部盖，具有内部空间并包括金属材质，其中，在所述内部空间中设置有向所述静电夹盘供给功率或气体的线；以及一个或多个板，配置在所述静电夹盘和所述下部盖之间，所述静电夹盘包括金属板，所述一个或多个板为非金属材质。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板处理装置还包括喷头，所述喷头在所述基板支承组件的上部与所述基板支承组件对置地设置。3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，所述一个或多个板包括绝缘体。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述静电夹盘包括：电介质板，包含用静电力吸附所述基板的电极；以及主体，位于所述电介质板的下部，并包括连接有高频电源的所述金属板。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述主体包括：下部主体，包括所述金属板；上部主体，位于所述下部主体的上部；以及连接部件，连接所述下部主体和所述上部主体。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述下部盖具有上面开放的形状。7.一种基板支承组件，其特征在于，包括：支承基板的静电夹盘；下部盖，具有内部空间并包括金属材质，其中，在所述内部空...

【专利技术属性】
技术研发人员：李元行，河刚来，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：