【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种绝缘体上锗硅的形成方法，其特征在于，包括：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底上形成有绝缘层，所述第二衬底上形成有锗硅层；结合所述绝缘层和所述锗硅层，使所述第一衬底和所述第二衬底结合成一体结构；去除所述第二衬底；去除所述第二衬底后，采用对所述第二衬底和所述锗硅层具有高刻蚀选择比的清洗剂，对所述锗硅层的表面进行清洗，去除所述锗硅层表面的第二衬底残留物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。