一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及触控技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置，用以解决现有技术中存在的自电容触摸结构中的触控盲区偏大的问题。本发明专利技术实施例提供的阵列基板包括：位于衬底基板上的栅极和栅线，位于栅极和栅线所在膜层上的有源层；所述阵列基板还包括：与有源层同层设置且电性绝缘的像素电极；位于有源层和像素电极所在膜层上的漏极、源极和数据线，漏极与像素电极直接电性连接；位于漏极、源极和数据线所在膜层上，且与漏极、源极、数据线和像素电极电性绝缘的公共电极层和多条导线；其中，导线与所述公共电极层异层设置，公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，且每条导线通过过孔与对应的自电容电极电性连接。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置
本专利技术涉及触控
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，触摸屏(TouchScreenPanel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前，触摸屏包括的触摸结构可以分为：互电容触摸结构和自电容触摸结构。对于自电容触摸结构，由于其触控感应的准确度和信噪比比较高，因而受到了各大面板厂家青睐。目前，自电容触摸结构利用自电容的原理实现检测手指触摸位置，具体为：在触摸结构中设置多个同层设置且相互独立的自电容电极，当人体未触碰屏幕时，各自电容电极所承受的电容为一固定值，当人体触碰屏幕时，触碰位置对应的自电容电极所承受的电容为固定值叠加人体电容，触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化可以判断出触控位置。在自电容触摸结构中，每一个自电容电极需要通过单独的引出线与触控侦测芯片连接，如图1所示，每条引出线具体包括：将自电容电极1连接至触摸屏的边框处的导线2，以及设置在边框处用于将自电容电极1导通至触控侦测芯片的接线端子3的周边走线4。在具体实施时，由于自电容电极的数量非常多，对应的引出线也会非常多，以每个自电容电极的所占面积为5mm*5mm为例，5寸的液晶显示屏就需要264个自电容电极，若将每个自电容电极设计的更小一些，则会有更多的自电容电极，那么需要设置更多的引出线。而且，在设计时，由于为了简化膜层数量，如图1所示，一般将引出线中的导线2和自电容电极1同层设置，较多的导线2会造成触控盲区偏大，其中触控盲区是指触控屏中走线集中的区域，在这个触控盲区内的信号相对比较紊乱，故此称为触控盲区，即在该区域内的触控性能无法保证。综上所述，目前的自电容触摸结构中的触控盲区偏大，造成包含所述自电容触摸结构的触摸屏的触控性能比较差。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置，用以解决现有技术中存在的自电容触摸结构中的触控盲区偏大的问题。第一方面，本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的栅极和栅线，位于所述栅极和栅线所在膜层上的有源层；其中，所述阵列基板还包括：与所述有源层同层设置且电性绝缘的像素电极；位于所述有源层和像素电极所在膜层上的漏极、源极和数据线；其中，所述漏极与像素电极直接电性连接；位于所述漏极、源极和数据线所在膜层上，且与所述漏极、源极、数据线和像素电极电性绝缘的公共电极层和多条导线；其中，所述导线与所述公共电极层异层设置，所述公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，且每条所述导线通过过孔与对应的自电容电极电性连接。较佳地，所述导线所在膜层位于所述漏极、源极和数据线所在膜层和所述公共电极层之间。较佳地，所述漏极、源极和数据线所在膜层和所述公共电极层之间设置有钝化层；所述导线所在膜层位于所述钝化层和所述公共电极层之间；所述阵列基板还包括：包含所述过孔的第一绝缘层，位于所述导线所在膜层和所述公共电极层之间；其中，所述导线通过所述第一绝缘层包含的过孔，与所述自电容电极电性连接。较佳地，所述栅极和栅线所在膜层与所述有源层和像素电极所在膜层之间设置有栅绝缘层。较佳地，所述导线所在膜层位于所述公共电极层之上。较佳地，所述阵列基板还包括：包含所述过孔的第二绝缘层，位于所述导线所在膜层和所述公共电极层之间；其中，所述导线通过所述第二绝缘层包含的过孔，与所述自电容电极电性连接。较佳地，所述导线在所述衬底基板上的正投影位于所述数据线在所述衬底基板上的正投影内；和/或所述导线在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影内。较佳地，将所述导线作为在显示扫描时间内向所述公共电极层供电的公共电极线使用。第二方面，本专利技术实施例提供一种显示装置，包括：本专利技术实施例中所述的阵列基板。第三方面，本专利技术实施例提供一种制作所述的阵列基板的方法，包括：在衬底基板上形成所述栅极和栅线；在所述栅极和栅线所在膜层上形成同层设置且电性绝缘的所述有源层和像素电极；在所述有源层和像素电极所在膜层上形成所述漏极、源极和数据线；其中，所述漏极与像素电极直接电性连接；在所述漏极、源极和数据线所在膜层上形成与所述漏极、源极、数据线和像素电极电性绝缘的公共电极层和多条导线；其中，所述导线与所述公共电极层异层设置，所述公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，且每条所述导线通过过孔与对应的自电容电极电性连接。与现有技术相比，本专利技术有益效果如下：在本专利技术实施例中，阵列基板包含公共电极层和导线，公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，且每条导线与对应的自电容电极电性连接；从而可以实现将自电容触摸结构中的触控电极(即，自电容电极)和导线内嵌到阵列基板中，以便于实现内嵌式触摸屏；由于导线和公共电极层异层设置，从而可以消除自电容触摸结构中的触控盲区，以提高包含所述自电容触摸结构的触摸屏的触控性能；另外，由于公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，从而可以将公共电极层作为自电容触摸结构中的触控电极使用，避免单独设置所述触控电极所在膜层，以简化膜层数量。附图说明图1为现有技术中的电容式触摸结构的俯视结构示意图；图2为本专利技术实施例中的阵列基板的侧视结构示意图；图3为本专利技术实施例中的导线和数据线的位置关系示意图；图4为本专利技术实施例中的电容式触摸结构的俯视结构示意图；图5为本专利技术实施例中的显示装置的驱动时序示意图；图6为本专利技术实施例中的阵列基板的制作方法的流程示意图。具体实施方式为了使本领域技术人员更好的理解本专利技术的技术方案，下面结合说明书附图对本专利技术实施例进行详细的描述。需要说明的是，本专利技术所提到的方向用语，如表示方向的“上”、“下”，仅是参考附图的方向以说明及理解本专利技术，而不用于限制本专利技术实施例；而且，附图中各层膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。较佳地，如图2所示，本专利技术实施例提供的一种阵列基板，包括：衬底基板00，位于衬底基板00上的栅极11和栅线12，位于所述栅极11和栅线12所在膜层上的有源层20；其中，所述阵列基板还包括：与有源层20同层设置且电性绝缘的像素电极40；位于所述有源层20和像素电极40所在膜层上的漏极31、源极32和数据线33；其中，所述漏极31与像素电极40直接电性连接；位于所述漏极31、源极32和数据线33所在膜层上，且与所述漏极31、源极32、数据线33和像素电极40电性绝缘的公共电极层50和多条导线60；其中，所述导线60与所述公共电极层50异层设置，所述公共电极层50包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极51，且每条所述导线60通过过孔100与对应的自电容电极51电性连接。实施中，与现有技术相比，在本专利技术实施例中，阵列基板包含公共电极层和导线，公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，且每条导线与对应的自电容电极电性连接；从而可以实现将自电容触摸结构中的触控电极(即，自电容电极)和导线内嵌到阵列基板中，以便于实现内嵌式触摸屏；由于导线和公共电极层异层设置，从而可以消除自电容触摸结构中的触控盲区，以提高包含所述自电容触摸结构的触摸屏的触控性能；另外，由于公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，从而可以将公共电极层作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的栅极和栅线，位于所述栅极和栅线所在膜层上的有源层；其特征在于，还包括：与所述有源层同层设置且电性绝缘的像素电极；位于所述有源层和像素电极所在膜层上的漏极、源极和数据线；其中，所述漏极与像素电极直接电性连接；位于所述漏极、源极和数据线所在膜层上，且与所述漏极、源极、数据线和像素电极电性绝缘的公共电极层和多条导线；其中，所述导线与所述公共电极层异层设置，所述公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，且每条所述导线通过过孔与对应的自电容电极电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的栅极和栅线，位于所述栅极和栅线所在膜层上的有源层；其特征在于，还包括：与所述有源层同层设置且电性绝缘的像素电极；位于所述有源层和像素电极所在膜层上的漏极、源极和数据线；其中，所述漏极与像素电极直接电性连接；位于所述漏极、源极和数据线所在膜层上，且与所述漏极、源极、数据线和像素电极电性绝缘的公共电极层和多条导线；其中，所述导线与所述公共电极层异层设置，所述公共电极层包括多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，且每条所述导线通过过孔与对应的自电容电极电性连接；所述自电容电极与所述像素电极在衬底基板上正投影互不重叠；所述导线所在膜层位于所述公共电极层之上。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导线所在膜层位于所述漏极、源极和数据线所在膜层和所述公共电极层之间。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极、源极和数据线所在膜层和所述公共电极层之间设置有钝化层；所述导线所在膜层位于所述钝化层和所述公共电极层之间；所述阵列基板还包括：包含所述过孔的第一绝缘层，位于所述导线所在膜层和所述公共电极层之间；其中，所述导线通过所述第一绝缘层包含的过孔，与所述自电容电极电性连接。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极和栅线所在膜层与所述有源层和像素电极所在膜层之间设置有栅绝缘层。5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛际，董学，王海生，薛海林，刘英明，赵卫杰，刘红娟，丁小梁，王磊，王春雷，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11