【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在安装半导体元件或放热部件等时可以使用的具有导电性的粘接膜、以及将其与切割胶带组合而成的切割芯片粘接膜、和使用了这些膜的半导体晶片的加工方法。
技术介绍
在引线框架等上安装半导体元件时,使用了含铅焊锡的接合法广为人知。然而,近年来由于对环境问题认识度的提高,限制使用铅的行动在推广。这种状况下,代替铅焊锡的烧结银或Sn-Bi系或Cu-Sn系、Cu-Ag-Sn系等无铅焊锡糊备受关注。特别是,烧结银或可形成金属间化合物的Cu-Sn系焊锡虽然能够在较低温度下烧结但烧结后仍显示出高熔点,因此在能够兼具安装的容易度和安装后的耐热性方面非常有效。然而,由于烧结银的成本高、并且通常需要高达300℃以上的烧结温度,因此容易给半导体元件周边的其他部件带来损伤,而无铅焊锡在半导体背面电极上的润湿扩散差,为了得到足够的接合强度,而需要在待搭载的半导体芯片上涂上大量的无铅焊锡,存在着难以获得溢出与接合强度的平衡的问题。针对如上所述的问题,有人提出了在由环氧树脂或丙烯酸树脂构成的粘合剂中分散有导电颗粒的粘接膜(专利文献1~3)。在半导体晶片上贴合这些粘接膜后,当同时切割晶 ...
【技术保护点】
一种导电性粘接膜,所述导电性粘接膜包含至少含Cu的两种以上的金属颗粒和具有聚二甲基硅氧烷骨架的高分子。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.29 JP 2014-1763591.一种导电性粘接膜,所述导电性粘接膜包含至少含Cu的两种以上的金属颗粒和具有聚二甲基硅氧烷骨架的高分子。2.根据权利要求1所述的导电性粘接膜,其中,所述金属颗粒的至少一部分包含熔点为250℃以下的成分。3.根据权利要求1或2所述的导电性粘接膜,其中,所述金属颗粒能够形成金属间化合物。4.根据权利要求1~3中任一项所述的导电性粘接膜,其中,所述导电性粘接膜包含由醇、酮、羧酸、胺中的至少一种构成的助熔剂成分,该助熔剂成分呈与所述具有聚二甲基硅氧烷骨架的高分子发生了相分离的状态。5.根据权利要求1~4中任一项所述的导电性粘接膜,其中,所述具有聚二甲基硅氧烷骨架的高分子的至少一部分具有-COOH或-CRx(OH)y或-N...
【专利技术属性】
技术研发人员:三原尚明,切替德之,杉山二郎,青山真沙美,
申请(专利权)人:古河电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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