硅中浅槽隔离层的形成方法技术

一种硅晶圆中浅隔离槽区的形成方法，该方法可消除晶圆内长范围的滑移位错，并减少流经隔离区的电流漏泄。在一硅晶圆（１１）中以与晶圆的晶面（１１１）成４５°角形成多条长形浅槽（１７）。这可以这样实现：在槽形成之前使晶圆的主切面移至晶面（１００），这就使诸长形槽的底边与多个晶面（１１１）相交，这样，应力就不会沿任何单一晶面（１１１）传播。然后，用诸如氧化物的绝缘材料填充各槽（１７）。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种浅槽隔离层(STI)的形成，更具体地说，涉及一种STI区的调整方法以减少硅中的缺陷。
技术介绍
半导体集成电路晶片被构成为晶圆上的芯片(die)。一种典型的晶圆材料是晶体硅。晶圆从单晶硅锭切割下来，所述单晶硅采用柴式(Czochralski)长晶法(CZ法)自多杂质的多晶硅上生长而成。在CZ长晶法中，单晶硅锭是从一坩埚内熔化的硅中拉出的。Czochralski硅晶圆(CZ晶圆)最好应用于超大规模集成电路(VLSI)，因为它们可以抗高热应力，并能够提供一内部去疵机制，以便可以去除晶圆表面上的器件结构中不希望有的杂质。这也使晶圆具有相同内部的硅的钻石立方晶格结构。虽然这种钻石立方晶格结构可使晶圆具有强度和刚度，但晶格内的缺陷会对晶圆电性能产生不利的影响，导致每片晶圆产出优质芯片(good dies)的数量减少。硅(Si)属于第四族元素，它具有四个价电子，每一价电子与它最邻近的四个硅原子中的一个共用。最邻近之间共用的每对价电子形成一共价键使硅具有固体晶态结构。硅的钻石立方晶格结构示于附图说明图1中。以多个方向切割晶圆的晶格结构形成若干在多个方向上相交的晶面。图2中示出三个主晶面。图中所示分别为三个立方结构内的三个主晶面(111)，(110)和(100)的方向。每个晶面方向均由一组限定三个矢量分量的三轴向x，y和z确定。三个立方体都是沿三轴向x，y和z排列，且每一立方晶面的单位长度为1。在此座标系统内，1表示晶面相交的轴线。例如，由(111)限定的晶面表示其与所有的三条轴线x，y和z相交。同样，晶面(110)与x和y轴线相交，而晶面(100)仅与x轴线相交。硅的多结构特性取决于其晶面的方向。晶面(111)的原子密度最高，而且堆积得很紧密。晶面被堆积得越紧密，发生滑移位错的可能性就越高。这些位错会促使电荷漏泄而导致器件失效。因此，鉴别晶圆上的晶面是很重要的。为帮助鉴别这些晶面，传统上，一般以一与选定的晶向相关的主切面区构成晶圆。主切面的方向以X-射线技术来确定，并可应用于某些方面。例如，自动化晶圆处理装置用主切面来准确对位，并可利用主切面作为基准使晶圆上的器件定位于特定的晶向。通常，晶圆的主切面与晶面(110)对齐。因此，一些构成的器件可具有沿多紧密堆积的晶面排列的多维空间。这在传统上并没有问题，因为所形成的任何缺陷对器件的性能影响很小，并可忽略。然而，并非所有的缺陷都可忽略，并且已经有人提出一些用于减少特定缺陷的技术。Guldi的美国专利5,576,230解释了，如果离子植入后使再结晶沿多个晶面进行，则在MOS晶体管的漏极和源极区会出现显微位错。这些显微位错可在来自叠层的应力作用下生长。Guldi建议，如果以一角度植入漏极和源极区，可促使沿一单晶面再结晶，特别是晶面(110)，并限制沿其他晶面再结晶。由于隔离区相当大，应特别关心基板内沿隔离区的构造性缺陷。Lee等人的美国专利5,913,133解释了，由于光罩未对准，将会对隔离区产生损坏。Lee认为，通过形成隔离层可以减少损坏，因为隔离层的缘部不暴露在基板表面。Jeong-Hwan Son等人的美国专利5,904,538提出了一种半导体存储器件中的浅槽隔离区(STI)的显影方法，该方法通过在形成槽之前在待形成槽的半导体基板中植入氟离子来达成。氟离子沿着靠近基板表面的槽各上角以相对两侧扩散。氟离子防止隔离区曝光，从而减少损坏。这些方法旨在通过对半导体制作过程的具体改变来减少缺陷。另一种减少缺陷的方法是改进晶圆自身的质量。一种实施方法是采用磊晶生长法，即在单晶基板表面上沉积一薄的单晶体材料层。这种晶圆称之磊晶圆。电路结构可以一薄型轻掺杂外延层在一重掺杂基板上构成。这类晶圆的实验表明，它们比标准抛光晶圆的产率高。然而，就目前而言，带有一外延基板的晶圆比标准抛光晶圆贵两倍以上，而且它们的利益并不比其高成本更重要。本专利技术的一个目的是减少IC基板中的缺陷，诸如滑移位错以及杂质的吸附点。本专利技术的另一个目的是以最小成本增加使基板中的隔离区显影。本专利技术还有一个目的是提供一种STI隔离区的构成方法，该方法藉由硅的固有晶体结构来减少缺陷。专利技术概述申请人发现，由于器件的尺寸不断地减小，而热循环不断地增大，基板的质量对于器件的特性变得更关键。形成槽诸如STI和LOCOS会产生大的应力集中点，诸如杂质吸附点以及其他的硅缺陷。有人发现，沿晶面(110)蚀刻晶圆会产生STI岛，使它们自身在纵横两方向与晶面(111)对齐。这种作用是由晶面(111)对晶面(110)的相关晶向产生的。由于槽的形成，其弯曲部分本身与晶面(111)对齐。这种与晶面(111)的对齐降低了晶圆的质量，因为晶面(111)为很紧密堆积且对滑移和其他位错缺陷敏感。有人发现，通过使由一CZ晶圆形成的主切面由晶面(110)至晶面(100)转动45°角，形成槽将不再与晶面(111)对齐。在此情况下，槽将以45°角通过晶面(111)。有人发现，这会大大地减小沿晶面(111)方向的应力传播/消除，由此减少缺陷，特别是在STI角处。附图简要说明图1所示为本领域公知的硅的钻石立方体晶格结构。图2为现有技术的视图，其中示出硅的钻石立方体晶格结构的三个主晶面。图3所示为硅晶圆的晶面(111)和晶面(110)的晶向。图4为一硅晶圆的立体视图，其中示出一与晶面(110)对齐的槽区。图5为沿图4所示5-5线相交的硅晶圆的切割区的二维视图。图6为图5所示结构的立体视图，其中示出与基板相交的晶面(111)。图7所示为一系列晶面(111)和一沿晶面(110)定位的槽之间的关系。图8所示为根据本专利技术的硅晶圆的晶面(111)和晶面(110)的关系。图9所示为具有一与晶面(100)对齐的槽区的硅晶圆的立体视图。图10为图9所示结构的切割区的立体视图，其中示出与本专利技术基板相交的晶面(111)。图11所示为本专利技术的一系列多个晶面(111)和一槽之间的关系。较佳实施例的描述请参见图3，图中示出一晶圆11，其具有一在本领域内称为切面13的直线区。切面13在晶圆11上诸如电路元件12的电子元件结构中用作基准。切面13的方向利用本领域公知的X-射线技术来确定。在本例中，切面13与晶面(110)对齐，这是本领域的一般作法。由于电路结构通常与晶圆的切面对齐，在晶圆11上构成的电路元件12同样与晶面(110)对齐。晶面(111)以45°角与晶圆11的表面相交，即晶面(110)，为了描述，晶面(111)在图中示为三角形。用一相交的标线15表示晶面(111)与晶圆11表面的结合，而晶面(111)超出晶圆11的范围。由于切面13与晶面(110)对齐，相交线15也必定平行于切面13。因此，电路元件12同样平行于相交线15。请参见图4，图中示出晶圆11的立体视图。为解释的目的，图3的电路元件12做成一扩大的长槽区17。槽是构成浅槽隔离区STI中的第一步，该槽用于与集成电路的作用区隔离。STI隔离区将以诸如氧化物的绝缘材料填充槽17来完成。STI隔离区限制基板的诸作用区之间的电荷漏泄。本专利技术使用一种槽结构，由于在集成电路上的隔离区结构较大，而且申请人发现，由于它们的相对尺寸增大，故而结构性缺陷时常会集中在它们的路径上，特别是容易出现位错错误。申请人还发现，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在硅晶圆中形成浅隔离槽的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：使一晶圆切面的方向以硅晶圆一晶面（１００）的方向对齐；在晶圆中形成一槽，所述槽具有一对相对的壁和一底面，所述底面与所述两壁相交形成一对接合边，该对接合边的每一端具有 角区，其相应于其中一所述壁的垂直边；以及用绝缘材料填充所述槽。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2000-11-14 09/713,5131.一种在硅晶圆中形成浅隔离槽的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤使一晶圆切面的方向以硅晶圆一晶面(100)的方向对齐；在晶圆中形成一槽，所述槽具有一对相对的壁和一底面，所述底面与所述两壁相交形成一对接合边，该对接合边的每一端具有角区，其相应于其中一所述壁的垂直边；以及用...

【专利技术属性】
技术研发人员：ER米勒，SR穆恩，
申请(专利权)人：爱特梅尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]