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本发明一种版图设计光刻工艺友善性检测方法，通过事先对原始目标图形数据进行过滤，确定潜在工艺热点区域，并将该潜在工艺热点区域的图形数据转化为光刻目标图形数据，然后对该光刻目标图形数据进行简化光学邻近效应修正和图形模拟来进行工艺热点的初查，并以...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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