【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种防止浅沟槽隔离(ShallowTrench Isolation, STI)边缘娃接触孔漏电的方法。
技术介绍
在半导体制造过程中,浅沟槽隔离工艺具有隔离效果好,占用面积小等优点。典型的STI工艺流程包括:硅衬底上的氧化硅(pad oxide)和氮化硅淀积、STI沟槽刻蚀、氧化娃(HDP Oxide)的填入、氧化娃的化学机械研磨(CMP)、氮化娃和氧化娃(pad oxide)的去除。同时,随着半导体集成电路的集成度逐渐提高,越来越多的产品在设计中采用了浅沟槽隔离无边缘(borderless)孔,如图1中由圆圈标示的部分所示,以缩小芯片面积。但是由于某些原因(例如应力方面的考虑等),有些半导体工艺中(如某些嵌入式内存的工艺)不能采用硅接触孔的刻蚀阻挡层,结果就是硅接触孔刻蚀工艺的窗口非常的小,从而导致如下问题:I)当刻蚀不足时,会导致硅接触孔不通。2)当刻蚀过多时,刻蚀的深度超过了 N+或P+的结深,就会导致浅沟槽隔离无边缘孔在STI边缘漏电。传统的解决方法是在硅接触孔形成以后,在Ν/P型硅接触孔区域分别利用离子注入,注入相应的Ν/P型离子,以补充在硅接触孔刻蚀中被刻蚀掉的部分。其缺点是需要使用价格昂贵的离子注入机台,增加了制造成本。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种,能够有效降低制造成本,而且可以达到更好的防漏电效果。为解决上述技术问题,本专利技术的,是采用如下技术方案实现的:硅接触孔形成以后,采用液态的N型或P型溶液,在N型或P型硅接触孔区域分别掺杂N型或P型离子,以补充在硅接触孔 ...
【技术保护点】
一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法,其特征在于:在硅接触孔形成以后,用液态的N型或P型溶液,在N型或P型硅接触孔区域分别掺杂N型或P型离子,以补充在硅接触孔刻蚀中被刻蚀掉的部分。
【技术特征摘要】
1.一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法,其特征在于:在硅接触孔形成以后,用液态的N型或P型溶液,在N型或P型硅接触孔区域分别掺杂N型或P型离子,以补充在硅接触孔刻蚀中被刻蚀掉的部分。2.一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法,其特征在于,其N+掺杂部分,包括如下步骤: 步骤一、在位于硅衬底上方的绝缘层中形成硅接触孔后,在所述绝缘层上方涂覆光刻胶,利用光刻露出N+硅接触孔; 步骤二、在所述N+硅接触孔中和光刻胶的表面涂布N+溶液; 步骤三、对所述N+溶液加热,使得N+溶液挥发,留下N型离子残留在所述N+硅接触孔表面的相应区域; 步骤四、使用干法去胶工艺方法去除所述光刻胶; 步骤五、对经过上述步骤处理已经形成的器件结构进行退火处理,使得残留在所述N+硅接触孔表面的N型离子扩散到所述N+...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘俊,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。