The invention of the silicon known frequency slot coupled type T node indirect type millimeter wave phase detector is composed of a coplanar waveguide, coupling structure, phase shifter, T junction power divider, T junction power combiner and indirect type thermoelectric power sensor composed of high resistivity Si substrate, making the whole structure based on it is provided with four slot coupling structure two slot coupling structure above the connecting two indirect type thermoelectric power sensor, two slot coupled structure below the realization of phase measurement signal, a phase shifter is arranged in the gap between before and after; T junction power divider and T junction power combiner is composed of a coplanar waveguide, fan-shaped defect structure and air bridge; indirect type thermoelectric power sensor is mainly composed of a coplanar waveguide and two terminal resistor and a thermopile, thermopile is composed of two different level semiconductor arm The utility model can convert the heat emitted by the terminal resistance into a thermal electric potential, and the structure realizes the on-line phase detection of millimeter wave very well.
【技术实现步骤摘要】
硅基已知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器
本专利技术提出了硅基已知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器,属于微电子机械系统(MEMS)的
技术介绍
在当今信息科学技术不断发展的时代,对各种信号的探测技术也在不断的发展与完善,毫米波信号是一种介于微波信号和光信号之间的高频率信号,对于毫米波信号的检测技术在军事、航空航天以及通信领域有着非常广泛的潜在应用。其中相位是毫米波信号中三个重要的参数之一(功率、频率和相位),对相位的检测一直是人们不断研究的课题之一,尤其是在毫米波频段,在这种高频率波段的相位测量一直是人们遇到的难题之一,现有的相位检测器有些虽然能够进行高频率的相位测量,但是它的结构复杂、成本较高,并且无法实现在线式的测量,还有些相位检测器虽然能够实现在线式的测量,但是一般都处于低频段的区域,无法达到毫米波频段,这些问题都制约着相位检测器的发展,需要人们去不断的完善与解决。针对以上相位检测器遇到的难题,并在共面波导缝隙耦合结构、T型结功分器、T型结功合器以及间接式热电式功率传感器的研究基础上,本专利技术在高阻Si衬底上设计了一种在已知频率下的毫米波在线相位检测器,它采用了共面波导缝隙耦合结构来实现毫米波的相位检测,在大大降低相位检测器的复杂程度的同时,还提高了其检测效率。
技术实现思路
技术问题:本专利技术的目的是提供一种硅基已知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器,本专利技术采用了共面波导缝隙耦合结构来进行相位检测,在功率分配和功率合成方面则采用了T型结功分器和T型结功合器的结构,在信号的功率测量方面则采用了间接式热电式功率 ...
【技术保护点】
一种硅基已知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器,其特征在于,该相位检测器制作在高阻Si衬底(1)上,是由共面波导(4)、一号缝隙耦合结构(5‑1)、二号缝隙耦合结构(5‑2)、三号缝隙耦合结构(5‑3)、四号缝隙耦合结构(5‑4)、移相器(6)、一个T型结功分器、二个T型结功合器以及四个间接式热电式功率传感器所构成,具体结构的连接关系如下:第一端口(1‑1)是信号输入端,一号缝隙耦合结构(5‑1)和二号缝隙耦合结构(5‑2)位于共面波导(4)上侧地线,三号缝隙耦合结构(5‑3)和四号缝隙耦合结构5‑4)则位于共面波导(4)下侧地线,这两对缝隙关于中心信号线对称,它们之间由一个移相器(6)隔开,一号缝隙耦合结构(5‑1)连接到第二端口(1‑2),第二端口(1‑2)与一号间接式热电式功率传感器相连,同样的,二号缝隙耦合结构(5‑2)连接到第三端口(1‑3),第三端口(1‑3)与二号间接式热电式功率传感器连接;再看相位检测模块(3),三号缝隙耦合结构(5‑3)与第四端口(1‑4)相连,第四端口(1‑4)连接到一号T型结功合器,四号缝隙耦合结构(5‑4)与第五端口(1‑5)相连,第五端 ...
【技术特征摘要】
1.一种硅基已知频率缝隙耦合式T型结间接式毫米波相位检测器,其特征在于,该相位检测器制作在高阻Si衬底(1)上,是由共面波导(4)、一号缝隙耦合结构(5-1)、二号缝隙耦合结构(5-2)、三号缝隙耦合结构(5-3)、四号缝隙耦合结构(5-4)、移相器(6)、一个T型结功分器、二个T型结功合器以及四个间接式热电式功率传感器所构成,具体结构的连接关系如下:第一端口(1-1)是信号输入端,一号缝隙耦合结构(5-1)和二号缝隙耦合结构(5-2)位于共面波导(4)上侧地线,三号缝隙耦合结构(5-3)和四号缝隙耦合结构5-4)则位于共面波导(4)下侧地线,这两对缝隙关于中心信号线对称,它们之间由一个移相器(6)隔开,一号缝隙耦合结构(5-1)连接到第二端口(1-2),第二端口(1-2)与一号间接式热电式功率传感器相连,同样的,二号缝隙耦合结构(5-2)连接到第三端口(1-3),第三端口(1-3)与二号间接式热电式功率传感器连接;再看相位检测模块(3),三号缝隙耦合结构(5-3)与第四端口(1-4)相连,第四端口(1-4)连接到一号T型结功合器,四号缝隙耦合结构(5-4)与第五端口(1-5)...
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