【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：形成一半导体基底，所述半导体基底包括形成于衬底上的半导体器件层，形成于半导体器件层上的层间介质层，依次形成于层间介质层上的氧化物硬掩模和金属硬掩模，形成于层间介质层中、露出所述半导体器件层的孔洞，覆盖于所述孔洞侧壁及金属硬掩模上的衬里层，填充于孔洞并覆盖于所述衬里层上的导电层；对所述半导体基底执行第一平坦化工艺，所述第一平坦化工艺以衬里层为停止层，去除停止层上的部分导电层，直至剩余的导电层与所述衬里层齐平；对执行第一平坦化工艺后的半导体基底执行第二平坦化工艺，所述第二平坦化工艺以氧化物硬掩模为停止层，去除氧化物硬掩模上的衬里层、金属硬掩模及部分导电层；对执行第二平坦化工艺后的半导体基底执行第三平坦化工艺，所述第三平坦化工艺以层间介质层为停止层，去除层间介质层上的氧化物硬掩模和部分导电层，直至剩余的导电层与所述层间介质层齐平。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓武锋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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