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一种在包含至少一个由可被氧化或氮化的材料形成的衬底（１０１）的结构体（１００）中制造孔层的方法，所述方法包括以下步骤：向所述衬底（１０１）中注入离子（１０），以在预定平均深度处形成注入离子集中区（１０２）；热处理经注入的所述衬底，以在所述注...
该专利属于硅绝缘体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅绝缘体技术有限公司授权不得商用。

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