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本发明涉及一种用于制造半导体裸片的方法，其可具有以下步骤：提供半导体衬底；将所述衬底处理到其中可形成浅沟槽隔离（ＳＴＩ）的点；在晶片上沉积具有预定义的厚度的至少一个底层；在所述底层的顶部上沉积掩蔽层；使所述掩蔽层成形为具有预定义的深度的区域...
该专利属于密克罗奇普技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过密克罗奇普技术公司授权不得商用。

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