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本发明公开了一种TFT深接触孔制造方法，采用非晶化ITO膜层生长在厚绝缘层膜之上，利用图形化工艺将接触孔图形转移至此非晶化ITO膜层之上，在深接触孔刻蚀过程中无需多次曝光、干刻接触孔而形成深接触孔，一方面节省了工艺成本及提升工艺时间，另一方...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

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