电性连接结构及其制备方法技术

本发明专利技术是有关于一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构及其制备方法，其中制备方法包括：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中第一基板上设有一第一铜膜，第二基板上设有一第一金属膜，第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将第一铜膜及第一金属膜相互接合以形成接点，其中第一铜膜的第一接合面与第一金属膜的第二接合面相互对应。

【技术实现步骤摘要】
电性连接结构及其制备方法
本专利技术是关于一种电性连接结构及其制备方法，尤指一种适用于三维集成电路用的电性连接结构及其制备方法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，对于具有体积小、重量轻、多功能且高性能的电子产品需求也日益增加。在目前集成电路的发展上，为了将多种有源元件及无源元件设于同一个装置上，现今多采用半导体封装技术，以达到在有限的单位面积下容纳更多数量的线路及电子元件的目的。在封装基板或电路板的堆叠中，可使用焊料或铜膜进行堆叠。当使用一般的铜材料所做成的铜膜进行堆叠时，由于一般的铜材料晶格方向并无单一性，而形成方向性零散的小晶粒，因此接合前需进行多种如精细的表面抛光且刻蚀之前处理，而后再在限制多的环境(如，氮气、酸气)下，进行热压接合，此外，热压接合的温度需在300℃以上的温度下进行，此温度有可能会破坏电路板中的元件。另外，虽然已经有报导铜膜能在室温下接合，但是铜表面必须是原子级的平整，而且接合的环境必须是在10-8torr的超高真空内，因此无法量产。如图1A所示，当两基板11，13以铜膜12，14进行接合时，若铜膜12，14的接合面不具有良好平整度时，容易在接合处产生接缝或空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中该第一基板上设有一第一铜膜，该第二基板上设有一第一金属膜，该第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将该第一铜膜及该第一金属膜相互接合以形成一接点，其中该第一铜膜的该第一接合面与该第一金属膜的该第二接合面相互对应。

【技术特征摘要】
2013.02.07 TW 102104935;2013.09.26 TW 1021347141.一种用以电性连接一第一基板及一第二基板的电性连接结构的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：(A)提供一第一基板及一第二基板，其中该第一基板上设有一第一铜膜，该第二基板上设有一第一金属膜，该第一铜膜的一第一接合面为一含(111)面的接合面，且该第一金属膜具有一第二接合面；以及(B)将该第一铜膜及该第一金属膜相互接合以形成一接点，其中该第一铜膜的该第一接合面与该第一金属膜的该第二接合面相互对应；其中，该第一铜膜的材料为一接合面为(111)面的铜层、或一纳米双晶铜层；且以该含(111)面的接合面的总面积为基准，60-100％的总面积为(111)面。2.根据权利要求1所述的制备方法，其中该第一铜膜的该第一接合面及该第一金属膜的该第二接合面均为一含(111)面的接合面。3.根据权利要求1所述的制备方法，其中该第一铜膜包括多个具有(111)面的铜晶粒，以该铜晶粒的(111)面的法向量与接合面的法向量的角度为15度定为(111)面的基础下，在该含(111)面的接合面中，以该含(111)面的接合面的总面积为基准，60-100％的总面积为(111)面。4.根据权利要求1所述的制备方法，其中该第一金属膜的材料选自由金、银、铂、镍、铜、钛、铝及钯所组成的群组。5.根据权利要求1所述的制备方法，其中该第一金属膜为一第二铜膜。6.根据权利要求5所述的制备方法，其中该第二铜膜的材料为一接合面为(111)面的铜层、或一纳米双晶铜层。7.根据权利要求1所述的制备方法，其中在步骤(A)前还包括一步骤(A’)：以酸液清洗该第一铜膜的该第一接合面与该第一金属膜的该第二接合面。8.根据权利要求6所述的制备方法，其中该纳米双晶铜层的50％以上的体积包括多个晶粒。9.根据权利要求7所述的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智，刘道奇，黄以撒，刘健民，
申请(专利权)人：财团法人交大思源基金会，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71