一种面向C波段的掺铒AlN光波导放大器及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种面向C波段的掺铒AlN光波导放大器及其制备方法，涉及光子器件技术领域。所述放大器包括：从下到上依次设置的衬底层、埋氧层、掺铒氮化铝波导层和二氧化硅包覆层；其中，所述掺铒氮化铝波导层为条形波导，且晶轴取向为高度c轴取向。本发明专利技术能够解决当前现有光波导放大器使用的掺铒半导体材料温度淬灭效应导致的发光效率低的问题，为实现大规模、可集成、高增益的光波导放大器提供了一种可行的方案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光子器件，特别是涉及一种面向c波段的掺铒aln光波导放大器及其制备方法。

技术介绍

1、在当今的光通信和光电子
，对高速、大容量的信息传输需求不断增长。光波导放大器作为关键组件之一，在提升光信号强度、延长传输距离等方面起着至关重要的作用。1550nm波段在光通信中具有独特的优势。首先，该波段处于低损耗窗口，能够有效减少信号在传输过程中的衰减，提高传输效率。其次，在这个波段，光纤的色散特性相对较为有利，可降低信号的失真。此外，1550nm波段与许多现有的光通信设备和系统兼容性良好，便于集成和应用。目前，随着光通信网络的不断发展和升级，对在1550nm波段具有高性能的光波导放大器的需求日益迫切。传统的放大器技术在该波段可能面临一些挑战，如放大效率有限、噪声较高、尺寸较大等问题。因此，开发新型的用于1550nm波段的光波导放大器成为了当前研究的热点。

2、目前，在室温通信波段光源领域的研究仍然面临着许多挑战。半导体材料在通信波段的发光主要依赖于掺杂铒离子的4f能级跃迁。

3、根据不同的光波导介质，已报道的近红外光波导放本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种面向C波段的掺铒AlN光波导放大器，其特征在于，包括：从下到上依次设置的衬底层、埋氧层、掺铒氮化铝波导层和二氧化硅包覆层；其中，所述掺铒氮化铝波导层为条形波导，且晶轴取向为高度c轴取向。

2.根据权利要求1所述的面向C波段的掺铒AlN光波导放大器，其特征在于，所述衬底层采用热氧片或蓝宝石。

3.根据权利要求1所述的面向C波段的掺铒AlN光波导放大器，其特征在于，所述埋氧层为二氧化硅，厚度在2μm到3μm之间。

4.根据权利要求1所述的面向C波段的掺铒AlN光波导放大器，其特征在于，所述掺铒氮化铝波导层的厚度为400nm，且掺铒浓度范围在0％～1...

【技术特征摘要】

1.一种面向c波段的掺铒aln光波导放大器，其特征在于，包括：从下到上依次设置的衬底层、埋氧层、掺铒氮化铝波导层和二氧化硅包覆层；其中，所述掺铒氮化铝波导层为条形波导，且晶轴取向为高度c轴取向。

2.根据权利要求1所述的面向c波段的掺铒aln光波导放大器，其特征在于，所述衬底层采用热氧片或蓝宝石。

3.根据权利要求1所述的面向c波段的掺铒aln光波导放大器，其特征在于，所述埋氧层为二氧化硅，厚度在2μm到3μm之间。

4.根据权利要求1所述的面向c波段的掺铒aln光波导放大器，其特征在于，所述掺铒氮化铝波导层的厚度为400nm，且掺铒浓度范围在0％～1.8...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵兴岩，谢泽彬，邱阳，郑少南，董渊，钟其泽，胡挺，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：