一种蒸镀用掩模板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种蒸镀用掩模板的制备方法，包括芯模贴膜→曝光→显影→一次电铸→后处理1→二次电铸→后处理2，其特征在于:所述一次电铸的电铸层厚度与芯模贴膜步骤中膜的厚度相等，二次电铸步骤的电铸层在一次电铸步骤的电铸层和曝光步骤中形成的曝光膜的基础上形成。利用本发明专利技术提供的方法制作的蒸镀用掩模板，在蒸镀孔中心轴线所在的截面上，蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状蒸镀孔的孔壁与掩模板本体的板面呈30～60°夹角，可以减小蒸镀孔的孔壁对蒸镀材料的遮挡，并且蒸镀过程中不存在蒸镀的死角，蒸镀层的厚度均匀，而且制作小尺寸的蒸镀孔的掩模板时，可以将蒸镀孔的尺寸做到更小，以提高显示器的分辨率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，具体涉及一种OLED蒸镀用掩模板的制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode ；0LED)显示器具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，与液晶显示器相比，OLED显示器不需要背光源，视角大，功率低，其响应速度可达到液晶显示器的1000倍，其制造成本却低于同等分辨率的液晶显示器。因此，OLED显示器具有广阔的应用前景，逐渐成为未来20年成长最快的新型显示技术。OLED结构中的有机层材料的制作需要用到蒸镀用的掩模板，传统通过双面蚀刻工艺制作掩模板，掩模板蒸镀孔的截面示意图如图1所示，I为掩模板的ITO面(即与ITO沉积基板接触的一面)，2为掩模板的蒸镀面(即面向蒸镀源的一面)，11为掩模板的蒸镀孔，蒸镀孔11的截面为葫芦状，蒸镀孔11有效沉积孔径的尺寸L的大小不好控制，导致蒸镀孔的精度不高，蒸镀孔很难做到更小，同时利用双面蚀刻工艺制作的掩模板在蒸镀过程中ITO面的蒸镀孔12 (掩模板的死角)处形成蒸镀层的死角，导致蒸镀层厚度不均，影响蒸镀质量，而且在制作小尺寸的蒸镀孔时利用蚀刻工艺很难将蒸镀孔做到所要求的小尺寸。本专利技术主要是针对以上问题提出，较好的解决以上所述问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种制作蒸镀用掩模板的方法，利用此方法制作的蒸镀用掩模板在蒸镀过程中可以减小蒸镀孔的孔壁对蒸镀材料的遮挡，并且蒸镀过程中不存在蒸镀的死角，使蒸镀层厚度均匀，同时可以将小尺寸蒸镀孔的尺寸做到更小。本专利技术提供了，包括芯模贴膜一曝光一显影一一次电铸一后处理I —二次电铸一后处理2，其特征在于:所述一次电铸步骤的电铸层厚度与所述芯模贴膜步骤中所述膜的厚度相等，所述二次电铸步骤的电铸层在所述一次电铸步骤的电铸层和所述曝光步骤中形成的曝光膜的基础上形成。进一步地，二次电铸步骤的电铸层在曝光膜处形成蒸镀孔，在蒸镀孔中心轴线所在的截面上，蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状。进一步地，二次电铸步骤的电铸层形成掩模板的本体，蒸镀孔的孔壁与掩模板本体的板面呈30~60°夹角。进一步地，一次电铸步骤的电铸层厚度为3~30 μ m。优选地，一次电铸步骤的电铸层厚度为5~20 μ m。进一步地，二次电铸步骤的电铸层厚度为8~80 μ m。进一步地，后处理2步骤包括清洗、剥离步骤。进一步地，剥离步骤是将二次电铸步骤的电铸层从一次电铸步骤的电铸层上剥离。 进一步地，后处理I包括静置或烘烤。进一步地，静置的时间为5~30min，烘烤时间根据具体环境设定。本专利技术的有益效果在于，利用本专利技术提供的方法制作的蒸镀用掩模板，在蒸镀孔中心轴线所在的截面上，蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状，蒸镀孔的孔壁与掩模板本体的板面呈30~60°夹角，可以减小蒸镀孔的孔壁对蒸镀材料的遮挡，并且蒸镀过程中不存在蒸镀的死角，蒸镀层的厚度均匀，同时利用本专利技术提供的电铸方法制作蒸镀用掩模板还可以将蒸镀孔的尺寸做到更小，以达到显示器高分辨率的要求。本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。【附图说明】本专利技术的上述和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中: 图1所示为传统双面蚀刻制作掩模板蒸镀孔的截面示意图； 图2所示为芯模贴膜后的截面示意图； 图3所示为曝光截面示意图； 图4所示为显影后的截面示意图； 图5所示为一次电铸后的截面示意图； 图6所示为二次电铸后的截面示意图； 图7所示为将二次电铸的电铸层剥离的截面示意图； 图8所示为图7中70部分的放大示意图； 图9和图10所示为掩模板整体平面结构示意图； 图11所示为图10中100部分的放大示意图； 图12所示为图10中100部分的放大示意图； 图13所示为掩模组件平面结构示意图； 图14所示为蒸镀截面示意图； 图1中，I为ITO面，2为蒸镀面，11为掩模板的蒸镀孔，12为掩模板的死角； 图2中，20为芯模，21为膜； 图3中，30为曝光膜； 图4中，40为显影后露出的芯模区域； 图5中，50为一次电铸的电铸层； 图6中,60为二次电铸的电铸层，即掩模板本体； 图7中，70为待放大观测部分，71为蒸镀孔； 图8中，Θ为蒸镀孔的孔壁与掩模板本体板面的夹角； 图9中，90代表掩模板整体，A-A为待解剖观测方向； 图10中，100为待放大观测部分，101为掩模图案； 图11中，B-B为待解剖观测方向；图12中，C-C为待解剖观测方向； 图13中，130为掩模框； 图14中，141为沉积基板，142为支架，143为蒸镀源；【具体实施方式】下面将参照附图来描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。根据本专利技术的实施例，参考图2~图8所示，本专利技术提供，包括:芯模贴膜一曝光一显影一一次电铸一后处理I —二次电铸一后处理2，所述一次电铸步骤的电铸层50厚度与所述芯模贴膜步骤中膜21的厚度相等，所述二次电铸步骤的电铸层60在所述一次电铸步骤的电铸层50和曝光步骤中形成的曝光膜30的基础上形成。下面详细描述蒸镀用掩模板的制备方法: 51、芯模贴膜步骤:图2所示为将膜21压贴或涂覆到芯模20—面的截面示意图，所述芯模20在贴膜步骤前经过喷砂、清洗等处理，去除芯模表面杂质，使芯模贴膜的一面干净平整； 52、曝光步骤:经曝光步骤将预设的蒸镀孔区域的膜曝光，如图3所示，30为曝光后的膜(即曝光膜)； 53、显影步骤:图4所示为显影截面示意图，经显影步骤，显影液与未曝光的膜反应，除去未曝光的膜，露出 芯模区域40，曝光膜30继续保留； 54、一次电铸步骤:经一次电铸步骤后形成一层电铸层50，如图5所示，电铸层50的厚度与膜的厚度相等，优选地，电铸层50的厚度与膜21的厚度相等； 55、后处理I步骤:一次电铸步骤后，进行后处理I步骤，后处理I步骤可以是静置或烘烤，通过后处理I步骤可以使两次电铸的电铸层具有一定的结合力又能够使二次电铸的电铸层从一次电铸的电铸层上剥离下来； 56、二次电铸步骤:图6所示为二次电铸步骤后的截面示意图，二次电铸步骤的电铸层60即为掩模板的本体，二次电铸过程中掩模板的蒸镀孔在曝光膜30处形成，蒸镀孔与曝光膜30接触的一面的面积小于曝光膜30区域的面积，在蒸镀孔中心轴线所在的截面上，蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状。S7、后处理2步骤:后处理2步骤包括剥离、清洗步骤，经剥离步骤将二次电铸步骤的电铸层60从一次电铸步骤的电铸层50上剥离下来，经清洗步骤将电铸层60洗干净，图7所示为将电铸层60剥离后的截面示意图，电铸层60即为掩模板本体，71为蒸镀孔。图8所示为图7中70部分放大示意图，蒸镀孔的孔壁与掩模板的本体60的板面的夹角Θ范围为30~60°。根据本专利技术的一些实施例，一次电铸的电铸层50厚度为3~30 μ m。根据本专利技术的一些实施例，一次电铸的电铸层50厚度为5~20 μ m。根据本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸镀用掩模板的制备方法，包括芯模贴膜→曝光→显影→一次电铸→后处理1→二次电铸→后处理2，其特征在于:?所述一次电铸步骤的电铸层厚度与所述芯模贴膜步骤中所述膜的厚度相等，所述二次电铸步骤的电铸层在所述一次电铸步骤的电铸层和所述曝光步骤中形成的曝光膜的基础上形成。

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀用掩模板的制备方法，包括芯模贴膜一曝光一显影一一次电铸一后处理I —二次电铸一后处理2，其特征在于:所述一次电铸步骤的电铸层厚度与所述芯模贴膜步骤中所述膜的厚度相等，所述二次电铸步骤的电铸层在所述一次电铸步骤的电铸层和所述曝光步骤中形成的曝光膜的基础上形成。2.根据权利要求1所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于，所述二次电铸步骤的电铸层在所述曝光膜处形成蒸镀孔，在所述蒸镀孔中心轴线所在的截面上，所述蒸镀孔的边缘线呈外扩式喇叭状。3.根据权利要求1所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于，所述二次电铸步骤的电铸层形成掩模板的本体，所述蒸镀孔的孔壁与所述掩模板本体的板面呈30~60°夹角。4.根据权利要求1所述的蒸镀用掩模板的制备方法，其特征在于，所述一...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志凌，高小平，潘世珎，汪行，杨涛，
申请(专利权)人：昆山允升吉光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：