【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成光学
,具体是一种新型的硅基水平槽式微环结构具有偏振复用及解复用功能。
技术介绍
近年来,随着光子集成技术的迅猛发展,光子器件的尺寸正在逐渐减小,成本低廉、技术成熟的CMOS工艺被广泛应用到光子器件的设计及制作领域。利用高折射率差的材料如绝缘层上硅,可极大地提高片上光器件的集成度。同时为应对当前光互连容量和带宽迅速增加的需求,偏振复用技术已被广泛用于长距离光通信网络、极大的提高了光通信容量,但是在片上系统中,偏振复用技术及其与其它技术的融合还需进一步研究。偏振复用及解复用器作为偏振复用系统中的关键部件,在提高系统传输容量方面具有重要的意义和作用,其主要原理和功能是在特定波长条件下,将传输信号中具有不同偏振模式的光在不同波导端口分别输出或者将不同端口的输入信号进行复用在总线波导中传输。由于具有不同偏振态的模式可以同时传递光信号,通过对不同偏振态模式的复用及解复用可以有效提升光互连的传输容量及带宽。硅基微环谐振器具有优越的光谱特性与偏振特性,被广泛研究并应用于调制器、滤波器、光开光、光复用及解复用器中,而硅基微环谐振腔型波分复用(WD ...
【技术保护点】
一种硅基水平槽式微环偏振复用及解复用器,包括衬底(5)和包层(6),其特征在于,包括输入波导(1)、横电模输出波导(2)、横磁模输出波导(3)和水平槽式微环(4);所述衬底(5)位于包层(6)内底部,输入波导(1)、横电模输出波导(2)、横磁模输出波导(3)和水平槽式微环(4)放置于衬底(5)上方紧贴衬底(5)表面;水平槽式微环(4)自下而上依次包括底部介质波导环(41)、低折射率材料填充环(42)和上部介质波导环(43);所述波导均为硅基波导,其中输入波导(1)与横电模输出波导(2)直通相连形成输入输出波导,水平槽式微环(4)位于平行放置的输入波导(1)和输入输出波导之间。
【技术特征摘要】
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