带粘接膜的芯片的形成方法技术

本发明专利技术提供带粘接膜的芯片的形成方法，对于用于形成在背面粘贴有粘接膜的芯片的带粘接膜的芯片的形成方法，针对粘接膜的断开，提供用于解决上述问题的技术。带粘接膜的芯片的形成方法具备：在实施了粘接膜分割槽形成步骤后，将扩张片粘贴到在晶片粘贴的粘接膜上的扩张片粘贴步骤；以及在实施了扩张片粘贴步骤后，通过使扩张片扩张来对晶片施加外力，将晶片和粘接膜分割成一个个芯片，形成多个在背面粘贴有粘接膜的带粘接膜的芯片的分割步骤。

【技术实现步骤摘要】
带粘接膜的芯片的形成方法
本专利技术涉及用于形成在背面粘贴有粘接膜的芯片的带粘接膜的芯片的形成方法。
技术介绍
以往，如专利文献1所述，已知在背面粘贴有粘接膜（粘结层）的半导体芯片的制造方法。粘接膜被称为DAF（DieAttachFilm，芯片粘结薄膜），其用于晶片接合。而且，如专利文献2所述，已知所谓的预切割法：沿着在形成有半导体元件的晶片上呈格子状配置的切割线，从半导体元件的形成面侧形成比完成时的芯片的厚度深的槽，然后磨削和研磨晶片的背面至完成时的芯片的厚度，将晶片分离成一个个芯片。并且，如专利文献3所述，已知下述方法：对已经利用预切割法分割成芯片的晶片粘贴粘接膜，然后，通过在相邻的芯片之间向粘接膜照射激光束，从而使粘接膜断开。另一方面，如专利文献4所述，已知下述方法：不利用激光束使粘接膜断开，而以分割装置撕裂粘接膜。专利文献1：日本特开2000-182995号公报专利文献2：日本特开平11-040520号公报专利文献3：日本特开2002-118081号公报专利文献4：日本特开2005-223283号公报但是，如专利文献3所公开的，在对利用预分割法暂时分割成芯片的晶片粘贴粘接膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带粘接膜的芯片的形成方法，所述带粘接膜的芯片的形成方法用于形成在背面粘贴有粘接膜的带粘接膜的芯片，所述带粘接膜的芯片的形成方法的特征在于，所述带粘接膜的芯片的形成方法具备：分割起点形成步骤，在该分割起点形成步骤中，在设定有交叉的多条分割预定线的晶片形成沿着所述分割预定线的分割起点；粘接膜粘贴步骤，在该粘接膜粘贴步骤中，在实施了所述分割起点形成步骤后，将粘接膜粘贴至晶片的背面；粘接膜分割槽形成步骤，在该粘接膜分割槽形成步骤中，在实施了所述粘接膜粘贴步骤后，利用激光束的照射或切削刀具在所述粘接膜形成沿着所述分割预定线的分割槽；扩张片粘贴步骤，在该扩张片粘贴步骤中，在实施了所述粘接膜分割槽形成步...

【技术特征摘要】
2012.04.02 JP 2012-0837801.一种带粘接膜的芯片的形成方法，所述带粘接膜的芯片的形成方法用于形成在背面粘贴有粘接膜的带粘接膜的芯片，所述带粘接膜的芯片的形成方法的特征在于，所述带粘接膜的芯片的形成方法具备：分割起点形成步骤，在该分割起点形成步骤中，在设定有交叉的多条分割预定线的晶片形成沿着所述分割预定线的分割起点；粘接膜粘贴步骤，在该粘接膜粘贴步骤中，在实施了所述分割起点形成步骤后，将粘接膜粘贴至晶片的背面；粘接膜分割槽形成步骤，在该粘接膜分割槽形成步骤中，在实施了所述粘接膜粘贴步骤后，利用激光束的照射或切削刀具在所述粘接膜形成沿着所述分割预定线的分割槽；扩张片粘贴步骤，在该扩张片...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔·普利瓦西尔，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：