透光基板的镀膜方法技术

技术编号:13374446 阅读:82 留言:0更新日期:2016-07-20 02:43
本发明专利技术提供了一种透光基板的镀膜方法,包括采用晶粒尺寸小于或等于50μm的靶材,进行磁控溅射工艺,在透光基板的表面形成镀膜层,在磁控溅射工艺中,因为靶材较小的晶粒尺寸,在体积恒定的靶材内,增加了晶界数量,因为在晶界上的原子之间作用力较大,原子的自由能较大,所以在磁控溅射过程中晶界处原子较易被溅射。为此在磁控溅射过程中可有效提升靶材被带电离子轰击后溅射的速率,在短时间溅射出尺寸较小,且密度较大的晶粒,在透光基板上迅速形成密度更高、均匀度更好的镀膜层,从而减小透光基板上的铬合金镀膜上的漏光现象。

【技术实现步骤摘要】
201410707441

【技术保护点】
一种透光基板的镀膜方法,其特征在于,包括:提供透光基板;采用磁控溅射工艺在所述透光基板表面形成镀膜层,其中所述磁控溅射工艺采用的靶材具有小于或等于50μm的晶粒尺寸。

【技术特征摘要】
1.一种透光基板的镀膜方法,其特征在于,包括:
提供透光基板;
采用磁控溅射工艺在所述透光基板表面形成镀膜层,其中所述磁控溅射工
艺采用的靶材具有小于或等于50μm的晶粒尺寸。
2.根据权利要求1所述的透光基板的镀膜方法,其特征在于,所述磁控溅射
工艺采用的靶材是铬合金靶材,所述镀膜层为铬合金镀膜层。
3.根据权利要求2所述的透光基板的镀膜方法,其特征在于,所述铬合金靶
中铬的质量百分含量大于或等于99.5%。
4.根据权利要求2所述的透光基板的镀膜方法,其特征在于,所述铬合金靶
材的晶粒尺寸小于或等于30μm。
5.根据权利要求1所述的透光基板的镀膜方法,其特征在于,所述透光基板
的材料为玻璃。
6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军潘杰相原俊夫大岩一彦王学泽吴剑波
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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