【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层内形成有开口；形成覆盖所述开口侧壁的第一导电层；采用离子注入工艺向所述第一导电层内注入离子，使部分所述第一导电层形成第二绝缘层，剩余部分的第一导电层形成底部电极层，所述第二绝缘层、底部电极层表面与第一绝缘层表面齐平；待形成底部电极层后，在所述开口内形成第三绝缘层，所述第三绝缘层表面与所述第一绝缘层表面齐平；在所述第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和底部电极层表面形成相变层；形成位于所述相变层表面的顶部电极层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。