TFT深接触孔制造方法技术

本发明专利技术公开了一种TFT深接触孔制造方法，采用非晶化ITO膜层生长在厚绝缘层膜之上，利用图形化工艺将接触孔图形转移至此非晶化ITO膜层之上，在深接触孔刻蚀过程中无需多次曝光、干刻接触孔而形成深接触孔，一方面节省了工艺成本及提升工艺时间，另一方面由于无需多次剥离光刻胶，可明显提高产品的良率。本发明专利技术使得深接触孔制造工艺仅通过一次光刻图形化转移、一次干法刻蚀即可实现，节省工艺制造成本；同时无需考虑光刻胶长时间在干刻气氛的作用下变性而无法剥防干净，制作工艺简单，提高生产良率与生产节拍，本发明专利技术制作工艺简单，能有效提高生产节拍，在更低的生产成本的条件下，实现TFT阵列基板中TFT深接触孔的快速和高质量制造。

【技术实现步骤摘要】
TFT深接触孔制造方法
本专利技术涉及一种显示领域TFT阵列基板的制造方法，特别是涉及到一种TFT接触孔的制造方法，应用于薄膜晶体管制备

技术介绍
薄膜晶体管的英文全称为ThinFilmTransistor，缩写为TFT。参见图1，传统的TFT阵列基板中TFT深接触孔的制造方法如下：一、首先将PECVD沉积的绝缘层膜后的基板清洗洁净，并在此基板表面之上涂布正性光刻胶及前烘，利用图形化转移方式对涂布的正性光刻胶进行曝光、显影以及后烘，制作出预进行干法刻蚀的接触孔图形；二、对此基板上PECVD沉积的绝缘层膜进行干刻处理，为保证每次干刻工艺结束后的光刻胶可以被完全去除干净，控制干刻工艺时间，在后续N次重复干刻工艺之后，整个绝缘层膜可以被完全刻蚀干净；三、剥离基板表面光刻胶；四、重复骤一、二、三的工艺步骤N次，直至干刻工艺结束。至此，本方法的TFT阵列基板深接触孔制造工艺结束。传统的TFT阵列基板中TFT深接触孔的制造方法通过多次光刻图形化转移、多次干法刻蚀进行，制作工艺较为繁复，生产受到影响，产品合格率不高，工艺制造成本较高，对于深接触孔图形干刻由于采用的光刻胶长时间在干刻气氛的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT深接触孔制造方法，其特征在于，包括如下步骤：a. 在清洗洁净的TFT基板上利用PECVD工艺沉积一层厚绝缘层膜，绝缘层膜的厚度根据工艺需求沉积比传统干刻工艺所能接受厚度更厚的厚度； b．在上述步骤a中制备的绝缘层膜之上用磁控溅射方法生长一层非晶化ITO膜层，使非晶化ITO膜层的厚度小于在上述步骤a中制备的绝缘层膜的厚度；c. 通过光刻图形化工艺，将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层上，然后按照非晶化ITO膜层上的接触孔图形所对应的施行湿法刻蚀区域形状，利用ITO刻蚀液对非晶化ITO膜层进行刻蚀，在非晶化ITO膜层上形成接触孔图形，使接触孔底部的绝缘层膜裸露出来，并利用剥离液剥离掉非晶化...

【技术特征摘要】
1.一种TFT深接触孔制造方法，其特征在于，包括如下步骤：a.在清洗洁净的TFT基板上利用PECVD工艺沉积一层厚绝缘层膜，绝缘层膜的厚度根据工艺需求沉积比传统干刻工艺所能接受厚度更厚的厚度；b．在上述步骤a中制备的绝缘层膜之上用磁控溅射方法生长一层非晶化ITO膜层，使非晶化ITO膜层的厚度小于在上述步骤a中制备的绝缘层膜的厚度；c.通过光刻图形化工艺，将接触孔图形转移至非晶化ITO膜层上，然后按照非晶化ITO膜层上的接触孔图形所对应的施行湿法刻蚀区域形状，利用ITO刻蚀液对非晶化ITO膜层进行刻蚀，在非晶化ITO膜层上形成接触孔图形，使接触孔底部的绝缘层膜裸露出来，并利用剥离液剥离掉非晶化ITO膜层表面上的光刻胶，使具有接触孔的非晶化ITO膜层显露出来；d.以在上述步骤c中制备的具有接触孔的非晶化ITO膜层作为绝缘层的干法刻蚀阻挡层，通过接触孔对绝缘层膜进行干法刻蚀，直至形...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈龙龙，李喜峰，张建华，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海;31