本发明专利技术提供一种金属膜形成方法、导电性墨水、多层配线基板、半导体基板及电容器单元。本发明专利技术的课题在于提供对于包含孔的基板的与上述孔相接的表面，可利用简便的方法而容易地形成金属膜的在上述表面形成金属膜的方法。一种金属膜形成方法，其包括：在使包含孔的基板的与上述孔相接的表面、与含有金属盐及还原剂的导电性墨水接触的状态下，对上述基板进行加热的步骤。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种金属膜形成方法、导电性墨水、多层配线基板、半导体基板及电容器单元。本专利技术的课题在于提供对于包含孔的基板的与上述孔相接的表面，可利用简便的方法而容易地形成金属膜的在上述表面形成金属膜的方法。一种金属膜形成方法，其包括：在使包含孔的基板的与上述孔相接的表面、与含有金属盐及还原剂的导电性墨水接触的状态下，对上述基板进行加热的步骤。【专利说明】金属膜形成方法、导电性墨水、多层配线基板、半导体基板及电容器单元
本专利技术涉及一种在包含孔的基板中与上述孔相接的表面形成金属膜的方法、上述方法中所使用的导电性墨水、以及多层配线基板、半导体基板及电容器单元。
技术介绍
作为电子 设备等中所使用的印刷配线基板的配线层间的导电连接的方法，例如有利用如下方法在通孔的内表面形成金属膜而进行配线层间的导电连接的方法:对形成有非贯穿的通孔(以下亦称为“盲孔(blind via) ”)的基板进行镀覆的方法，上述非贯穿的通孔包含一端开口的开口部、剩余一端闭合的闭合部；或者将导电性糊剂填充至通孔内的方法。例如已知使用刮板(squeegee)将导电性糊剂填充至盲孔内的方法(例如参照专利文献1、专利文献2)。至于如上所述而所得的基板，其后利用蚀刻等形成配线图案，制造双面配线基板，进一步将该些基板的多个积层一体化而制造多层配线基板。对于此种多层配线基板，为了配线的高集成化而要求描绘出更微细的配线图案、或以通孔进行层间连接的多层结构化。微细的配线图案必须利用直径小的通孔进行连接，从而需要应对无需大的焊盘(land)的盲孔。然而，利用如上所述的导电性糊剂的填充方法，虽然在填充贯穿孔的情况下可更确实地进行连接，但在作为有底结构的直径小的盲孔的情况下，变为将具有粘性的糊剂填充至直径小且未贯穿的孔中，因此难以不残留空间地完全填充，从而存在产生气泡卷入的情况。因此，难以将导电性糊剂确实地填充至通孔内，在通孔内由于空气腐蚀产生的连接不良成为大的问题。而且，上述导电性糊剂与金属铜相比较而言导电率低，且难以用直径小的盲孔进行充分的电连接，因此对于印刷配线基板的小型、高密度化而言未必有效。另一方面，在使用无电解金属镀覆的方法中，在盲孔填充物是导电性高的金属析出物的方面而言，导电性糊剂法更优异，但为了形成镀覆层而必须对通孔的内表面实施赋予催化剂等烦杂的处理，另外镀覆皮膜的析出速度慢，因此在生产性上存在大的问题。而且，在电镀的情况下，在仅仅在盲孔的闭合部析出镀覆而堆积的方法中，非常难以电性独立地仅仅对闭合部实施镀覆处理，若想勉强实施，则变得必需非常烦杂的附加的步骤(例如参照专利文献3)。而且，在手机等中所使用的固体摄像装置中包含:在表面中央部包含传感器芯片的半导体基板、及在该半导体基板上所固定的玻璃基板。在该半导体基板的背面形成有焊球(solder ball)等外部电极。该些外部电极经由使用穿透娃通孔(Through-Silicon Via,TSV)技术而形成于半导体基板上的贯穿电极，电性连接于半导体基板的表面中央部的传感器芯片上(例如参照专利文献4)。上述贯穿电极多数情况下利用例如溅射法等成膜法而形成。然而，在溅射法的情况下存在如下的问题:变得必须在高真空下处理，而且装置昂贵。日本专利特开2002-144523号公报日本专利特开2004-039887号公报日本专利特开2000-068651号公报日本专利特开2011-205222号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供对于包含孔的基板的与上述孔相接的表面，可利用简便的方法而容易地形成金属膜的在上述表面形成金属膜的方法，以及上述金属膜形成方法中所使用的导电性墨水。本专利技术人等人为了解决上述课题而进行了积极研究。其结果发现利用具有以下构成的金属膜形成方法及导电性墨水可解决上述课题，从而完成本专利技术。本专利技术涉及例如以下的~。 一种金属 膜形成方法，其特征在于包含:在使包含孔的基板的与上述孔相接的表面、与含有金属盐及还原剂的导电性墨水接触的状态下，对上述基板进行加热的步骤。根据上述所述的金属膜形成方法，其特征在于:上述导电性墨水的粘度为IPa.s以下。根据上述或所述的金属膜形成方法，其特征在于:上述基板是形成有非贯穿孔的基板，上述非贯穿孔包含一端开口的开口部、剩余一端闭合的闭合部。根据上述所述的金属膜形成方法，其特征在于:上述基板是多个层积层而成的基板，上述开口部是由设在第I层的贯穿孔而形成，上述闭合部是由第2层而形成。根据上述或所述的金属膜形成方法，其特征在于:上述开口部的直径为ΙμL?~ΙΟΟΟμπι。根据上述~中任一项所述的金属膜形成方法，其特征在于:在上述基板上，与上述孔相接而形成有至少I个电极。根据上述~中任一项所述的金属膜形成方法，其特征在于:上述金属盐是铜盐。根据上述所述的金属膜形成方法，其特征在于:上述铜盐是选自甲酸铜及甲酸铜四水合物的至少I种。根据上述刚~中任一项所述的金属膜形成方法，其特征在于:上述还原剂是选白烷烃硫醇类、胺类、肼类、一元醇类、二醇类、羟胺类、a_羟基酮类及羧酸类的至少I种。根据上述~中任一项所述的金属膜形成方法，其特征在于:上述导电性墨水进一步含有溶剂。根据上述~中任一项所述的金属膜形成方法，其特征在于:上述加热是在非氧化性环境下、50C~500C的范围进行。根据上述~中任一项所述的金属膜形成方法，其特征在于:使上述基板中与上述孔相接的表面与导电性墨水接触的方法可利用涂布或印刷。根据上述~中任一项所述的金属膜形成方法，其特征在于:上述孔是形成在多层配线基板上的通孔、形成在半导体基板上的穿透硅通孔、或形成在半导体基板上所积层的多层配线层上的通孔。根据上述~中任一项所述的金属膜形成方法，其特征在于:用以形成构成动态随机存取存储器的电容器单元的电容器电极。 一种导电性墨水，其特征在于: 用于根据上述~中任一项所述的金属膜形成方法中，所述导电性墨水含有金属盐及还原剂。根据上述所述的导电性墨水，其特征在于:具有IPa.s以下的粘度。 一种多层配线基板，其特征在于:在与通孔相接的表面包含由根据上述或所述的导电性墨水所形成的金属膜。 一种半导体基板，其特征在于:在与设在半导体基板上的穿透硅通孔或设在半导体基板上所积层的多层配线层上的通孔相接的表面，包含由根据上述或所述的导电性墨水所形成的金属膜。 一种动态随机存取存储器的电容器单元，其特征在于:包含由根据上述或所述的导电性墨水所形成的电容器电极。利用本专利技术的金属膜形成方法，可提供对于包含孔的基板的与上述孔相接的表面，可利用简便的方法而容易地形成金属膜的在上述表面形成金属膜的方法，以及上述金属膜形成方法中所使用的导电性墨水。例如利用本专利技术可提供使多个电极间以高的导通可靠性进行连接的金属膜形成方法及该方法中所使用的导电性墨水。【专利附图】【附图说明】图1是示意性表示本专利技术的金属膜形成方法的第I例的剖面图。图2是示意性表示本专利技术的金属膜形成方法的第2例的剖面图。图3(a)~图3(g)是本专利技术的实施例BI的步骤图。图4(a)~图4(f)是本专利技术的实施例B2的步骤图。图5(a)~图5(e)是本专利技术的实施例B3的步骤图。图6是示意性说明形成在基板上的孔的剖面图。1、11: 第 I 电极2、12: 第 2 电极3、13:本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种金属膜形成方法，其特征在于包括：在使包含孔的基板的与所述孔相接的表面、与含有金属盐及还原剂的导电性墨水接触的状态下，对所述基板进行加热的步骤。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：下田杉郎，大喜多健三，有留功，渡部和人，田中健朗，
申请(专利权)人：JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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