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本发明公开了一种防止浅沟槽隔离边缘硅接触孔漏电的方法，在硅接触孔形成以后，采用液态的N型或P型溶液，在N型或P型硅接触孔区域分别掺杂N型或P型离子，以补充在硅接触孔刻蚀中被刻蚀掉的部分。本发明能够有效降低制造成本，而且可以达到更好的防漏电效...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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