一种掩模板制造技术

本发明专利技术公开了一种掩模板，包括掩模板本体及形成在所述掩模板本体上的蒸镀孔，所述蒸镀孔贯穿所述掩模板本体，所述掩模板包括蒸镀面和ITO面，其特征在于：所述蒸镀孔在所述ITO面设有凹槽区域，在所述蒸镀孔的中心轴线所在的截面上，所述蒸镀面的蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状。利用本发明专利技术提供的掩模板，蒸镀时可以减小蒸镀孔的孔壁对蒸镀材料的遮挡，蒸镀孔在ITO面设有凹槽区域可以防止掩模板蒸镀孔的边缘变形划伤沉积基板。

【技术实现步骤摘要】
一种掩模板
本专利技术涉及一种掩模板，具体涉及一种OLED蒸镀用的掩模板。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode ；0LED)显示器具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，与液晶显示器相比，OLED显示器不需要背光源，视角大，功率低，其响应速度可达到液晶显示器的1000倍，其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器。因此，OLED显示器具有广阔的应用前景，逐渐成为未来20年成长最快的新型显示技术。OLED结构中的有机层材料的制作需要用到蒸镀用的掩模板，传统通过蚀刻工艺制作掩模板，蒸镀之前需要将掩模板拉网固定到掩模框上，拉网固定之后掩模板具有一定的张力。掩模板蒸镀孔的截面示意图如图1所示，I为掩模板的ITO面(即与基板接触的一面)，2为掩模板的蒸镀面(即面向蒸镀源的一面)，11为掩模板的蒸镀孔，蒸镀孔11的截面为葫芦状，由于蒸镀孔11的边缘比较薄，掩模板具有一定的张力之后蒸镀孔的边缘容易翘起，如图1中的翘起部分12所示，蒸镀孔边缘翘起的部分12在蒸镀过程中会划伤沉积基板，从而影响显示器的质量，而且通过蚀刻工艺制作的掩模板蒸镀孔的尺寸不好控制，尤其在制作小尺寸的蒸镀孔时很难将蒸镀孔的尺寸做到更小。本专利技术主要是针对以上问题提出一种掩模板，较好的解决以上所述问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种掩模板，使在蒸镀过程中尽量减少蒸镀孔壁对蒸镀材料的遮挡，并且可以防止掩模板蒸镀孔边缘翘起划伤沉积基板。本专利技术提供一种掩模板，包括掩模板本体及形成在所述掩模板本体上的蒸镀孔，所述蒸镀孔贯穿所述掩模板本体，所述掩模板包括蒸镀面和ITO面，其特征在于:所述蒸镀孔在所述ITO面设有凹槽区域，在所述蒸镀孔的中心轴线所在的截面上，所述蒸镀面的蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状。进一步地，蒸镀面的蒸镀孔的孔壁与掩模板本体的板面呈30~60°夹角。进一步地，蒸镀孔以阵列的方式设置在掩模板上，蒸镀孔与沉积基板的有机膜沉积区域相适应。进一步地，掩模板的厚度为8~80 μ m。优选地，掩模板的厚度为25~50 μ m。进一步优选地，掩模板的厚度为30 μ m。进一步地，凹槽区域的深度为3~30 μ m。优选地，凹槽区域的深度为5~20 μ m。进一步地，掩模板的材质为镍基合金。进一步地，掩模板通过电铸方式制备。本专利技术还提供了一种掩模组件，包括掩模框和上述所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板固定于所述掩模框上。进一步地，掩模板通过激光焊接或粘接方式固定于掩模框上。本专利技术的有益效果在于，在蒸镀孔的中心轴线所在的截面上，蒸镀面的蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状，蒸镀面的蒸镀孔的孔壁与掩模板本体的板面呈30~60°夹角，可以减小蒸镀孔的孔壁对蒸镀材料的遮挡，同时蒸镀孔ITO面的凹槽区域可以起到防止刮伤沉积基板，从而提闻显不器的质量。本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。【附图说明】本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中: 图1所示为传统蚀刻制作掩模板蒸镀孔的截面示意图； 图2所示为掩模板ITOA面的平面结构示意图； 图3所示为图2中沿A-A方向的截面示意图； 图4所示为图3中30部分放大示意`图； 图5所示为掩模板整体平面结构示意图； 图6和图7所示为图5中50部分放大示意图； 图8所示为掩模组件平面结构示意图； 图9所示为蒸镀截面示意图； 图10所示为芯模贴膜后的截面示意图； 图11所示为曝光截面示意图； 图12所示为显影后的截面示意图； 图13所示为电铸后的截面示意图； 图14所示为将电铸的电铸层剥离后的截面示意图； 图15所示为图14中140部分的放大示意图。 图1中，I为ITO面，2为蒸镀面，11为掩模板的蒸镀孔，12为蒸镀孔边缘翘起部分； 图2中，20为掩模板本体,21为蒸镀孔,22为掩模板,A-A为待解剖观测方向； 图3中，3为ITO面，4为蒸镀面，30为待放大观测部分； 图4中，Θ为蒸镀面的蒸镀孔的孔壁与掩模板本体的板面的夹角，tl为掩模板的厚度，t2为掩模板ITO面凹槽区域的深度； 图5中，50为待放大观测部分，51为掩模图案； 图6中，B-B为待解剖观测方向； 图7中，C-C为待解剖观测方向； 图8中，80为掩模框； 图9中，91为沉积基板，92为支撑架，93为蒸镀源； 图10中，100为芯模，101为膜；图11中，110为曝光膜； 图12中，120为露出的芯模区域； 图14中，140为待放大观测部分；【具体实施方式】下面将参照附图来描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。根据本专利技术的实施例，参考图2~图8所示，本专利技术提供了一种掩模板，掩模板22包括掩模板本体20及形成在掩模板本体上的蒸镀孔21，所述蒸镀孔21贯穿所述掩模板本体20，所述掩模板22包括蒸镀面和ITO面，其特征在于:所述蒸镀孔在所述ITO面设有凹槽区域，在所述蒸镀孔21中心轴线所在的截面上，所述蒸镀面的蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状。如图4所示，在蒸镀孔21中心轴线所在的截面上，蒸镀面蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状，Θ为蒸镀孔21的孔壁与掩模板本体20的板面的夹角，Θ角的范围为30°~60°，tl为掩模板的厚度，t2为掩模板ITO面凹槽区域的深度，蒸镀孔21以阵列的方式设置在掩模板本体20上，与沉积基板的有机膜沉积区域相适应。根据本专利技术的一个实施例，参考图2~图4所示为大尺寸蒸镀孔的掩模板，图2所示为掩模板ITO面的平面结构示意图，20为掩模板本体，21为蒸镀孔，蒸镀孔21以阵列的方式设置在掩模板本体20上，图3所示为图2中沿A-A方向截面示意图，3为ITO面，4为蒸镀面，30部分放大示意图如图4所示。根据本专利技术的另一个实施例，参考图5~图8所示为小尺寸蒸镀孔的掩模板，图5所示为掩膜板整体平面结构示意图，掩模图案51以阵列的方式设置在掩模板上，蒸镀孔21以阵列的方式设置在掩模板22的掩模图案51上，蒸镀孔与沉积基板的蒸镀区域相适应。图6所不为图5中50部分掩模图案的一种放大不意图，图6中蒸镀孔21为小开口以阵列的方式设置在掩模板上，沿B-B方向的截面放大示意图如图4所示。图7所示为图5中掩模图案的另一种排布方式的放大示意图，图7中蒸镀孔21为长条状的开口，沿C-C方向的截面放大示意图如图4所示。根据本专利技术的一些实施例，掩模板22的厚度为8~80 μ m。根据本专利技术的一些实施例，掩模板22的厚度为25~50 μ m。优选地，掩模板22的厚度为30 μ m。掩模板22的厚度还可以设置为20μηι或25μηι或35μηι或40μηι或50μηι或65 μ m $ 75 μ m。根据本专利技术的一些实施例，掩模板ITO凹槽区域的深度为3~30 μ m。优选地，掩模板ITO面凹槽区域的深度为5~20 μ m，例如掩模板ITO面凹槽区域的深度为5μ本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩模板，包括掩模板本体及形成在所述掩模板本体上的蒸镀孔，所述蒸镀孔贯穿所述掩模板本体，所述掩模板包括蒸镀面和ITO面，其特征在于：所述蒸镀孔在所述ITO面设有凹槽区域，在所述蒸镀孔的中心轴线所在的截面上，所述蒸镀面的蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状。

【技术特征摘要】
1.一种掩模板，包括掩模板本体及形成在所述掩模板本体上的蒸镀孔，所述蒸镀孔贯穿所述掩模板本体，所述掩模板包括蒸镀面和ITO面，其特征在于:所述蒸镀孔在所述ITO面设有凹槽区域，在所述蒸镀孔的中心轴线所在的截面上，所述蒸镀面的蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状。2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述蒸镀面的蒸镀孔的孔壁与所述掩模板本体的板面呈30~60°夹角。3.根据权利要求1或2所述的掩模板，其特征在于，所述蒸镀孔以阵列的方式设置在所述掩模板上，与沉积基板的有机膜沉积区域相适应。4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志凌，高小平，魏志浩，潘世珎，许镭芳，
申请(专利权)人：昆山允升吉光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：