等离子体处理装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子处理装置。等离子体处理装置，包括：在内部形成空间的腔室；位于所述腔室内并支承基板的基板支承单元；向所述腔室内供给工艺气体的气体供给单元；位于所述腔室的上部并具有提供从所述工艺气体产生等离子体的电磁波的天线的等离子体源单元；位于所述天线的上部使从所述天线向所述腔室的相反方向提供的电磁波反射到朝向所述腔室的方向的反射板；以及使所述反射板的位置移动的反射板驱动部。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种等离子处理装置。等离子体处理装置，包括：在内部形成空间的腔室；位于所述腔室内并支承基板的基板支承单元；向所述腔室内供给工艺气体的气体供给单元；位于所述腔室的上部并具有提供从所述工艺气体产生等离子体的电磁波的天线的等离子体源单元；位于所述天线的上部使从所述天线向所述腔室的相反方向提供的电磁波反射到朝向所述腔室的方向的反射板；以及使所述反射板的位置移动的反射板驱动部。【专利说明】
本专利技术涉及一种处理基板的装置及方法，尤其涉及一种利用等离子体处理基板的装置及方法。
技术介绍
在半导体元件的制造工艺中，蚀刻、沉积以及清洗工艺等利用等离子体对基板进行处理。利用等离子体的工艺是向腔室内部喷射工艺气体，将工艺气体产生等离子体提供给基板。韩国授权专利第10-854995号中公开了利用等离子体处理基板的装置。在所述现有技术中，在设置于腔室盖上的感应线圈(或天线)中产生电磁场，从而从工艺气体产生等离子体。在感应线圈中，形成放射状电磁场。将在感应线圈的下部产生的电磁场提供到腔室并用于产生等离子体，但是在感应线圈的上部产生的电磁场不会提供到腔室内部。这种装置不仅减少感应线圈中产生的电磁场的使用效率，而且降低等离子体的产生效率。现有技术文献专利文献韩国授权专利第10-854995号
技术实现思路
要解决的技术 问题本专利技术提供一种能够调节在腔室内部产生的等离子体密度的。并且，本专利技术提供一种能够提高天线产生的电磁场的使用效率的。技术方案根据本专利技术的实施例的等离子体处理装置，包括:腔室，在内部形成空间；基板支承单元，位于所述腔室内并支承基板；气体供给单元，向所述腔室内供给工艺气体；等离子体源单元，位于所述腔室的上部并具有天线，其中所述天线提供使所述工艺气体产生等离子体的电磁波；反射板，位于所述天线的上部，使从所述天线向所述腔室的相反方向提供的电磁波反射到朝向所述腔室的方向；以及反射板驱动部，使所述反射板的位置移动。并且，所述反射板驱动部能够使所述反射板在上下方向上移动。并且，所述反射板可以为金属材质。并且，所述天线可以为螺旋形状的线圈，所述反射板具有与所述天线对向的平坦。并且，所述反射板的与所述天线对向的底面为凹陷的曲面。此外，还可以包括:传感器，对所述腔室内产生的等离子体密度进行测量；以及控制部，根据所述传感器中测量到的等离子体密度控制所述天线驱动部，使所述反射板和所述天线的距离变化。根据本专利技术的实施例的等离子体处理方法，向设有基板的腔室内部供给工艺气体，并将位于所述腔室上部的天线施加的电磁波提供到所述腔室内部，使所述工艺气体产生等离子体，其中设置在所述天线上部的反射板将从所述天线向所述腔室的相反方向提供的电磁波反射到所述腔室内部。并且，所述反射板可以在上下方向上移动，使与天线的距离变化。并且，所述反射板可以根据所述基板的工艺处理步骤进行移动。并且，所述反射板可以在对一张基板的工艺进行中反复移动。并且，可以测量所述腔室内部的等离子体密度，并根据所述等离子体密度移动所述反射板。根据本专利技术的另一实施例的等离子体处理方法，通过向腔室内部提供工艺气体来处理第一基板，处理所述第一基板之后处理第二基板，所述工艺气体通过位于所述腔室上部的天线提供的电磁波而被激发为等离子态，所述第一基板的工艺处理进行期间，设置在所述天线上部的反射板在第一位置将所述电磁波反射到所述腔室内部，在所述第二基板的工艺处理期间，所述反射板在与所述第一位置不同的第二位置将所述电磁波反射到所述腔室内部。并且，所述第一位置和所述第二位置可以在上下方向上与所述天线之间的距离不同。并且，所述反射板可以在上下方向上反复移动。本专利技术的效果根据本专利技术，由于可以调节腔室内的电磁波的密度，从而调节在腔室内产生的等离子体密度。并且，根据本专利技术，将从天线产生的与腔室方向相反的电磁波反射到腔室内，因此电磁波使用效率得到提高。【专利附图】【附图说明】图1为示出根据本专利技术的一个实施例的基板处理装置的剖视图；图2为示出利用图1的基板处理装置处理基板的一个实施例的剖视图；图3为示出利用图1的基板处理装置处理基板的另一实施例的剖视图；图4为示出利用图1的基板处理装置处理基板的再一实施例的剖视图；图5为示出根据本专利技术的另一实施例的基板处理装置的剖视图。【具体实施方式】下面，参照附图对本专利技术的实施例进行更详细的说明。本专利技术的实施例可以变形为各种形态，不应解释为本专利技术的范围由下面的实施例限定。本实施例是为了对本领域中具有普通知识的人更完整地说明本专利技术而提供的。因此，为了强调更明确的说明对图中元件的形状进行了夸张。图1为示出根据本专利技术的一个实施例的基板处理装置的剖视图。参照图1，等离子体处理装置10包括腔室100、基板支承单元200、气体供给单元300、等离子体源单元400以及反射单元500。腔室100提供执行等离子体处理的空间，基板支承单元200在腔室100内部支承基板W。气体供给单元300向腔室100内部提供工艺气体，等离子体源单元400通过向腔室100内部提供电磁波，从而从工艺气体产生等离子体。反射单元500将在等离子体源单元400中产生的电磁波反射到腔室100内部。下面，对各结构进行详细的说明。腔室100包括腔室主体110和电介质盖120。腔室主体110的上表面开放，内部形成空间。腔室主体Iio的底板壁形成有排气孔113。排气孔113与排气线117连接，提供在腔室主体110内部停留的气体和工艺过程中产生的反应副产物向外部排出的通路。排气孔113可以在腔室主体110的底板壁边缘区域形成多个。电介质盖120密封腔室主体110的开放的上表面。电介质盖120具有与腔室主体110的周界对应的半径。电介质盖120可以为电介质材质。电介质盖120可以为铝材质。由电介质盖120和腔室主体110包围的空间作为等离子体处理工艺执行的处理空间130。基板支承单元200位于处理空间130内，用于支承基板W。基板支承单元200可以利用静电力固定基板W或以机械夹持方式支承基板W。下面，以基板支承单元200利用静电力固定基板W的方式为例进行说明。基板支承单元200包括电介质板210、电极220、加热器230、聚焦环240、绝缘板250、接地板260、外壳270以及提升销单元280。电介质板210为圆盘形状。电介质板210的上表面可以具有与基板W对应或比基板W小的半径。电介质板210的上表面可以形成突出部211。基板W由突出部211支承，并与电介质板210的上表面相隔预定间隔。电介质板210的侧面可以具有高度差，使下部区域比上部区域具有大的半径。电极220埋设在电介质板210的内部。电极为厚度薄的导电性材质的圆盘，并通过电缆221与外部电源(未图示)连接。从外部电源施加的电力在电极220和基板W之间形成静电力，从而将基板W固定到电介质板210的上表面。加热器230设置在电介质板210的内部。加热器230可以设置在电极220的下部。加热器230通过电缆231与外部电源(未图示)连接。加热器230通过抵抗外部电源施加的电流而产生热。产生的热经过电介质板210传递到基板W，将基板W加热到预定温度。加热器230为螺旋形状的线圈，可以以均匀的间隔埋设在电介质板210内部。聚焦环240为环状，并沿着电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，包括：腔室，在内部形成空间；基板支承单元，位于所述腔室内并支承基板；气体供给单元，向所述腔室内供给工艺气体；等离子体源单元，位于所述腔室的上部，并具有提供使所述工艺气体产生等离子体的电磁波的天线；反射板，位于所述天线的上部，将从所述天线向所述腔室的相反方向提供的电磁波朝向所述腔室的方向进行反射；以及反射板驱动部，使所述反射板的位置移动。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：哈鲁琼·米利克扬，具一教，成晓星，李守真，金炫中，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：