防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法技术

本发明专利技术公开了一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法，在硅接触孔形成以后，采用液态的N型或P型溶液，在N型或P型硅接触孔区域分别掺杂N型或P型离子，以补充在硅接触孔刻蚀中被刻蚀掉的部分。本发明专利技术能够有效降低制造成本，而且可以达到更好的防漏电效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种防止浅沟槽隔离(ShallowTrench Isolation, STI)边缘娃接触孔漏电的方法。
技术介绍
在半导体制造过程中，浅沟槽隔离工艺具有隔离效果好，占用面积小等优点。典型的STI工艺流程包括:硅衬底上的氧化硅(pad oxide)和氮化硅淀积、STI沟槽刻蚀、氧化娃(HDP Oxide)的填入、氧化娃的化学机械研磨(CMP)、氮化娃和氧化娃(pad oxide)的去除。同时，随着半导体集成电路的集成度逐渐提高，越来越多的产品在设计中采用了浅沟槽隔离无边缘(borderless)孔,如图1中由圆圈标示的部分所示，以缩小芯片面积。但是由于某些原因(例如应力方面的考虑等)，有些半导体工艺中(如某些嵌入式内存的工艺)不能采用硅接触孔的刻蚀阻挡层，结果就是硅接触孔刻蚀工艺的窗口非常的小，从而导致如下问题:I)当刻蚀不足时，会导致硅接触孔不通。2)当刻蚀过多时，刻蚀的深度超过了 N+或P+的结深，就会导致浅沟槽隔离无边缘孔在STI边缘漏电。传统的解决方法是在硅接触孔形成以后，在Ν/P型硅接触孔区域分别利用离子注入，注入相应的Ν本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法，其特征在于：在硅接触孔形成以后，用液态的N型或P型溶液，在N型或P型硅接触孔区域分别掺杂N型或P型离子，以补充在硅接触孔刻蚀中被刻蚀掉的部分。

【技术特征摘要】
1.一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法，其特征在于:在硅接触孔形成以后，用液态的N型或P型溶液，在N型或P型硅接触孔区域分别掺杂N型或P型离子，以补充在硅接触孔刻蚀中被刻蚀掉的部分。2.一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法，其特征在于，其N+掺杂部分，包括如下步骤: 步骤一、在位于硅衬底上方的绝缘层中形成硅接触孔后，在所述绝缘层上方涂覆光刻胶，利用光刻露出N+硅接触孔； 步骤二、在所述N+硅接触孔中和光刻胶的表面涂布N+溶液； 步骤三、对所述N+溶液加热，使得N+溶液挥发，留下N型离子残留在所述N+硅接触孔表面的相应区域； 步骤四、使用干法去胶工艺方法去除所述光刻胶； 步骤五、对经过上述步骤处理已经形成的器件结构进行退火处理，使得残留在所述N+硅接触孔表面的N型离子扩散到所述N+...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：