互连结构的形成方法技术

一种互连结构的形成方法，包括提供基底，所述基底表面具有介质层；在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口的深度小于介质层的高度；在第一开口的侧壁表面形成牺牲层；以所述硬掩膜层为掩膜，沿第一开口刻蚀所述牺牲层和介质层，形成沟槽，所述沟槽深度小于介质层的高度；填充所述沟槽，形成金属层，暴露出牺牲层和介质层的表面；去除所述牺牲层，在所述金属层两侧形成第二开口；在所述介质层、金属层表面形成盖帽层，所述盖帽层填充满所述第二开口。所述互连结构的形成方法，可以提高金属层和介质层的黏附性能，有效降低金属电迁移，从而提高电路的性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面具有介质层；在所述介质层表面形成硬掩膜层，所述硬掩膜层具有开口，暴露出介质层的部分表面；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成第一开口，所述第一开口的深度小于介质层的高度；在所述第一开口的侧壁以及硬掩膜层的侧壁表面形成牺牲层；以所述硬掩膜层和牺牲层为掩膜，沿第一开口刻蚀所述介质层，形成沟槽，所述沟槽深度小于介质层的高度；填充所述沟槽，形成金属层，所述金属层填充满所述沟槽并覆盖硬掩膜层的表面；以介质层为停止层，对所述金属层进行平坦化，暴露出牺牲层和介质层的表面；去除所述牺牲层，在所述金属层两侧形成第二开口；在所述介质层、金属层表面形成盖帽层，所述盖帽层填充满所述第二开口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓浩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31