【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在裸片内形成多深度浅沟槽以用于装置隔离的独特工艺。
技术介绍
半导体芯片上的不同区段包括具有需要与半导体裸片的其它部分电绝缘的多个结构的电子电路。为此目的，在相应结构周围形成沟槽。然而，根据相应规格，一些结构需要到达衬底中较深处以充分地提供绝缘的沟槽。存在于半导体装置内形成此类隔离沟槽的各种方法。然而，如果需要位于同一晶片上的具有不同深度的沟槽，那么这些常规方法需要进一步的精心开发。因此，需要提供跨越半导体裸片形成多深度浅隔离沟槽的经改进方法。
技术实现思路
根据一实施例，一种用于制造半导体裸片的方法可包括以下步骤_提供半导体衬底；-将所述衬底处理到其中可形成浅沟槽隔离(STI)的点；在晶片上沉积具有预定义的厚度的至少一个底层；-在所述底层的顶部上沉积掩蔽层；-使所述掩蔽层成形为具有预定义的深度的区域；-施加光学光刻过程以暴露其中将形成沟槽的所有区域；及-蚀刻所述晶片以形成若干硅沟槽，其中沟槽的深度取决于相对于所述掩蔽层区域的位置。根据另一实施例，所述使所述掩蔽层成形的步骤可包括以下步骤_施加第一光刻过程以界定其中将形成最深沟槽的区域；-执行蚀...
【技术保护点】
１．一种用于制造半导体裸片的方法，其包括以下步骤：提供半导体衬底；将所述衬底处理到其中可形成浅沟槽隔离（ＳＴＩ）的点；在晶片上沉积具有预定义的厚度的至少一个底层；在所述底层的顶部上沉积掩蔽层；使所述掩蔽层成形为具有预定义的深度的区域；施加光学光刻过程以暴露其中将形成沟槽的所有区域；及蚀刻所述晶片以形成若干硅沟槽，其中沟槽的深度取决于相对于所述掩蔽层区域的位置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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