一种版图设计光刻工艺友善性检测方法技术

本发明专利技术一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，通过事先对原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域，并将该潜在工艺热点区域的图形数据转化为光刻目标图形数据，然后对该光刻目标图形数据进行简化光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的初查，并以工艺热点初查标记位置及必要周边位置的图形数据为基础进行精确而完整的光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的终查，以在精确找到工艺热点的前提下，减少整个过程中软件计算和使用的时间，降低生产成本，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可制造性图形设计领域(Design For Manufacture, DFM),尤其涉及。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，为将集成电路的图案顺利地转移到晶圆上，首先根据设计好的版图制作掩膜版，然后再通过光刻技术将该掩膜版上的图形转移到晶圆上，由于亚波长光刻技术中光学邻近效应(Optical Proximity Effect, OPE)的影响,在对高密度排列的掩膜版电路图形进行曝光并最终转移至晶圆上时，将产生较大的失真，例如直角转角圆形化(right-angled corner rounded)、直线末端紧缩(line end shortened)以及直线线宽增加/缩减(line width increase/decrease)等都是常见的光学邻近效应所导致的掩模版电路图形转移到晶圆上的缺陷。虽然可以使用各种分辨率增强技术(RET)，如光学邻近修正(Optical Proximity Correction,0PC),相移掩膜(PSM)等提高光刻的精度,但由于设计不当或RET技术本身的限制等原因,最终晶圆上的电路仍可能会出现Line Pinch (线夹断)Line Bridge (线连接)Hole Overlap Missing (接孔不良)等不良现象,在掩膜版上的版图中可能导致这些现象的区域称为光刻热点区域，而光刻热点区域可能会影响最终电路的性能甚至导致功能的失效，为此，如何在芯片生产之前对光刻热点进行检测并加以修正，是可制造性设计(DFM)中的一项重要技术。如图1所示，现有技术中版图设计光刻工艺友善性检测方法是通过将原始目标图形数据转化为光刻目标图形数据，并对所有的光刻目标图形数据进行精确的光学邻近效应修正，并且生成整个芯片的模拟图形在整个芯片范围内来查光刻工艺热点区域的图形。该方法虽然能准确的找到工艺热点，但是整个过程的软件计算和使用时间会很长，相应的生产成本也比较高，并且不利于代工厂的版图设计光刻工艺友善性检测套件在设计公司的应用。为此，如何在精确找到工艺热点的前提下，减少整个过程中软件计算和使用的时间，降低生产成本，提高生产效率是亟待解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的为，针对上述问题，提出了，该方法通过事先对原始目标图形数据进行过滤，然后对过滤后的图形数据进行简化光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的初查，并以工艺热点初查标记位置及必要的周边位置数据进行精确而完整的光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的终查，以在精确找到工艺热点的前提下，减少整个过程中软件计算和使用的时间，降低生产成本，提高生产效率。为实现上述目的，本专利技术，包括:提供原始目标图形数据，并对所述原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域；将所述潜在工艺热点区域的图形数据转化为第一光刻目标图形，并对所述第一光刻目标图形进行第一光学邻近修正，获得第一光掩模目标图形；对所述第一光掩模目标图形进行第一工艺偏差图形模拟，确定所述第一光刻目标图形中的第一工艺热点区域，其中，所述第一工艺偏差图形模拟的区域范围与第一光刻目标图形的区域相同；对所述第一光刻目标图形进行第一工艺热点检测，生成潜在热点位置标记的第二光刻目标图形；对所述第二光刻目标图形进行第二光学邻近修正，获得第二光掩模目标图形，其中，所述第二光学邻近修正的精度高于所述第一光学邻近修正；对所述第二光掩模目标图形进行第二工艺偏差图形模拟，确定所述第二光刻目标图形中的第二工艺热点区域，其中，所述第二工艺偏差图形模拟的区域范围与第二光刻目标图形的区域相同；对第二光刻目标图形进行第二工艺热点检测，生成各项检测的热点位置标记，最终生成热点位置索引文件。优选地，所述对原始目标图形数据进行过滤用以寻找易形成工艺热点的区域，以确定所述潜在工艺热点区域。优选地，在对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤包括，寻找所述原始目标图形数据中具有凸角或凹角的图形，对所述凸角或凹角的顶点进行切边，根据切边的受限情况生成矩形区域，进而生成潜在工艺热点区域。优选地，所述潜在工艺热点区域的大小为所述矩形区域的每边放大最小设计规则尺寸的1.5倍后生成的区域。优选地，所述第一光学邻近修正中的迭代次数小于或等于所述第二光学邻近修正的 1/2。优选地，所述第一光学邻近修正为简略快速的光学邻近效应修正，其删除所有特殊处理程序并调高修正反馈因子以实现第一光刻目标图形的快速收敛。优选地，所述第二光刻目标图形中的第二工艺热点区域是通过第一工艺热点检测生成的潜在热点位置放大一设定尺寸而获得。优选地，若所述潜在工艺热点为线夹断，则所述设定尺寸为最大检测尺寸的一半、且小于隙的最小设计尺寸；若所述潜在工艺热点为线连接，则所述设定尺寸为最大检测尺寸的一半、且小于线的最小设计尺寸；若所述潜在工艺热点为孔接触不良，则所述设定尺寸为孔隙的最小设计尺寸的一半、且小于孔隙的最小设计尺寸。优选地，所述第一光刻目标图形的区域为所述第一工艺热点区域每边放大一个光晕大小，所述光晕的取值要大于或等于光学模型半径。优选地，所述第二光刻目标图形的区域为所述第二工艺热点区域每边放大一个光晕大小，所述光晕的取值要大于或等于光学模型半径。从上述技术方案可以看出，本专利技术，通过事先对原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域，并将该潜在工艺热点区域的图形数据转化为光刻目标图形数据，然后对该光刻目标图形数据进行简化光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的初查，并以工艺热点初查标记位置及必要周边位置的图形数据为基础进行精确而完整的光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的终查，以在精确找到工艺热点的前提下，减少整个过程中软件计算和使用的时间，降低生产成本，提高生产效率。【附图说明】为能更清楚理解本专利技术的目的、特点和优点，以下将结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细描述，其中:图1为现有技术中版图设计光刻工艺友善性检测方法的流程示意图；图2为本专利技术版图设计光刻工艺友善性检测方法的一具体实施例的流程示意图；图3为本专利技术版图设计光刻工艺友善性检测方法的一具体实施例中初查区域的示意图；图4为本专利技术版图设计光刻工艺友善性检测方法的一具体实施例中终查区域的示意图；图5a?图5f为本专利技术版图设计光刻工艺友善性检测方法的一具体实施例。【具体实施方式】体现本专利技术特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本专利技术能够在不同的示例上具有各种的变化，其皆不脱离本专利技术的范围，且其中的说明及图示在本质上当作说明之用，而非用以限制本专利技术。上述及其它技术特征和有益效果，将结合附图2-4和图5a?5f对本专利技术版图设计光刻工艺友善性检测方法的一较佳实施例进行详细说明。图2为本专利技术版图设计光刻工艺友善性检测方法的一具体实施例的流程示意图。以下将具体说明本专利技术版图设计光刻工艺友善性检测方法，其包括如下步骤:步骤SOl:提供原始目标图形数据，并对该原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域。请参阅图3和图5a?5c，具体来说，提供一原始的版图设计，包括连接层(Ml) I和接触孔(CONTACT) 2，对该原始目标图形数据通过一定的规则进行过滤，获得在此版图上的8个潜在热点3，进而确定出潜在的工艺热点位置标记100，这缩小了进行光学临近效应修正和工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，包括：提供原始目标图形数据，并对所述原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域；将所述潜在工艺热点区域的图形数据转化为第一光刻目标图形，并对所述第一光刻目标图形进行第一光学邻近修正，获得第一光掩模目标图形；对所述第一光掩模目标图形进行第一工艺偏差图形模拟，确定所述第一光刻目标图形中的第一工艺热点区域，其中，所述第一工艺偏差图形模拟的区域范围与第一光刻目标图形的区域相同；对所述第一光刻目标图形进行第一工艺热点检测，生成潜在热点位置标记的第二光刻目标图形；对所述第二光刻目标图形进行第二光学邻近修正，获得第二光掩模目标图形，其中，所述第二光学邻近修正的精度高于所述第一光学邻近修正；对所述第二光掩模目标图形进行第二工艺偏差图形模拟，确定所述第二光刻目标图形中的第二工艺热点区域，其中，所述第二工艺偏差图形模拟的区域范围与第二光刻目标图形的区域相同；对第二光刻目标图形进行第二工艺热点检测，生成各项检测的热点位置标记，最终生成热点位置索引文件。

【技术特征摘要】
1.一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，包括: 提供原始目标图形数据，并对所述原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域； 将所述潜在工艺热点区域的图形数据转化为第一光刻目标图形，并对所述第一光刻目标图形进行第一光学邻近修正，获得第一光掩模目标图形； 对所述第一光掩模目标图形进行第一工艺偏差图形模拟，确定所述第一光刻目标图形中的第一工艺热点区域，其中，所述第一工艺偏差图形模拟的区域范围与第一光刻目标图形的区域相同； 对所述第一光刻目标图形进行第一工艺热点检测，生成潜在热点位置标记的第二光刻目标图形； 对所述第二光刻目标图形进行第二光学邻近修正，获得第二光掩模目标图形，其中，所述第二光学邻近修正的精度高于所述第一光学邻近修正； 对所述第二光掩模目标图形进行第二工艺偏差图形模拟，确定所述第二光刻目标图形中的第二工艺热点区域，其中，所述第二工艺偏差图形模拟的区域范围与第二光刻目标图形的区域相同； 对第二光刻目标图形进行第二工艺热点检测，生成各项检测的热点位置标记，最终生成热点位置索引文件。2.根据权利要求1所述的一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，所述对原始目标图形数据进行过滤用以寻找易形成工艺热点的区域，以确定所述潜在工艺热点区域。3.根据权利要求2所述的一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，其特征在于，在对所述原始目标图形数据进行过滤的步骤包括，寻找所述原始目标图形数据中具有凸角或凹角的图形，对所述凸角或凹角的顶点进行切边，根据切边的受限情况生成矩形区域，进而生成潜在工艺热点区域。4.根据权利要求3所述的一种版图设计...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟斌，阚欢，魏芳，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：