制造孔层的方法技术

一种在包含至少一个由可被氧化或氮化的材料形成的衬底（１０１）的结构体（１００）中制造孔层的方法，所述方法包括以下步骤：向所述衬底（１０１）中注入离子（１０），以在预定平均深度处形成注入离子集中区（１０２）；热处理经注入的所述衬底，以在所述注入离子集中区（１０２）形成孔层（１０３）；和通过热化学处理从所述衬底的一个表面起在所述衬底中形成绝缘层（１０５），形成的所述绝缘层至少部分延伸至所述孔层（１０３）中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
和
技术介绍
本专利技术涉及制造位于氧化物或氮化物绝缘层中的孔的方法。在用于电子、微电子和光电子应用的如(绝缘体上半导体)型结构体等多层结构体的制造中，通常是例如在如硅晶片等半导体材料的晶片之间插入绝缘层。此外，可能需要在绝缘结构体中形成微孔或微泡。这尤其是在要使结构体能够在绝缘层处分离时适用，如文献W0-A-2005/034218中所述。例如，文献"Structural and nuclear characterizations of defects created by noble gas implantation in silicon oxide，，(H. Assaf■等，Nuclear Instruments and Methods,B 253(2006),222-26)描述了一种在氧化硅(SiO2)层中形成微泡以降低该氧化物层的介电常数k的值并因此而降低其电容率的方法。该文献中所描述的这一方法包括利用重稀有气体离子(如氙)注入在硅衬底上形成的SiO2层。所述注入使得在S^2层中形成微泡。然而，该方法需要利用重稀有气体离子，这涉及使用特定离子源和更为昂贵的设备(注入机)。与本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种在结构体（１００）中制造孔层的方法，所述结构体（１００）包含至少一个由能够被氧化或氮化的材料形成的衬底（１０１），所述方法包括以下步骤：·向所述衬底（１０１）中注入离子（１０），以在预定平均深度处形成注入离子集中区（１０２）；·热处理经注入的所述衬底，以在所述注入离子集中区（１０２）形成孔层（１０３）；和·通过热化学处理从所述衬底的一个表面起在所述衬底中形成绝缘层（１０５），形成的所述绝缘层至少部分延伸至所述孔层（１０３）中。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：迪迪埃·朗德吕，
申请(专利权)人：硅绝缘体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：FR